公开(公告)号：CN105390359B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201510514504.X

申请日：2015-08-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  松原功幸 ,  广岛满 ,  和田年弘

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板等离子体处理时，提高产品的成品率。传送载体具备框架和覆盖框架的开口的保持片，基板被保持片保持，该装置具备：传送机构，传送保持有基板的传送载体；位置计测部，计测基板相对于框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，等离子体处理台载置保持有基板的传送载体，罩体覆盖在等离子体处理台上载置的框架和保持片的至少一部分，且具有使基板的至少一部分露出的窗部；控制部，基于由位置计测部计测的基板相对于框架的位置信息，以使窗部和基板满足预定的位置关系的方式控制传送机构将保持基板的传送载体载置于等离子体处理台。

公开(公告)号：CN105895488A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510931460.0

申请日：2015-12-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 岩井哲博 ,  置田尚吾 ,  渡边彰三

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的等离子体处理装置以及电子部件的制造方法在对基板进行等离子体处理时，高效地对基板和保持该基板的搬运载体进行冷却。等离子体处理装置对载体所保持的基板进行等离子体处理，载体具备在基板的周围配置的框架、和保持基板以及框架的保持片，等离子体处理装置具备：腔室；工作台，其配置在腔室内，且具有搭载载体的上表面；气体孔，其设置在上表面的与框架的底面对置的位置，且向工作台与载体之间供给冷却用气体；以及等离子体激发装置，其在腔室内产生等离子体。

公开(公告)号：CN105895488B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510931460.0

申请日：2015-12-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 岩井哲博 ,  置田尚吾 ,  渡边彰三

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的等离子体处理装置以及电子部件的制造方法在对基板进行等离子体处理时，高效地对基板和保持该基板的搬运载体进行冷却。等离子体处理装置对载体所保持的基板进行等离子体处理，载体具备在基板的周围配置的框架、和保持基板以及框架的保持片，等离子体处理装置具备：腔室；工作台，其配置在腔室内，且具有搭载载体的上表面；气体孔，其设置在上表面的与框架的底面对置的位置，且向工作台与载体之间供给冷却用气体；以及等离子体激发装置，其在腔室内产生等离子体。

公开(公告)号：CN103718284B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280037016.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

Abstract: 干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。

公开(公告)号：CN105390359A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510514504.X

申请日：2015-08-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  松原功幸 ,  广岛满 ,  和田年弘

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板等离子体处理时，提高产品的成品率。传送载体具备框架和覆盖框架的开口的保持片，基板被保持片保持，该装置具备：传送机构，传送保持有基板的传送载体；位置计测部，计测基板相对于框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，等离子体处理台载置保持有基板的传送载体，罩体覆盖在等离子体处理台上载置的框架和保持片的至少一部分，且具有使基板的至少一部分露出的窗部；控制部，基于由位置计测部计测的基板相对于框架的位置信息，以使窗部和基板满足预定的位置关系的方式控制传送机构将保持基板的传送载体载置于等离子体处理台。