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公开(公告)号：CN88101032A
公开(公告)日：1988-09-21
申请号：CN88101032
申请日：1988-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L39/2496 , H01L39/225 , H01L39/228 , H01L2924/0002 , Y10S505/70 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , H01L2924/00
摘要： 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的G一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。
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公开(公告)号：CN105874353A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480063626.5
申请日：2014-10-08
申请人： 株式会社日立制作所
摘要： 放射线检测元件(1)具备以铊离子与溴离子结合而成的化合物即离子电子混合传导体为原材料的结晶部(10)、在该结晶部(10)的一个面上形成的金属电极(13a)、以及在与形成有该金属电极(13a)的面相对的面上形成的金属电极(13b)，结晶部(10)在形成有金属电极(13a、13b)的面上具有金属含有部(12)，所述金属含有部(12)含有将溴元素选择性地去除以使铊离子成为中性而得到的铊。由此，可提供抑制了极化所引起的问题的产生、可实用的放射线检测元件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106062258B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201480076252.0
申请日：2014-10-08
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C30B13/08 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B13/14 , C30B13/16 , C30B29/12 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/002 , C30B35/007
摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
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公开(公告)号：CN104081225A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006840.2
申请日：2013-01-25
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 小南信也
CPC分类号： G01T1/244 , A61B6/4258 , A61B6/4266 , G01T1/24 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/085
摘要： 本发明提供一种溴化铊半导体放射线检测器、以及使用了其的核医学诊断装置，所述溴化铊半导体放射线检测器即使在长时间的测量中也噪声增大少并且可获得稳定的测量性能。在使用溴化铊作为由负电极以及正电极(112、113)夹持的半导体晶体(111)而成的半导体放射线检测器(101A)中，形成了如下构成：用钝化层(114)被覆了半导体晶体(111)的表面之中除了被负电极或者正电极(112、113)被覆的面以外的剩余面，该钝化层(114)由铊的氟化物、铊的氯化物这两种物质之中的任一种物质、或者前述两种物质之中的任一种物质与铊的溴化物的混合物构成。
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公开(公告)号：CN106062258A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076252.0
申请日：2014-10-08
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C30B13/08 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B13/14 , C30B13/16 , C30B29/12 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/002 , C30B35/007
摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
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公开(公告)号：CN1007480B
公开(公告)日：1990-04-04
申请号：CN88101032
申请日：1988-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L39/2496 , H01L39/225 , H01L39/228 , H01L2924/0002 , Y10S505/70 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , H01L2924/00
摘要： 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的C一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。
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