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公开(公告)号：CN101071803A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710084824.1
申请日：2007-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L23/532 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0021 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H05K1/097 , H05K3/105
摘要： 在由涂布制作廉价有机晶体管时，存在廉价的电极材料与半导体的接触电阻大而接触电阻小的电极材料则昂贵的问题。为了解决该问题，本发明提供材料费和制造成本低廉且与半导体的接触电阻小的高性能有机晶体管及其制造方法。制作电极本体由廉价的第一金属构成，其表面覆盖高价且高新能的第二金属这样的结构。为了廉价且稳定获得该结构，利用第一金属和第二金属的合金中第二金属易于表面偏析的性质。
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公开(公告)号：CN1776922A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510085583.3
申请日：2005-07-25
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 本发明提供廉价且容易实施的比以往有机TFT提高了沟道分子的定向性的TFT的制作方法。在基板上形成被亲液区域(14)围绕的亲液性TFT图案(19)，通过使其图案具有特征，对滴加到沟道部(12)的含有有机分子或纳米线材的流体产生自发性运动，通过该运动在沟道部定向有机分子或纳米线材。
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公开(公告)号：CN100477265C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510085583.3
申请日：2005-07-25
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 本发明提供廉价且容易实施的比以往有机TFT提高了沟道分子的定向性的TFT的制作方法。在基板上形成被亲液区域(14)围绕的亲液性TFT图案(19)，通过使其图案具有特征，对滴加到沟道部(12)的含有有机分子或纳米线材的流体产生自发性运动，通过该运动在沟道部定向有机分子或纳米线材。
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公开(公告)号：CN101064362A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710084821.8
申请日：2007-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/102
摘要： 本发明提供一种具有使沟道传导的载流子的移动度比以前的有机TFT大的值的TFT制造方法。场效应晶体管的制造方法的特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源电极和上述漏电极之间设置应成为沟道的区域，该区域与上述源电极或上述漏电极中的任一方的边界线是直线状，上述该区域和上述漏电极或上述源电极中的另一方的边界线是非直线状，而且，该边界线是连续或不连续的形状，该边界部分有多个凹部，准备上述该区域表面有亲水性、上述该区域的周围区域具有疏水性的构件，向上述该区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述溶液。
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公开(公告)号：CN1249783C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02126975.0
申请日：2002-07-26
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L29/66537 , H01L21/3003 , H01L21/823807 , H01L29/1083 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/7834
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。
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公开(公告)号：CN101162729A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710163065.8
申请日：2007-09-29
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L51/105 , H01L51/0545
摘要： 提供一种低成本地降低在使有机半导体进行p型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为p型动作的有机半导体进行n型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的p型沟道FET、n型沟道FET、以及互补型MOS(CMOS)晶体管。通过将具有在CMOS中的p型沟道FET的部分，原样使用易于作为p型半导体进行的动作的有机半导体，在n型沟道FET的部分使相同的有机半导体作为n型进行动作的效果的单分子膜夹在电极与半导体之间，低成本地在同一衬底上做成p型区域和n型区域。
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公开(公告)号：CN101106153A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710084820.3
申请日：2007-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要： 本发明的目的是提供在有机TFT中，对电子注入效率和空穴注入效率得以改善的电极和有机半导体组合分别进行判别的方法，实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而提供互补型TFT(CTFT)晶体管。为此，推导出通常从电极和有机半导体构成元素的物理常数推导出电极金属－有机半导体界面中真空能级位移Δ的方法。通过电化学手段使电极金属变化，制成可以控制电子注入和空穴注入的电极。通过这些电极来实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而，提供了互补型TFT(CTFT)晶体管。
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公开(公告)号：CN1428820A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02126975.0
申请日：2002-07-26
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L29/66537 , H01L21/3003 , H01L21/823807 , H01L29/1083 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/7834
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。
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公开(公告)号：CN100590862C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710084824.1
申请日：2007-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L23/532 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0021 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H05K1/097 , H05K3/105
摘要： 在由涂布制作廉价有机晶体管时，存在廉价的电极材料与半导体的接触电阻大而接触电阻小的电极材料则昂贵的问题。为了解决该问题，本发明提供材料费和制造成本低廉且与半导体的接触电阻小的高性能有机晶体管及其制造方法。制作电极本体由廉价的第一金属构成，其表面覆盖高价且高新能的第二金属这样的结构。为了廉价且稳定获得该结构，利用第一金属和第二金属的合金中第二金属易于表面偏析的性质。
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公开(公告)号：CN100559625C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710084821.8
申请日：2007-02-27
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0003 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/102
摘要： 本发明提供一种具有使沟道传导的载流子的移动度比以前的有机TFT大的值的TFT制造方法。场效应晶体管的制造方法的特征是，在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，在上述源电极和上述漏电极之间设置应成为沟道的区域，该区域与上述源电极或上述漏电极中的任一方的边界线是直线状，上述该区域和上述漏电极或上述源电极中的另一方的边界线是非直线状，而且，该边界线是连续或不连续的形状，该边界部分有多个凹部，准备上述该区域表面有亲水性、上述该区域的周围区域具有疏水性的构件，向上述该区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述溶液。
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