公开(公告)号：CN106773418A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710036815.9

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 石垣利昌 ,  高桥文雄 ,  栗山英树

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。

公开(公告)号：CN103389605B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310114477.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 石垣利昌 ,  高桥文雄 ,  栗山英树

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。

公开(公告)号：CN103389605A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310114477.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社日本显示器东

Inventor： 石垣利昌 ,  高桥文雄 ,  栗山英树

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78606 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在高精细画面中，通过使连接源电极与像素电极的通孔的直径减小，使像素的透射率提高，使像素亮度提高。在像素内配置有TFT和突起(BK)，TFT的源电极(ST)覆盖突起地延伸，覆盖TFT和突起地形成无机钝化膜(PAS)，覆盖TFT上的所述无机钝化膜地形成有机钝化膜(IN)，覆盖有机钝化膜地形成对置电极(CT)，覆盖对置电极地形成上部绝缘膜(UPS)，在上部绝缘膜上形成像素电极(PX)，像素电极在突起上经由在所述无机钝化膜(PAS)以及上部绝缘膜(UPS)形成的连接孔(CH)与源电极导通。由此能够使通孔(CH)的直径减小，能够使像素的透射率提高。