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公开(公告)号：CN115440771A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210618767.5
申请日：2022-06-01
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 一实施方式的显示装置具备：基材；多个显示元件，配置于所述基材的上方，具备第一电极、与所述第一电极对置的第二电极以及根据所述第一电极与所述第二电极之间的电压而发光的有机层；隔壁，位于相邻的所述显示元件之间；沿着所述隔壁的金属层；以及无机层，由无机材料形成，覆盖所述显示元件、所述隔壁以及所述金属层。所述隔壁具有第一部分、以及位于所述第一部分的下方且宽度比所述第一部分小的第二部分。所述金属层覆盖所述第二部分的侧面的第一区域，所述无机层覆盖所述侧面的第二区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第一部分之间。
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公开(公告)号：CN111095386A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059172.2
申请日：2018-08-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 本发明的一个实施方式的显示装置包括：具有挠性的基板；配置在所述基板的第1面上的多个像素；和沿着所述基板的一边配置的相互能够识别的多个对准标记。所述多个对准标记可以配置在相同的层。所述多个像素在包含薄膜晶体管的情况下，所述多个对准标记可以由与构成所述薄膜晶体管的金属层相同的金属层构成。
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公开(公告)号：CN117836954A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056515.6
申请日：2022-08-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , G09F9/33 , H01L21/336 , H01L33/32
Abstract: 能够提供使用了氮化镓层的半导体装置。半导体装置具有：非晶质玻璃基板；取向金属层，其设置在所述非晶质玻璃基板之上，且具有晶体取向性；第一导电型的第一氮化镓层，其设置在所述取向金属层之上；第二导电型的第二氮化镓层，其在所述第一氮化镓层之上与所述第一氮化镓层连接，具有比所述第一氮化镓层高的导电性，且包含彼此相对的源极侧第二氮化镓层和漏极侧第二氮化镓层；栅电极，其与所述第一氮化镓层相对；和位于所述第一氮化镓层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在剖视观察下位于所述源极侧第二氮化镓层与所述漏极侧第二氮化镓层之间。
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公开(公告)号：CN116848951A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180093724.3
申请日：2021-12-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H05B33/22
Abstract: 一实施方式的显示装置具备：具有开口以及上表面的肋部；配置在所述肋部的上表面的隔壁；与所述开口重叠的第1电极；具有位于所述上表面的第1端部且覆盖所述第1电极的有机层；具有位于所述上表面的第2端部且覆盖所述有机层的第2电极；配置在所述肋部之上的第1无机层；以及覆盖所述隔壁、所述第2电极以及所述第1无机层的第2无机层。所述第1无机层的至少一部分位于所述第1端部与所述隔壁之间，与所述第2无机层接触。
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公开(公告)号：CN114824110B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210065992.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 有关一实施方式的显示装置具备第一电极、配置于所述第一电极上的有机层、和覆盖所述有机层的第二电极。所述有机层包含具有第一端部的第一层、和所述第一层与所述第二电极之间的第二层。所述第二层覆盖所述第一端部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117882126A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280057474.2
申请日：2022-08-02
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 发光装置包含在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上以矩阵状配置的多个像素，以矩阵状配置的多个像素分别包含基板、基板之上的导电性取向层、导电性取向层之上的第1氮化物半导体层、第1氮化物半导体层之上的包含发光层的第2氮化物半导体层和第2氮化物半导体层之上的电极层，第1氮化物半导体层及第2氮化物半导体层设置为岛状，基板以为以矩阵状配置的多个像素所共用的方式设置。
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公开(公告)号：CN117836951A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057572.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/363 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 晶体管包含非晶质基板、非晶质基板之上的导电性取向层、包含导电性取向层之上的半导体层和与半导体层接触的极化层的异质结结构体、以及异质结结构体之上的栅电极，异质结结构体在与栅电极重叠的区域中包含凹部。上述凹部可以设置于极化层，也可以设置于半导体层。
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公开(公告)号：CN115484732A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210598248.7
申请日：2022-05-30
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及电子设备。根据一个实施方式，电子设备具备：绝缘基材，其包括具有伸缩性的带状部、和与上述带状部连接的岛状部；有机绝缘膜，其配置于上述绝缘基材之上；无机绝缘膜，其配置于上述有机绝缘膜上；布线，其配置于上述带状部与上述有机绝缘膜之间；电气元件，其在上述岛状部处配置于上述无机绝缘膜之上、且与上述布线电连接；隔壁，其与上述岛状部及上述带状部重叠、且将上述电气元件包围；和密封膜，其覆盖上述电气元件。
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公开(公告)号：CN115440772A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210623964.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 根据一实施方式，电子设备具备：基材；第一绝缘层，配置在所述基材之上；下部电极，配置在所述第一绝缘层之上；第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层之上，具有与所述下部电极重叠的开口部；有机层，在所述开口部覆盖所述下部电极；上部电极，覆盖所述有机层；以及隔壁，配置在所述第二绝缘层之上，所述隔壁具备：第一层，由金属材料形成，具有与所述上部电极相接的第一侧面；第二层，配置在所述第一层之上，从所述第一侧面朝向所述开口部伸出；以及保护层，由与所述有机层不同的材料形成，覆盖所述第二层的至少上表面。
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公开(公告)号：CN117836959A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057169.3
申请日：2022-08-04
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 氮化镓系半导体器件包含无定形基板、无定形基板上的导电性取向层、导电性取向层上的氮化镓系半导体层、和与导电性取向层相接的辅助电极层。导电性取向层优选为经c轴取向的金属膜或金属氧化物膜，辅助电极层以将导电性取向层的外周部包围的方式设置。
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