公开(公告)号：CN108780757B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN113571588A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110854378.8

申请日：2016-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鸟海聪志 ,  浜田崇 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  本田龙之介 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/417 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。

公开(公告)号：CN107710392A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680021254.9

申请日：2016-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鸟海聪志 ,  浜田崇 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  本田龙之介 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。

公开(公告)号：CN111542880B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980007097.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 国武宽司 ,  本田龙之介 ,  热海知昭

IPC: G11C11/4074 ,  G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C11/405 ,  G11C29/50 ,  H10B12/00 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种可以取得晶体管的阈值电压的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第一电容器、第一输出端子、第一开关以及第二开关。第一晶体管的栅极与源极电连接。第一电容器的第一端子与源极电连接。第一电容器的第二端子及第一输出端子与第一晶体管的背栅极电连接。第一开关控制向背栅极的第一电压的输入。第一晶体管的漏极被输入第二电压。第二开关控制向源极的第三电压的输入。

公开(公告)号：CN110088913A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780079200.2

申请日：2017-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平松智记 ,  本田龙之介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体。第二氧化物的厚度为第二氧化物的沟道宽度方向上的长度以上。第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域。第二氧化物的侧面的载流子密度大于第二氧化物的顶面的载流子密度。

公开(公告)号：CN115241045B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202210902715.0

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/02 ,  H10D30/67 ,  H10D86/60 ,  H10D62/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN107710392B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201680021254.9

申请日：2016-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鸟海聪志 ,  浜田崇 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  本田龙之介 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。

公开(公告)号：CN112534588A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980051407.8

申请日：2019-08-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  奥野直树 ,  本田龙之介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种在高温下也稳定地进行工作的半导体装置。该半导体装置包括金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域与第一导电层重叠，第二区域与第二导电层重叠，第三区域隔着绝缘层与第三导电层重叠，相对于第三区域的载流子浓度的第一区域的载流子浓度的比值为100以上，相对于第三区域的载流子浓度的第二区域的载流子浓度的比值为100以上。

公开(公告)号：CN111954932B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980009097.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野中裕介 ,  石原典隆 ,  平松智记 ,  本田龙之介 ,  鸭川知世 ,  方堂凉太 ,  栃林克明 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。

公开(公告)号：CN115241045A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210902715.0

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。