公开(公告)号：CN113423857A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080014352.6

申请日：2020-02-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 生内俊光 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  高桥正弘 ,  中山智则 ,  金川朋贤 ,  山崎舜平

IPC分类号： C23C14/08 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  G01N23/20058 ,  G01N23/2055 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

摘要： 提供一种电特性高的金属氧化物膜。提供一种可靠性高的金属氧化物膜。金属氧化物膜包含铟、M(M是铝、镓、钇或锡)及锌。在根据从垂直于金属氧化物膜的膜面的方向照射电子束的电子衍射决定的面间隔d的分布中，金属氧化物膜具有第一峰以及第二峰。第一峰的顶点位于0.25nm以上且0.30nm以下的范围内，第二峰的顶点位于0.15nm以上且0.20nm以下的范围内。该面间隔d的分布是利用金属氧化物膜的多个区域中的多个电子衍射图案而得到的。电子衍射通过使用电子束径为0.3nm以上且10nm以下的电子束进行。

公开(公告)号：CN113906570A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080041170.8

申请日：2020-06-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 金川朋贤 ,  高桥正弘

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

摘要： 提供一种新颖金属氧化物。该金属氧化物具有结晶，结晶具有层叠有第一层、第二层和第三层的结构，第一层、第二层以及第三层都大致平行于金属氧化物的被形成面，第一层包含第一金属及氧，第二层包含第二金属及氧，第三层包含第三金属及氧，第一层具有八面体形结构，第二层具有三角双锥形结构或四面体形结构，第三层具有三角双锥形结构或四面体形结构，所述第一层所具有的八面体形结构在中心具有第一金属的原子，第二层所具有的三角双锥形结构或四面体形结构在中心具有第二金属的原子，第三层所具有的三角双锥形结构或四面体形结构在中心具有第三金属的原子，第一金属的化合价与第二金属的化合价相同，第一金属的化合价与第三金属的化合价不同。

公开(公告)号：CN114616677A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080075441.1

申请日：2020-10-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  金川朋贤

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

摘要： 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极地配置的层间绝缘膜、以及氧化物半导体膜上的栅电极，其中层间绝缘膜以与源电极与漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，源电极及漏电极具有压缩应力。