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公开(公告)号：CN111656171A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087778.7
申请日：2018-02-21
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： G01N23/203
摘要： 化学状态分析装置(10)具备：激发源(11)，其向包含电池材料的试样(S)中的规定面内的照射区域(A)照射用于使该电池材料产生特征X射线的激发射线；分光晶体(13)，其由面向照射区域(A)设置的平板构成；狭缝(12)，其设置于照射区域(A)与分光晶体(13)之间，且与照射区域(A)及分光晶体(13)的规定的晶面平行；X射线线性传感器(15)，其是在平行于该狭缝的方向上具有长度的线状的检测元件(151)以沿垂直于狭缝(12)的方向排列的方式设置而成的；波长谱制作部(161)，其基于X射线线性传感器(15)检测出的特征X射线的强度来制作波长谱；峰值波长决定部(162)，其求出峰值波长，该峰值波长是所述波长谱的峰值处的波长；以及化学状态确定部(163)，其根据由峰值波长决定部(162)求出的峰值波长、以及标准曲线来求出用于确定试样(S)中的电池材料的化学状态的值，该标准曲线表示峰值波长与代表试样S中的电池材料的化学状态的值之间的关系。
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公开(公告)号：CN114720497A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210002997.9
申请日：2022-01-04
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： G01N23/223
摘要： 分光元件(12)及检测器(14)沿着一个罗兰圆(104)的圆周配设。沿着罗兰圆(104)的分光元件(12)的分光面的长度短于照射至试样支架(108)的激发射线的照射面在罗兰圆(104)的面内的长度。配设有分光元件(12)和试样支架(108)使得通过分光元件(12)的共通的分光范围对特征X射线组进行分光。
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公开(公告)号：CN1307942C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410063348.1
申请日：2004-07-08
申请人： 株式会社岛津制作所
CPC分类号： H04N5/325
摘要： 根据由于由多个具有不同衰减时间常数的指数函数形成的冲激响应引起了包含在每个X射线检测信号中的滞后部分的假设，当X射线管发射X射线时，射线照相设备从得自FPD的辐射检测信号中去除滞后部分。例如，通过使用与在荧光检查图像拾取中使用的X射线剂量和在射线照相图像拾取中使用的X射线剂量相对应的FPD的冲激响应来去除滞后部分。根据从其中去除了滞后部分的已校正辐射检测信号来创建X射线图像。
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公开(公告)号：CN1207557C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN99106101.2
申请日：1999-04-26
CPC分类号： A61B6/032
摘要： 一种为获得X射线透视图像或类似的图像使用二维射线传感器的仪器。在生产性射线成像之前用小剂量进行监控射线成像。生产性射线成像的射线成像条件，特别是射线发射周期或射线发生器的管电流是基于在监控射线成像时从二维射线传感器上感兴趣区域收集的电荷量与生产性射线成像时在感兴趣区域上要求的电荷量之比率计算的。为了获得高质量的图像，生产性射线成像将依据计算结果进行操作。
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公开(公告)号：CN1579329A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056337.0
申请日：2004-08-06
申请人： 株式会社岛津制作所
CPC分类号： G01T1/171 , A61B6/4233 , A61B6/4441 , A61B6/583 , A61B6/587 , Y10S378/901
摘要： 一种放射线照相设备，当从X射线管发出X射线时，该放射线照相设备基于以下假设从取自平板X射线检测器(FPD)的放射线检测信号中除去滞后部分：在每一X射线检测信号中包括的滞后部分是由于由多个具有不同衰减时间常数的指数函数构成的脉冲响应引起的。当临时设置单一衰减时间常数和强度时，检查在X射线发射态之后的X射线非发射态下到X射线检测信号的噪声级的衰减是否发生了。当发现设定的衰减时间常数和强度是适当的(OK)，确定具有单一指数函数的脉冲响应有效。通过利用确定的脉冲响应除去滞后部分，获得校正的放射线检测信号。
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公开(公告)号：CN102257617A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150770.1
申请日：2009-10-29
申请人： 株式会社岛津制作所
发明人： 足立晋
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/336 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/14658 , H01L27/14683 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开一种光矩阵器件的制造方法，由于是在真空中形成最影响薄膜晶体管的特性的半导体膜和栅极绝缘膜(S12、S13)，因此半导体膜和栅极绝缘膜的界面不会被污染。另外，虽然半导体膜和栅极绝缘膜在真空中形成，但对于配线来说，可以不在真空中形成(S03)。这样，因为是在预先形成的配线上转印在真空中形成的半导体膜和栅极绝缘膜(S21)，所以，即使基板为大面积，也能够高效地形成薄膜晶体管的配线、半导体膜及栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1924560B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200610126157.4
申请日：2006-08-28
申请人： 株式会社岛津制作所
发明人： 足立晋
CPC分类号： G01T1/2018 , G01T1/244
摘要： 通过气相沉积或印刷来形成包括载流子收集电极、电容器、薄膜晶体管、数据线和栅极线的读出图样的至少一部分。与半导体厚膜相分离地形成读出图样。半导体厚膜和读出图样构成平板X射线检测器(FPD)，被安装在盒中以形成一个单元。通过使用半导体厚膜代替传统的玻璃衬底，实现了重量减轻。按照这种方式制造的FPD在运输和使用期间不受较大的限制。
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公开(公告)号：CN100385922C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510062956.5
申请日：2005-03-31
申请人： 株式会社岛津制作所
摘要： 在根据本发明的射线照相装置中，当射线照相模式指定器16指定一种非标准射线照相模式时，信号纠正器15利用存储在非标准图像缺陷信息存储器18B-18E中的缺陷信息纠正从FPD 2输出的X-射线检测信号。由于非标准X-射线的像素缺陷信息是通过像素缺陷信息转换器19从存储在标准图像缺陷信息存储器18A中的标准X-射线图像的缺陷信息转换获得的，所以，不需要再次从FPD 2收集用于像素缺陷信息获得的输出信号。结果，可以不管射线检测元件是如何分配给X-射线图像中的像素的，迅速地纠正由于射线检测元件的缺陷造成的异常X-射线检测信号。
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公开(公告)号：CN1265765C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410003946.X
申请日：2004-02-10
申请人： 株式会社岛津制作所
CPC分类号： A61B6/4233 , A61B6/02 , G06T11/005 , G06T2211/412
摘要： 当X射线管发射X射线时，X光线照相设备从取自平板X射线检测器的辐射检测信号中获取除去了滞后部分的无滞后辐射检测信号。当假设由N个具有不同衰减时间常数的指数函数形成的脉冲响应引起包含于每一个所述辐射检测信号中的滞后部分时，利用递归计算去除滞后部分。由无滞后辐射检测信号创建X射线图像。
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公开(公告)号：CN1678036A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062956.5
申请日：2005-03-31
申请人： 株式会社岛津制作所
摘要： 在根据本发明的射线照相装置中，当射线照相模式指定器16指定一种非标准射线照相模式时，信号纠正器15利用存储在非标准图像缺陷信息存储器18B－18E中的缺陷信息纠正从FPD 2输出的X－射线检测信号。由于非标准X－射线的像素缺陷信息是通过像素缺陷信息转换器19从存储在标准图像缺陷信息存储器18A中的标准X－射线图像的缺陷信息转换获得的，所以，不需要再次从FPD 2收集用于像素缺陷信息获得的输出信号。结果，可以不管射线检测元件是如何分配给X－射线图像中的像素的，迅速地纠正由于射线检测元件的缺陷造成的异常X－射线检测信号。
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