公开(公告)号：CN100399541C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510002925.0

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾本诚一 ,  坚田富夫 ,  东和幸 ,  山口人美 ,  江泽弘和 ,  坂田敦子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以改善带有阻挡金属膜的Cu膜的可靠性以及电气特性等，同时，可以高效并容易地制造提高了可靠性以及电气特性等的半导体器件。在形成于基板(1)上的凹部(5)内，依次地叠层设置第1阻挡金属膜(6)、第2阻挡金属膜(7)和第3阻挡金属膜(8)。各阻挡金属膜(6)、(7)、(8)分别包含属于4-A族、5-A族和6-A族中任一族的至少一种金属元素。第2阻挡金属膜(7)通过CVD法和ALD法中至少一方的方法形成。在不朝大气开放的状态下在第3阻挡金属膜(8)上设置Cu膜(9)、(10)而埋入凹部(5)。

公开(公告)号：CN1649125A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510002925.0

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾本诚一 ,  坚田富夫 ,  东和幸 ,  山口人美 ,  江泽弘和 ,  坂田敦子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以改善带有阻挡金属膜的Cu膜的可靠性以及电气特性等，同时，可以高效并容易地制造提高了可靠性以及电气特性等的半导体器件。在形成于基板(1)上的凹部(5)内，依次地叠层设置第1阻挡金属膜(6)、第2阻挡金属膜(7)和第3阻挡金属膜(8)。各阻挡金属膜(6)、(7)、(8)分别包含属于4－A族、5－A族和6－A族中任一族的至少一种金属元素。第2阻挡金属膜(7)通过CVD法和ALD法中至少一方的方法形成。在不朝大气开放的状态下在第3阻挡金属膜(8)上设置Cu膜(9)、(10)而埋入凹部(5)。