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公开(公告)号：CN102460215B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN102460215A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN103081127A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号：CN101952966B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN103081127B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101952966A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN102590844A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110400089.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/00 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及放射线摄影装置。驱动控制部根据有无像素合并、即在由栅极驱动电路每次多列地驱动开关元件的进行像素合并的情况和由栅极驱动电路每次一列地驱动开关元件的无像素合并的情况中，使由偏置电源对转换层施加的偏置电压改变。因此，在以像素合并的方式进行摄影的透视模式时，能够抑制动态范围的下降。另外，在无像素合并地进行摄影的摄影模式时，能够提高空间分辨率。即，能够与动作模式相应地使高的动态范围和空间分辨率最优化。
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公开(公告)号：CN103443653A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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公开(公告)号：CN102859691A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017676.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/14636 , Y02E10/50
Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。
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公开(公告)号：CN103443653B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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