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公开(公告)号：CN102460215B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN101952966B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN101952966A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880126583.5
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14658 , H01L27/14696 , H01L31/115 , H01L31/1185
Abstract: 本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
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公开(公告)号：CN102460215A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN101517751B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780034287.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: H01L27/14683 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101517751A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034287.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: H01L27/14683 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。
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公开(公告)号：CN112189134A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980032436.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/041
Abstract: 本X射线成像装置(100)具备摄像系统(CS)、移动机构(8)、位置信息获取部(7a)、以及图像处理部(6)，其中，所述摄像系统(CS)包括X射线源(1)、检测器(5)以及多个光栅，所述图像处理部(6)基于多个X射线图像(10)和获取到的断层位置(z+jd)来获取断层面(40)中的相位分布，由此生成断层面的相位对比度图像(16)。
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公开(公告)号：CN105939847B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201580006176.0
申请日：2015-01-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C14/024 , C22C21/00 , C23C14/205 , C23C16/402 , C23C16/505 , G02B5/0808
Abstract: 本发明涉及如下构造体及成膜方法，即使在使用了甲基丙烯酸系树脂等与金属薄膜之间的密接性低的树脂的情况下，所述构造体的树脂与金属薄膜仍牢固密接地层叠，所述成膜方法能制造以高密接性在与金属薄膜之间的密接性低的树脂制的工件上形成金属薄膜而成的构造体，所述构造体是利用溅射法，在甲基丙烯酸树脂制的工件(W)上形成Al薄膜(102)，由工件(W)与Al薄膜(102)层叠而成，在工件(W)与Al薄膜(102)之间包括混合有Al、Si、O、C的混合区域(101)。在混合区域(101)中，Al与Si、O、C中的任一者共价键结，或者Al与Si、O、C形成扩散混合层。
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公开(公告)号：CN1249452C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02151855.6
申请日：2002-10-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14609
Abstract: 本发明公开了一种放射线探测器。其中，在适于形成大面积的放射线感应型非晶半导体厚膜与电压施加电极的端部边缘部分之间形成高耐压绝缘物质。从而，消除电压施加电极的端部边缘部分上电场的集中，并且不再引起穿透放电或放电击穿等前级现象。
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公开(公告)号：CN113924628B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980096845.6
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 一种分光元件，其具备：对X射线进行分光的分光晶体(10)；支撑上述分光晶体(10)的第1支撑层(11)；和，支撑上述第1支撑层(11)的第2支撑层(12)，上述第1支撑层(11)具有比上述分光晶体(10)的热膨胀系数大的热膨胀系数，上述第2支撑层(12)具有比上述第1支撑层(11)的热膨胀系数小的热膨胀系数且具有比上述第1支撑层(11)的刚性大的刚性。
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