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公开(公告)号：CN102203966A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142895.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 松下电工株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN105191500A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013936.6
申请日：2014-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/26 , F21Y105/00
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0095 , H01L51/5004 , H01L51/5044 , H01L51/506 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L51/5271 , H01L51/5278 , H01L51/5281
Abstract: 本公开涉及有机电致发光元件，所述有机电致发光元件包括：基底1，其具有光透射特性；光扩散层2；光透射电极3；光反射电极4；以及彼此空间隔开的多个发光层E。关于为最靠近光反射电极4的第m个发光层的第m个发光层Em，满足由以下表达式(2)和(3)定义的关系。在以下表达式中，λm表示加权平均发射波长，φm表示相移，nm(λm)表示填充光反射电极4和第m个发光层Em之间的空间的介质的平均折射率，并且dm表示从光反射电极4到第m个发光层Em的距离。l是等于或大于0的整数。[公式1]nm(λm)×dm≥0.6λm(3)。
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公开(公告)号：CN102326270B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201080009000.8
申请日：2010-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种发光器件，其包括：安装基板和LED芯片，所述LED芯片包括：n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极。所述氮化物发光层设置在n-型氮化物半导体层上。所述p-型氮化物半导体层设置在氮化物发光层上。从p-型氮化物半导体层观察时，阳电极位于氮化物发光层的相反侧。阴电极设置在n-型氮化物半导体层上。安装基板的导体图案通过凸点与阴电极和阳电极接合。LED芯片具有电介质层。所述电介质层形成为至少一个岛并且位于p-型氮化物半导体层和阳电极之间。p-型氮化物半导体层具有与凸点交叠的第一区域。电介质层不形成于第一区域内。
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公开(公告)号：CN105191500B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201480013936.6
申请日：2014-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/26 , F21Y105/00
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0095 , H01L51/5004 , H01L51/5044 , H01L51/506 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L51/5271 , H01L51/5278 , H01L51/5281
Abstract: 本公开涉及有机电致发光元件，所述有机电致发光元件包括：基底1，其具有光透射特性；光扩散层；光透射电极；光反射电极；以及彼此空间隔开的多个发光层。关于为最靠近光反射电极的第m个发光层的第m个发光层，满足由以下表达式(2)和(3)定义的关系。在以下表达式中，λm表示加权平均发射波长，φ(λm)表示相移，nm(λm)表示填充光反射电极和第m个发光层之间的空间的介质的平均折射率，并且dm表示从光反射电极到第m个发光层的距离。l是等于或大于0的整数。[公式1]nm(λm)×dm≥0.6λm (3)。
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公开(公告)号：CN102714894B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180006217.8
申请日：2011-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/524 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H05B33/04
Abstract: 面状发光装置具备：有机EL元件，具有一面及与上述一面相反侧的另一面，从上述一面放射光；保护基板，对于从上述有机EL元件放射的光具有透光性，以与上述有机EL元件的上述一面对置的方式配置，具有与上述有机EL元件的上述一面对置的一表面；保护部，以与上述有机EL元件的上述另一面对置的方式配置，与上述保护基板一起形成将上述有机EL元件收纳以防水的腔体；光取出构造部，介于上述有机EL元件的上述一面与上述保护基板之间，抑制从上述有机EL元件的上述一面和上述保护基板的上述一表面的至少一个的上述有机EL元件放射的光的反射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103608943A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280014972.5
申请日：2012-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5024 , H01L27/3209 , H01L51/5036
Abstract: 提出了一种具有减小的视角依赖性的高效率的白色发光有机电致发光元件。白色发光有机电致发光元件包括存在于阴极和阳极之间的具有不同发射峰值波长的至少四种发光掺杂剂。四种发光掺杂剂包括各自的峰值波长依次变长的发光掺杂剂A、发光掺杂剂B、发光掺杂剂C、和发光掺杂剂D。发射光谱满足以下关系：（在发光掺杂剂A的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度>（在发光掺杂剂D的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度；以及（在发光掺杂剂C的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度>（在发光掺杂剂B的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度。
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公开(公告)号：CN102203966B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980142895.X
申请日：2009-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN102714894A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006217.8
申请日：2011-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/524 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H05B33/04
Abstract: 面状发光装置具备：有机EL元件，具有一面及与上述一面相反侧的另一面，从上述一面放射光；保护基板，对于从上述有机EL元件放射的光具有透光性，以与上述有机EL元件的上述一面对置的方式配置，具有与上述有机EL元件的上述一面对置的一表面；保护部，以与上述有机EL元件的上述另一面对置的方式配置，与上述保护基板一起形成将上述有机EL元件收纳以防水的腔体；光取出构造部，介于上述有机EL元件的上述一面与上述保护基板之间，抑制从上述有机EL元件的上述一面和上述保护基板的上述一表面的至少一个的上述有机EL元件放射的光的反射。
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公开(公告)号：CN103608943B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280014972.5
申请日：2012-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5024 , H01L27/3209 , H01L51/5036
Abstract: 提出了一种具有减小的视角依赖性的高效率的白色发光有机电致发光元件。白色发光有机电致发光元件包括存在于阴极和阳极之间的具有不同发射峰值波长的至少四种发光掺杂剂。四种发光掺杂剂包括各自的峰值波长依次变长的发光掺杂剂A、发光掺杂剂B、发光掺杂剂C、和发光掺杂剂D。发射光谱满足以下关系：（在发光掺杂剂A的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度>（在发光掺杂剂D的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度；以及（在发光掺杂剂C的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度>（在发光掺杂剂B的峰值波长处）对于50°到70°的辉度平均值/正面辉度。
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公开(公告)号：CN102362547B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080013758.9
申请日：2010-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/5268
Abstract: 一种发光器件，包括有机电致发光元件(20)和衍射光学元件(30)。所述有机电致发光元件(20)包括阳极层(21)、阴极层(22)，以及置于所述阳极层(21)和所述阴极层(22)之间并且配置为发射具有不同波长的光线的多个发光层(231和232)。所述衍射光学元件(30)设置在由所述有机电致发光元件(20)发射的光线的光路中。所述衍射光学元件(30)被设计为具有不同的光栅图案(311和312)，以衍射分别发射自所述发光层(231和232)的光线，用于减小色差。
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