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公开(公告)号：CN113675275A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110965455.7
申请日：2014-11-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/45 , H01L49/02
摘要： 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
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公开(公告)号：CN117116946A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310860817.5
申请日：2018-05-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H10N97/00 , G02F1/136 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09F9/35
摘要： 本发明提供一种电特性良好的半导体装置、一种电特性稳定的半导体装置、或者一种可靠性高的半导体装置或显示装置。在第一金属氧化物层的第一区域上层叠第一绝缘层及第一导电层，以与第一金属氧化物层的不重叠于第一绝缘层的第二区域以及第二金属氧化物层接触的方式形成第一层，进行加热处理以使第二区域及第二金属氧化物层低电阻化，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第二区域电连接的第二导电层。此时，以使其包含铝、钛、钽和钨中的至少一种的方式形成第一层。
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公开(公告)号：CN105793994B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201480064849.3
申请日：2014-11-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L51/50 , H05B33/14
摘要： 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
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公开(公告)号：CN108473334A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680077344.X
申请日：2016-12-21
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C01G15/00 , C23C14/08 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
摘要： 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
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公开(公告)号：CN113423857A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014352.6
申请日：2020-02-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23C14/08 , C01G15/00 , C01G19/00 , G01N23/20058 , G01N23/2055 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
摘要： 提供一种电特性高的金属氧化物膜。提供一种可靠性高的金属氧化物膜。金属氧化物膜包含铟、M(M是铝、镓、钇或锡)及锌。在根据从垂直于金属氧化物膜的膜面的方向照射电子束的电子衍射决定的面间隔d的分布中，金属氧化物膜具有第一峰以及第二峰。第一峰的顶点位于0.25nm以上且0.30nm以下的范围内，第二峰的顶点位于0.15nm以上且0.20nm以下的范围内。该面间隔d的分布是利用金属氧化物膜的多个区域中的多个电子衍射图案而得到的。电子衍射通过使用电子束径为0.3nm以上且10nm以下的电子束进行。
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公开(公告)号：CN107406966B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201680013345.8
申请日：2016-02-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23C14/08 , G09F9/30 , H01L21/363 , H01L29/786
摘要： 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm‑2eV‑1的区域。
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公开(公告)号：CN110651358A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880033195.6
申请日：2018-05-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/14
摘要： 本发明提供一种电特性良好的半导体装置、一种电特性稳定的半导体装置、或者一种可靠性高的半导体装置或显示装置。在第一金属氧化物层的第一区域上层叠第一绝缘层及第一导电层，以与第一金属氧化物层的不重叠于第一绝缘层的第二区域以及第二金属氧化物层接触的方式形成第一层，进行加热处理以使第二区域及第二金属氧化物层低电阻化，形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第二区域电连接的第二导电层。此时，以使其包含铝、钛、钽和钨中的至少一种的方式形成第一层。
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公开(公告)号：CN112514079A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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公开(公告)号：CN111602253A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880081313.0
申请日：2018-12-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/477
摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一绝缘层及第一导电层。半导体层具有岛状的顶面形状。第一绝缘层以与半导体层的顶面及侧面接触的方式设置。第一导电层位于第一绝缘层上并具有与半导体层重叠的部分。另外，半导体层包含金属氧化物，第一绝缘层包含氧化物。半导体层具有与第一导电层重叠的第一区域以及不与第一导电层重叠的第二区域。第一绝缘层具有与第一导电层重叠的第三区域以及不与第一导电层重叠的第四区域。另外，第二区域及第四区域包含磷或硼。
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公开(公告)号：CN107406966A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680013345.8
申请日：2016-02-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23C14/08 , G09F9/30 , H01L21/363 , H01L29/786
摘要： 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm-2eV-1的区域。
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