拍摄装置的控制方法以及拍摄装置

    公开(公告)号:CN108391045A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201711406035.5

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 提供能够容易地切换拍摄波段的拍摄装置的控制方法以及拍摄装置。作为动作模式而能够将以第1拍摄波段进行拍摄的第1模式和以与第1拍摄波段不同的拍摄波段进行拍摄的第2模式进行切换的拍摄装置(110)的控制方法,在动作模式为第1模式的情况下,基于在第1模式及第2模式下得到的信息,判定在环境光中是否包含近红外光,在环境光中包含近红外光的情况下使第1模式继续,在环境光中不包含近红外光的情况下将动作模式切换为第2模式,在动作模式为第2模式的情况下,基于在第1模式及第2模式下得到的信息,判定在环境光中是否包含近红外光,在环境光中包含近红外光的情况下将动作模式切换为第1模式,在环境光中不包含近红外光的情况下使第2模式继续。

    摄像装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075181B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201780022788.8

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括:第1电极;透光性的第2电极;第1光电变换层,配置在第1电极及第2电极之间,包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料;以及第2光电变换层,配置在第1电极及第2电极之间,包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的电离电位的绝对值比第2材料的电离电位的绝对值大0.2eV以上。

    光电变换元件及摄像装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115428182A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202180027763.3

    申请日:2021-03-29

    Abstract: 有关本公开的一形态的光电变换元件具备:第1电极;第2电极;光电变换层,位于第1电极及第2电极之间,包含供体性半导体材料及受体性半导体材料;以及第1电荷阻挡层,位于第1电极与光电变换层之间。第1电荷阻挡层包含第1材料、以及能带隙比第1材料窄的第2材料。第1材料的电子亲和力比第2材料的电子亲和力小,第1材料的电离势比第2材料的电离势大。

    拍摄装置的控制方法以及拍摄装置

    公开(公告)号:CN108391045B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201711406035.5

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 提供能够容易地切换拍摄波段的拍摄装置的控制方法以及拍摄装置。作为动作模式而能够将以第1拍摄波段进行拍摄的第1模式和以与第1拍摄波段不同的拍摄波段进行拍摄的第2模式进行切换的拍摄装置(110)的控制方法,在动作模式为第1模式的情况下,基于在第1模式及第2模式下得到的信息,判定在环境光中是否包含近红外光,在环境光中包含近红外光的情况下使第1模式继续,在环境光中不包含近红外光的情况下将动作模式切换为第2模式,在动作模式为第2模式的情况下,基于在第1模式及第2模式下得到的信息,判定在环境光中是否包含近红外光,在环境光中包含近红外光的情况下将动作模式切换为第1模式,在环境光中不包含近红外光的情况下使第2模式继续。

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