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公开(公告)号：CN115483165A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210021022.0
申请日：2022-01-10
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式涉及半导体装置、其制造方法以及基板。实施方式的半导体装置具备：绝缘部件；受光元件，被安装在所述绝缘部件上；发光元件，与所述受光元件光耦合；第一金属端子，被设置在所述绝缘部件的背面上，与所述发光元件电连接；开关元件，经由金属焊盘被安装在所述绝缘部件上；以及第二金属端子，被设置在所述绝缘部件的所述背面上。所述受光元件的输出与所述开关元件的控制电极电连接。所述第二金属端子与所述金属焊盘电连接。在从所述背面朝向所述表面的第一方向上，所述绝缘部件具有第一厚度，所述金属焊盘具有第二厚度，所述第二金属端子具有第三厚度。所述第一厚度比将所述第二厚度与所述第三厚度相加而得到的厚度薄。
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公开(公告)号：CN113257946A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010781752.1
申请日：2020-08-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L31/153 , H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/492
摘要： 本发明提供一种光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件；第1电极板；以及密封部件。上述第1开关元件具有与上述第1输出端子连接的第1主端子、与上述第2输出端子连接的控制端子、以及第2主端子。上述第1电极板的上表面与上述第2主端子连接。上述密封部件覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面露出上述第1电极板的下表面。上述第1电极板的下表面和上述密封部件的下表面构成同一平面。
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公开(公告)号：CN117747606A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310087577.X
申请日：2023-02-09
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/62 , H01L31/02 , H01L23/495
摘要： 本实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备输入侧引线上的发光元件以及输出侧引线上的开关元件和受光元件。所述输出侧引线隔着所述发光元件而与所述输入侧引线相面对。所述开关元件位于所述发光元件与所述输出侧引线之间。所述开关元件具有与所述发光元件相面对的表面侧电极和与所述表面侧电极一起设置在与所述发光元件相面对的表面侧的控制焊盘。所述受光元件经由绝缘构件连接在所述开关元件的所述表面侧电极上，且位于所述开关元件与所述发光元件之间。所述受光元件具有经由第一导电构件与所述开关元件的所述控制焊盘电连接的第一接合焊盘、以及经由第二导电构件与所述开关元件的所述表面侧电极电连接的第二接合焊盘。
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公开(公告)号：CN113257947A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010782829.7
申请日：2020-08-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L31/153 , H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/492
摘要： 本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置，高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件，设置在上述受光元件的侧方，在上表面上设置有第1主端子以及控制端子，在下表面上设置有第2主端子，上述第1主端子与上述第1输出端子连接，上述控制端子与上述第2输出端子连接；第1电极板，上表面与上述第2主端子连接；以及密封部件，覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面中露出上述第1电极板的下表面。
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公开(公告)号：CN113257947B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010782829.7
申请日：2020-08-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L31/153 , H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/492
摘要： 本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置，高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件，设置在上述受光元件的侧方，在上表面上设置有第1主端子以及控制端子，在下表面上设置有第2主端子，上述第1主端子与上述第1输出端子连接，上述控制端子与上述第2输出端子连接；第1电极板，上表面与上述第2主端子连接；以及密封部件，覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面中露出上述第1电极板的下表面。
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公开(公告)号：CN115995461A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210876295.3
申请日：2022-07-25
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 实施方式提供改善高频特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：绝缘部件；受光元件，安装于绝缘部件的表面上；发光元件，安装于受光元件上，并与受光元件光耦合；开关元件，在绝缘部件的表面上与受光元件并排，并与受光元件电连接；第一金属端子，设于绝缘部件的与表面为相反侧的背面上，并与发光元件电连接；第二金属端子，设于绝缘部件的背面上，并与开关元件电连接；金属反射板，在绝缘部件的表面上，设于受光元件的附近；第一树脂部件，在受光元件上覆盖发光元件；以及第二树脂部件，在绝缘部件的表面上覆盖受光元件发光元件、第一树脂部件、开关元件以及金属反射板。
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公开(公告)号：CN111211198A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910623904.2
申请日：2019-07-11
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L31/12
摘要： 本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。
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公开(公告)号：CN113257946B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010781752.1
申请日：2020-08-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L31/153 , H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/492
摘要： 本发明提供一种光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件；第1电极板；以及密封部件。上述第1开关元件具有与上述第1输出端子连接的第1主端子、与上述第2输出端子连接的控制端子、以及第2主端子。上述第1电极板的上表面与上述第2主端子连接。上述密封部件覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面露出上述第1电极板的下表面。上述第1电极板的下表面和上述密封部件的下表面构成同一平面。
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公开(公告)号：CN117153799A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310064876.1
申请日：2023-02-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/31 , H01L23/29
摘要： 本实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板、受光元件、开关元件及发光元件。所述基板具有树脂基材和所述树脂基材的第一面上的第一至第三金属焊盘。所述受光元件具有：背面，经由第一连接部件与所述第一、第二金属焊盘及所述第一、第二金属焊盘间的所述第一面的一部分连接；和设置在与所述背面相反一侧的表面的第一、第二接合焊盘。所述第一及第二接合焊盘分别在与所述第一面垂直的方向上设置在与所述第一及第二金属焊盘的某一个重叠的位置。所述开关元件经由第二连接部件与所述第三金属焊盘连接，与所述受光元件的所述第一、第二接合焊盘电连接，所述发光元件隔着第三连接部件设置在所述受光元件的所述表面上。
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公开(公告)号：CN111211198B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910623904.2
申请日：2019-07-11
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L31/12
摘要： 本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。
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