公开(公告)号：CN111316448A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072450.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平松智记 ,  野中裕介 ,  石原典隆 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种高可靠性半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的彼此分离的第一导电体及第二导电体；第二氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘膜；以及隔着第三氧化物及第二绝缘膜位于第二氧化物上的第三导电体，并且第三氧化物包含金属元素及氮，该金属元素与氮键合。

公开(公告)号：CN111819670B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201980017323.2

申请日：2019-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  平松智记

IPC: H01L21/336 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种电特性及可靠性良好的叠层体。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；以及绝缘体与导电体之间的第一氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，并且，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；绝缘体与导电体之间的第一氧化物；以及隔着绝缘体与第一氧化物对置的第二氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直，第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域，并且，第二结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第二氧化物的面大致垂直。

公开(公告)号：CN110088913A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780079200.2

申请日：2017-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平松智记 ,  本田龙之介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体。第二氧化物的厚度为第二氧化物的沟道宽度方向上的长度以上。第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域。第二氧化物的侧面的载流子密度大于第二氧化物的顶面的载流子密度。

公开(公告)号：CN111819670A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980017323.2

申请日：2019-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  平松智记

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种电特性及可靠性良好的叠层体。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；以及绝缘体与导电体之间的第一氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，并且，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；绝缘体与导电体之间的第一氧化物；以及隔着绝缘体与第一氧化物对置的第二氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直，第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域，并且，第二结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第二氧化物的面大致垂直。

公开(公告)号：CN111954932B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980009097.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野中裕介 ,  石原典隆 ,  平松智记 ,  本田龙之介 ,  鸭川知世 ,  方堂凉太 ,  栃林克明 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。

公开(公告)号：CN111954932A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980009097.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野中裕介 ,  石原典隆 ,  平松智记 ,  本田龙之介 ,  鸭川知世 ,  方堂凉太 ,  栃林克明 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。