公开(公告)号：CN102543800B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210032364.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN102543800A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210032364.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN101148755A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710153577.6

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，其具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。