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公开(公告)号：CN107236989A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710441704.6
申请日：2017-06-13
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种五元稀土硼化物单晶热阴极材料及其制备方法，其组成为(CexLa(1‑x)/3Pr(1‑x)/3Nd(1‑x)/3)B6，0＜x＜1；其通过放电等离子烧结与光学区熔相结合的方法制备获得。本发明所制备的五元稀土硼化物(CexLa(1‑x)/3Pr(1‑x)/3Nd(1‑x)/3)B6单晶尺寸大(直径可达6mm)，且晶体质量高、热发射性能好。
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公开(公告)号：CN106011997A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610467354.6
申请日：2016-06-24
申请人： 北京天能运通晶体技术有限公司
摘要： 现今社会随着各种工业的快速发展，能源和电力系统的应用、信息业的发展、微电子技术、微波电子技术、光电子技术、电力电子技术、传感技术等各方都在应用半导体材料；并且随着我国一批国家重点大型和超大型水利、火力发电工程、地铁、轻轨、铁路工程的陆续开工和新兴IGBT产业的兴起对于——区熔硅单晶尤其是大直径区熔8英寸单晶的生产产能不足、工艺相对缺乏的问题更将凸现出来。8英寸区熔硅单晶生产目前主要以手动操作控制单晶生长为基础，本文围绕稳定8英寸区熔硅单晶生长过程中单晶形状问题的生产工艺，从手动生产加功率的方法、功率输出的稳定性、单晶生长的角度等着重说明这一种基于IGBT用区熔8英寸硅单晶的生产方法。
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公开(公告)号：CN105350069A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510978870.0
申请日：2015-12-24
申请人： 洛阳西格马炉业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及制备蓝宝石晶体的方法，包括炉体、真空机组及发热体，真空机组与炉体内部连通，发热体设置在炉体内，炉体内还设有隔热屏、温区分隔板、温度传感器、料盘及传动机构，本发明通过温区分隔板将隔热屏围成的空间分割成多个相对独立的温区，每个温区独立加热、独立测温、独立控制，通过不同温区的温度控制实现炉膛在水平或竖直方向上呈现一定的温度梯度，通过移动坩埚，或在坩埚、发热体、晶体都不动的情况下控制不同温区的温度实现温场的温度梯度不断移动，从而满足晶体长晶界面温度梯度的需要并实现晶体不断生长，可以制备大尺寸板状单晶，且晶体生长周期短、成品率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN109023506A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810712641.8
申请日：2018-06-29
申请人： 天津中环领先材料技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种降低区熔单晶碳含量的预热装置，包括石墨预热环及石英隔片；石墨预热环为圆柱体结构，其上顶面设有向下凹陷的碗状凹槽，碗状凹槽的底部设有通孔；石墨预热环表面环形上沿上包裹有石英隔片。本发明所述的降低区熔单晶碳含量的预热装置具有良好预热效果的同时能够有效避免多晶母料被石墨预热环碳污染的情况发生，避免单晶硅中的碳含量超标，而且有效改善石墨预热环表面易于吸附杂质进入熔区导致单晶掉苞问题。
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公开(公告)号：CN106062258B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201480076252.0
申请日：2014-10-08
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C30B13/08 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B13/14 , C30B13/16 , C30B29/12 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/002 , C30B35/007
摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
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公开(公告)号：CN108472732A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079297.2
申请日：2016-11-10
申请人： 霍伯特兄弟公司
发明人： 肖志刚
CPC分类号： C30B13/24 , B22F3/1028 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2999/00 , B23K9/044 , B23K26/0604 , B23K26/0734 , B23K26/342 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , C30B13/06 , C30B13/16 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B29/52 , C30B29/68 , Y02P10/295 , B22F2203/11 , B22F2202/07 , B22F3/1017
摘要： 本发明的实施例包含：加性制造工具(16)，被配置成接收金属材料(20)并将多个液滴(18)在零件(12)的工作区域(24)处供应到零件(12)，其中多个液滴(18)中的每一液滴(18)包括金属材料(20)；以及加热系统(26)，包括被配置成产生主激光束(58)以加热零件(12)的衬底的熔化区(50)的主激光系统(54)以及被配置成产生次激光束(62)以加热零件(12)的衬底的过渡区(52)的次激光系统(56)，其中熔化区(50)和工作区域(24)处于同一位置，并且其中过渡区(52)围绕熔化区(50)设置。
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公开(公告)号：CN106498495A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610941175.1
申请日：2016-11-02
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明提供了一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法，第一步、线圈表面喷砂：第二歩、线圈表面的超声波清洗：第三步、多晶硅真空区熔及蒸发：第四歩、线圈表面清理：第五歩、覆盖硅膜层，将第三步、第四歩的过程重复进行三次，使线圈表面被真空蒸发的硅膜层完全覆盖。利用真空区熔工艺，以高纯多晶硅为原料，采用真空蒸发的方法，对线圈表面进行包硅预处理，使线圈表面形成一个牢固附着的硅膜层。采用经预蒸发处理后的线圈作为加热线圈进行真空区熔硅单晶生长时，可完全消除真空蒸发作用对单晶生长的影响，并有效避免了因硅颗粒从线圈表面脱落进入熔区所造成的材料沾污，提高了单晶的少子寿命，满足了真空区熔硅单晶生长的需要。
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公开(公告)号：CN106062258A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076252.0
申请日：2014-10-08
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： C30B13/08 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B13/14 , C30B13/16 , C30B29/12 , C30B29/42 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/002 , C30B35/007
摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
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公开(公告)号：CN105624774A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610136787.3
申请日：2016-03-11
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于光学浮区法生长具有连续变化组分的无机材料单晶体的方法，属晶体生长领域。本发明的制备过程为：以高纯的原料按摩尔比处理反应制备多晶非连续组分原料系列。根据所期望的组分变化范围得到的原料按照有限非连续组分变化顺次排列压制料棒并烧结，再置于浮区炉中生长。该方法的特点是上下棒对接时组分相同，在生长过程中顺次渐变，有利于晶体沿失配最小的方向依次生长，生长过程中注意参数的调节，在成分变化处基于上下棒组分的渐变连续混合并由于相对旋转的搅拌作用使得熔区成分连续变化。该方法制备的晶体经检验性能良好，成分易于调控。制得的连续组分单晶将为高通量的材料表征分析和择优选取提供一种可能。
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