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公开(公告)号：CN118575285A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380017964.4
申请日：2023-01-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
Abstract: 本公开的光电转换元件具备光电转换层、将光电转换层中产生的空穴作为信号电荷捕集的第1电极、和捕集光电转换层中产生的电子的第2电极。光电转换层包含互相层叠的3层以上的量子点层，3层以上的量子点层各自包含量子点、及修饰量子点的表面的表面修饰配位基。在3层以上的量子点层中的相邻的2个量子点层的组合中的至少1个组合中，接近第1电极的量子点层的带隙能量小于接近第2电极的量子点层的带隙能量。在3层以上的量子点层各自与和3层以上的量子点层各自相邻的量子点层之间的界面中，满足下述式(1)及下述式(2)中的至少一者，Ei+1CBM‑EiCBM≥0(1)Ei+1VBM‑EiVBM≥0(2)。
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公开(公告)号：CN112385049B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201980042953.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够进行窄带的摄像的鲁棒且能够便宜地制造的光传感器(100)。光传感器(100)具备：光电变换层(10)；以及长通滤波器(60)，配置在上述光电变换层(10)的上方，有选择地使所入射的光中的具有起始波长(λC)以上的波长的成分透射。上述光电变换层(10)具有对于比上述长通滤波器(60)的上述起始波长(λC)长的第1波长(λ1)呈现第1峰值(Pk1)的光谱灵敏度特性。上述起始波长(λC)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度是上述第1波长(λ1)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度的0％以上50％以下。
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公开(公告)号：CN119498033A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051262.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 检查方法包括：准备设备的工序，所述设备具备多个像素电极(11)、与多个像素电极(11)对置而配置的对置电极(13)、配置在多个像素电极(11)与对置电极(13)之间的光电变换层(12)、夹着光电变换层(12)与对置电极(13)对置并且配置在多个像素电极(11)中的相邻的两个像素电极(11)之间的测试电极、与对置电极(13)电连接并向外部露出的第1电极焊盘、以及与测试电极电连接并向外部露出的第2电极焊盘；以及对第1电极焊盘与第2电极焊盘之间施加电压、计测在第1电极焊盘与第2电极焊盘之间流动的电流的工序。
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公开(公告)号：CN114586182B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202080071186.3
申请日：2020-10-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L31/0328 , H01L27/146
Abstract: 本申请的一个实施方式的光电转换元件具备：第一电极(2)；第二电极(3)；以及光电转换层(4)，其包含多个半导体型碳纳米管、和对上述多个半导体型碳纳米管作为施主或受主发挥功能的第一材料，并且位于上述第一电极(2)与上述第二电极(3)之间。上述多个半导体型碳纳米管具有下述吸光特性：在第一波长下包含第一吸收峰，在比上述第一波长短的第二波长下包含第二吸收峰，在比上述第二波长短的第三波长下包含第三吸收峰。上述第一材料对选自上述第一波长与上述第二波长之间的第一波长范围、及上述第二波长与上述第三波长之间的第二波长范围中的至少一个波长范围的光透明。
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公开(公告)号：CN117321781A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035010.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 一种光电转换元件，其包含：光电转换层(4)；捕集光电转换层(4)中产生的空穴的第一电极(2)；和夹着光电转换层(4)地与第一电极(2)相对向、且捕集光电转换层(4)中产生的电子的第二电极(3)。光电转换层(4)包含：包含用第一配体进行了表面改性的多个第一量子点的第一量子点层(4a)；和位于第一量子点层(4a)与第二电极(3)之间、且包含用与第一配体不同的第二配体进行了表面改性的多个第二量子点的第二量子点层(4b)。第二量子点层(4b)的电离电位比第一量子点层(4a)的电离电位大。表示多个第二量子点的粒径分布的第二值比表示多个第一量子点的粒径分布的第一值小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695356B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810285958.8
申请日：2018-04-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种摄像装置，其能够以简易的像素电路构成实现全局快门功能。摄像装置具备多个单位像素单元，多个单位像素单元分别具备：光电转换部以及与第一电极电连接的信号检测电路，光电转换部包括：第一电极，其包含第一导电性材料；第二电极，其与第一电极相对置；光电转换层，其位于第一电极与第二电极之间，包含第一光电转换材料；和电子阻挡层，其位于第一电极与光电转换层之间，包含电子阻挡材料，其中，电子阻挡材料的电离电势大于第一导电性材料的功函数，且大于第一光电转换材料的电离电势，光电转换部具有光电流特性：在第一电极与第二电极之间施加偏压时，存在第一电压范围，第一电压范围的宽度为0.5V以上。
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公开(公告)号：CN108391045A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711406035.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 提供能够容易地切换拍摄波段的拍摄装置的控制方法以及拍摄装置。作为动作模式而能够将以第1拍摄波段进行拍摄的第1模式和以与第1拍摄波段不同的拍摄波段进行拍摄的第2模式进行切换的拍摄装置(110)的控制方法，在动作模式为第1模式的情况下，基于在第1模式及第2模式下得到的信息，判定在环境光中是否包含近红外光，在环境光中包含近红外光的情况下使第1模式继续，在环境光中不包含近红外光的情况下将动作模式切换为第2模式，在动作模式为第2模式的情况下，基于在第1模式及第2模式下得到的信息，判定在环境光中是否包含近红外光，在环境光中包含近红外光的情况下将动作模式切换为第1模式，在环境光中不包含近红外光的情况下使第2模式继续。
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公开(公告)号：CN118648114A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380019841.4
申请日：2023-01-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 功能元件的制造方法，包含如下工序：准备第一电极以及第二电极在上表面露出的基板；在基板的上方形成设置有使第一电极的上表面的至少一部分露出的间隙的第一膜；在第一电极、第二电极以及第一膜上，使用涂布法形成第二膜；通过去除第二膜中的第一电极上的部分，使第一电极的上表面露出；以及在第一电极的上表面上形成电接触件(15)。
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公开(公告)号：CN111989783B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201980025741.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L31/10 , H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70
Abstract: 本申请的一个方案的摄像装置具备：半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及上述第1面的相反侧的第2面；第1晶体管，其位于上述第2面上；和光电转换部，其面向上述第2面，且接受透过上述半导体基板后的光。上述半导体基板为硅基板或硅化合物基板。上述光电转换部包含：与上述第1晶体管电连接的第1电极；第2电极；和光电转换层，其位于上述第1电极与上述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料。上述第1电极位于上述第2面与上述光电转换层之间。上述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为上述材料
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公开(公告)号：CN109075181B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780022788.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/10 , H04N23/20
Abstract: 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的电离电位的绝对值比第2材料的电离电位的绝对值大0.2eV以上。
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