公开(公告)号：CN109561864A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046916.2

申请日：2017-07-10

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  堀场日明 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC分类号： A61B6/00 ,  G01N23/041

摘要： 本X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)，其照射连续X射线；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测连续X射线；以及第三光栅(2)，其配置在检测部(5)与第一光栅(3)之间。而且，以满足规定的式的条件的方式配置第一光栅(3)、第二光栅(4)以及第三光栅(2)。

公开(公告)号：CN109561864B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780046916.2

申请日：2017-07-10

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  堀场日明 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC分类号： A61B6/00 ,  G01N23/041

摘要： 本X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)，其照射连续X射线；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测连续X射线；以及第三光栅(2)，其配置在检测部(5)与第一光栅(3)之间。而且，以满足规定的式的条件的方式配置第一光栅(3)、第二光栅(4)以及第三光栅(2)。

公开(公告)号：CN109475335A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044614.1

申请日：2017-07-10

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 堀场日明 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  佐野哲 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC分类号： A61B6/00

摘要： 该X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测X射线；调整机构(6)；以及控制部(7)，其进行基于由检测部(5)检测出的莫尔条纹图案来调整第一光栅(3)的位置偏移或第二光栅(4)的位置偏移的控制。

公开(公告)号：CN109788928B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201780059883.5

申请日：2017-07-28

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  堀场日明 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC分类号： A61B6/00 ,  G01N23/041

摘要： 提供一种能够支持多种拍摄目的的X射线相位差摄影装置。本发明的装置能够变更多缝(3b)的狭缝的排列间距以及相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距。多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系由多缝(3b)的狭缝的排列间距、相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距、以及FPD(4)的检测元件的排列间距来决定。根据本发明，通过变更其中的狭缝的排列间距和相位移位部(5a)的排列间距，能够变更多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系。

公开(公告)号：CN109788928A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059883.5

申请日：2017-07-28

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  堀场日明 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC分类号： A61B6/00 ,  G01N23/20

摘要： 提供一种能够支持多种拍摄目的的X射线相位差摄影装置。本发明的装置能够变更多缝(3b)的狭缝的排列间距以及相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距。多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系由多缝(3b)的狭缝的排列间距、相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距、以及FPD(4)的检测元件的排列间距来决定。根据本发明，通过变更其中的狭缝的排列间距和相位移位部(5a)的排列间距，能够变更多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系。

公开(公告)号：CN110914961A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。

公开(公告)号：CN110914961B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

申请人： 松下控股株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

发明人： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。