公开(公告)号：CN111542914A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201880083766.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  鸭川知世 ,  栃林克明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第三绝缘体、第二导电体上的第四绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第五绝缘体、位于第五绝缘体上且与第三氧化物重叠的第三导电体、覆盖第一至第五绝缘体、第一氧化物、第二氧化物及第一至第三导电体的第六绝缘体以及第六绝缘体上的第七绝缘体，其中第六绝缘体与第一绝缘体的顶面的一部分、第二绝缘体的侧面、第五绝缘体的侧面、第一至第三氧化物的侧面、第一至第三导电体的侧面及第三导电体的顶面接触。

公开(公告)号：CN111954932B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980009097.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野中裕介 ,  石原典隆 ,  平松智记 ,  本田龙之介 ,  鸭川知世 ,  方堂凉太 ,  栃林克明 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。

公开(公告)号：CN111954932A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980009097.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野中裕介 ,  石原典隆 ,  平松智记 ,  本田龙之介 ,  鸭川知世 ,  方堂凉太 ,  栃林克明 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。