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公开(公告)号:CN104795487B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201510090484.8
申请日:2006-07-28
申请人: 美国超导公司
CPC分类号: H01L39/143 , H01L39/248 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702
摘要: 本发明涉及高温超导体导线的结构,尤其涉及层叠的超导体导线。该层叠的超导体导线包括超导体导线组件,其包含第一超导体插入物和第二超导体插入物,该第一超导体插入物包含覆盖在第一基片上的第一高温超导体层,该第二超导体插入物包含覆盖在第二基片上的第二高温超导体层。第一和第二超导体插入物在其各自的基片处结合在一起。导电结构体基本上围绕该超导体导线组件。
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公开(公告)号:CN1029057C
公开(公告)日:1995-06-21
申请号:CN91108930.6
申请日:1991-09-09
申请人: 株式会社岛津制作所
发明人: 品田惠
CPC分类号: G01R33/0358 , H01L39/223 , Y10S505/702 , Y10S505/846
摘要: 本发明提供一种DC-SQUID元件及其制造方法,它是在基板上将超导薄膜图案成形,制出SQUID环、反电极、调制线圈以及输入线圈,并将它们叠成层,SQUID环和反电极由通过势垒层的微桥在两处弱连接,得到两个约瑟夫逊结,其中,上述SQUID环是设置在元件的最下层,而反电极设置在最上层。用上述方法制成的DC-SQUID元件可调整临界电流值。
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公开(公告)号:CN1031621A
公开(公告)日:1989-03-08
申请号:CN88106291
申请日:1988-08-25
申请人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 山崎舜平
CPC分类号: C04B41/009 , C04B35/4504 , C04B35/64 , C04B41/48 , C04B41/83 , H01L39/126 , H01L39/2419 , H01L39/247 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T428/239 , Y10T428/31511 , Y10T428/3158 , Y10T428/31721 , C04B35/45
摘要: 具有高Tc的超导体陶瓷材料的制备方法,包括在烧结之前将陶瓷各组分与一种醇或氟利昂混合。醇或氟利昂的作用是在烧结时还原陶瓷,因而可将过量的氧由超导结构中除去。然后将超导体陶瓷用有机树脂薄膜涂覆,用于避免空气的作用。
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公开(公告)号:CN101292369A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200680027034.3
申请日:2006-07-28
申请人: 美国超导公司
IPC分类号: H01L39/02
CPC分类号: H01L39/143 , H01L39/248 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702
摘要: 层叠的超导体导线包括超导体导线组件,其包含第一超导体插入物和第二超导体插入物,该第一超导体插入物包含覆盖在第一基片上的第一高温超导体层,该第二超导体插入物包含覆盖在第二基片上的第二高温超导体层。第一和第二超导体插入物在其各自的基片处结合在一起。导电结构体基本上围绕该超导体导线组件。
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公开(公告)号:CN1044869A
公开(公告)日:1990-08-22
申请号:CN89109655.8
申请日:1989-12-31
申请人: 富士通株式会社
发明人: 今中佳彦
CPC分类号: C04B35/63416 , B32B18/00 , C04B35/45 , C04B35/4504 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , C04B35/634 , C04B35/63424 , C04B35/6365 , C04B35/645 , C04B2235/6567 , C04B2235/663 , C04B2237/343 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01L21/4857 , H01L21/76891 , H01L23/49888 , H01L23/5383 , H01L39/2429 , H01L39/2464 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T428/23 , Y10T428/239 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种多层超导电路衬底,它包括绝缘层和位于绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接模块,借助于超导陶瓷材料通孔将超导陶瓷材料模块连通。超导陶瓷材料的模块最好用金、银、铂及其合金封装。
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公开(公告)号:CN1007480B
公开(公告)日:1990-04-04
申请号:CN88101032
申请日:1988-02-27
申请人: 株式会社日立制作所
CPC分类号: H01L39/2496 , H01L39/225 , H01L39/228 , H01L2924/0002 , Y10S505/70 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , H01L2924/00
摘要: 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型,和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba,Sr,Ca,Mg和Ra中的至少一种元素;选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素;Cu;和O。超导体晶体的C一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。
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公开(公告)号:CN1031911A
公开(公告)日:1989-03-22
申请号:CN88106594
申请日:1988-09-07
申请人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 山崎舜平
CPC分类号: H01L39/247 , H01L39/225 , H01L39/228 , H01L39/249 , H01L39/2496 , Y10S505/702 , Y10S505/706 , Y10S505/725
摘要: 描述了一种约瑟夫森器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超陶瓷膜,且该局部锝超导的陶瓷膜,以形成分隔两个超导区的势垒膜。这种锝超导是采用离子注入技术将一种锝超导元素加入陶瓷膜而进行的。
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公开(公告)号:CN1030997A
公开(公告)日:1989-02-08
申请号:CN88104739
申请日:1988-07-28
申请人: 菲利浦光灯制造公司
IPC分类号: H01B12/06
CPC分类号: H01L39/2461 , Y10S428/901 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , Y10T29/49014 , Y10T428/24917
摘要: 本发明防止YBa2Cu3O7-8超导薄层与衬底起反应的特征在于,至少该衬底的表面是由一种具有这样成分的化合物组成的,在Y2O3-BaO-CuO相图中,这种化合物与YBa2Cu3O7-8位于一条偏析线上。
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公开(公告)号:CN88101032A
公开(公告)日:1988-09-21
申请号:CN88101032
申请日:1988-02-27
申请人: 株式会社日立制作所
CPC分类号: H01L39/2496 , H01L39/225 , H01L39/228 , H01L2924/0002 , Y10S505/70 , Y10S505/702 , Y10S505/703 , Y10S505/704 , H01L2924/00
摘要: 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型,和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba,Sr,Ca,Mg和Ra中的至少一种元素;选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素;Cu;和O。超导体晶体的G一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。
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公开(公告)号:CN104795487A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201510090484.8
申请日:2006-07-28
申请人: 美国超导公司
CPC分类号: H01L39/143 , H01L39/248 , Y10S428/93 , Y10S505/701 , Y10S505/702
摘要: 本发明涉及高温超导体导线的结构,尤其涉及层叠的超导体导线。该层叠的超导体导线包括超导体导线组件,其包含第一超导体插入物和第二超导体插入物,该第一超导体插入物包含覆盖在第一基片上的第一高温超导体层,该第二超导体插入物包含覆盖在第二基片上的第二高温超导体层。第一和第二超导体插入物在其各自的基片处结合在一起。导电结构体基本上围绕该超导体导线组件。
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