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公开(公告)号：CN111655701B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980009718.8
申请日：2019-03-08
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： C07F7/10 , H04N23/21 , C07F7/22 , C07F9/6561 , H01L27/146 , H10K39/32 , H10K30/60 , H10K85/60 , H04N5/33 , C07D487/22
摘要： 本申请的一个方案的组合物是包含下述通式(1)所表示的酞菁衍生物的组合物。其中，R1～R8分别独立地为烷基或芳基，M为4价金属，R9及R10各自为下述通式(2)～(5)所表示的取代基中的任一个。另外，R11～R13分别独立地为烷基，R14～R18分别独立地为烷基或芳基。(56)对比文件JP H1036830 A,1998.02.10US 2007010645 A1,2007.01.11WO 9610620 A1,1996.04.11
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公开(公告)号：CN109384801B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810842835.X
申请日：2018-07-27
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： C07D513/04 , H01L51/42 , H01L51/46
摘要： 本申请的光电转换材料包含下述式(1)所示的化合物。式中，X选自氢原子、重氢原子、卤原子、烷基和氰基，Y为下述式(2)所示的一价取代体，式中，R1～R10各自独立地为氢原子、重氢原子、卤原子、烷基或芳基，或者选自R1～R10中的两个以上相互键合而形成环，剩余各自独立地为氢原子、重氢原子、卤原子、烷基或芳基，*表示上述式(1)中的Y的键合位置，Ar1选自下述多个式(3)所示的多个结构。式中，**表示上述式(2)中的Ar1与N的键合位置。
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公开(公告)号：CN111655701A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980009718.8
申请日：2019-03-08
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： C07F7/10 , C07F7/22 , C07F9/6561 , H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42 , H04N5/33 , C07D487/22
摘要： 本申请的一个方案的组合物是包含下述通式(1)所表示的酞菁衍生物的组合物。其中，R1～R8分别独立地为烷基或芳基，M为4价金属，R9及R10各自为下述通式(2)～(5)所表示的取代基中的任一个。另外，R11～R13分别独立地为烷基，R14～R18分别独立地为烷基或芳基。
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公开(公告)号：CN108391045A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711406035.5
申请日：2017-12-22
申请人： 松下知识产权经营株式会社
摘要： 提供能够容易地切换拍摄波段的拍摄装置的控制方法以及拍摄装置。作为动作模式而能够将以第1拍摄波段进行拍摄的第1模式和以与第1拍摄波段不同的拍摄波段进行拍摄的第2模式进行切换的拍摄装置(110)的控制方法，在动作模式为第1模式的情况下，基于在第1模式及第2模式下得到的信息，判定在环境光中是否包含近红外光，在环境光中包含近红外光的情况下使第1模式继续，在环境光中不包含近红外光的情况下将动作模式切换为第2模式，在动作模式为第2模式的情况下，基于在第1模式及第2模式下得到的信息，判定在环境光中是否包含近红外光，在环境光中包含近红外光的情况下将动作模式切换为第1模式，在环境光中不包含近红外光的情况下使第2模式继续。
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公开(公告)号：CN109075182B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780022794.3
申请日：2017-06-29
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H04N23/20 , H04N25/70 , H04N25/76 , H04N23/12
摘要： 本公开的摄像装置具备包括光电变换部的至少1个单位像素单元和电压施加电路。光电变换部包括第1电极、透光性的第2电极、包含第1材料的第1光电变换层及包含第2材料的第2光电变换层。第1光电变换层的阻抗比第2光电变换层的阻抗大。电压施加电路有选择地将第1电压及绝对值比第1电压大的第2电压的某个向第1电极与第2电极之间施加。
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公开(公告)号：CN108389875A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711236011.X
申请日：2017-11-30
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L27/30
摘要： 摄像装置具备：单位像素单元，包括像素电极、电连接在上述像素电极上的电荷储存区域、以及电连接在上述电荷储存区域上的信号检测电路；对置电极，对置于上述像素电极；光电变换层，配置在上述像素电极及上述对置电极之间，将入射的光变换为电荷；电压供给电路，能够将第一电压、第二电压及第三电压的某个有选择地向上述像素电极及上述对置电极之间供给；上述电荷被储存在上述电荷储存区域中；通过上述电压供给电路对上述像素电极及上述对置电极之间供给上述第一电压、第二电压、第三电压，上述光电变换层在规定的波长范围中表现出第一波长灵敏度特性、第二波长灵敏度特性、不再具有灵敏度。
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公开(公告)号：CN109075181B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780022788.8
申请日：2017-06-29
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/10 , H04N23/20
摘要： 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的电离电位的绝对值比第2材料的电离电位的绝对值大0.2eV以上。
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公开(公告)号：CN110197875A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910011990.1
申请日：2019-01-07
申请人： 松下知识产权经营株式会社
摘要： 本申请的一个方案的光电转换元件的制造方法包含下述工序：准备基体的工序，所述基体包含：具有主表面的半导体基板、位于所述主表面的上方的第一电极、位于所述主表面的上方且一维或二维地排列的多个第二电极、和至少覆盖所述多个第二电极的光电转换膜；在所述光电转换膜上形成掩模层的工序，所述掩模层包含覆盖所述光电转换膜中的俯视时与所述多个第二电极重叠的部分的被覆部、并且具有导电性；和通过将所述基体和所述掩模层浸渍到蚀刻剂中从而将所述光电转换膜的一部分除去的工序。
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公开(公告)号：CN109384801A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810842835.X
申请日：2018-07-27
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： C07D513/04 , H01L51/42 , H01L51/46
摘要： 本申请的光电转换材料包含下述式(1)所示的化合物。 式中，X选自氢原子、重氢原子、卤原子、烷基和氰基，Y为下述式(2)所示的一价取代体，式中，R1～R10各自独立地为氢原子、重氢原子、卤原子、烷基或芳基，或者选自R1～R10中的两个以上相互键合而形成环，剩余各自独立地为氢原子、重氢原子、卤原子、烷基或芳基，*表示上述式(1)中的Y的键合位置，Ar1选自下述多个式(3)所示的多个结构。式中，**表示上述式(2)中的Ar1与N的键合位置。
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公开(公告)号：CN109075181A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022788.8
申请日：2017-06-29
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/10 , H04N5/374 , H04N9/07
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/146 , H01L27/14667 , H01L27/14669 , H01L51/0046 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/4246 , H04N5/33 , H04N5/374 , H04N9/045 , H04N9/07
摘要： 本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的离子势的绝对值比第2材料的离子势的绝对值大0.2eV以上。
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