公开(公告)号：CN101527263B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910128305.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN102543800A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210032364.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN101148755A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710153577.6

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，其具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN100367459C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200480007520.X

申请日：2004-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  加贺谷彻 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/3162 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，具有反应管203、加热硅晶片200的加热器207，将三甲基铝(TMA)和臭氧(O3)交替供给至反应管203内，从而在晶片200的表面形成Al2O3膜，所述装置的特征为，具有使臭氧和TMA分别流通的供给管232a、232b、以及向反应管203内供给气体的喷嘴233，使2根供给管232a、232b在反应管203内低于晶片200附近温度的温度区域与配置于加热器207内侧的喷嘴233连接，臭氧和TMA通过喷嘴233分别供给至反应管203内。

公开(公告)号：CN1706031A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101505.7

申请日：2003-11-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  岛信人 ,  奥田和幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45536

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其包含形成了容纳基板1、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器11；开口于反应容器11、用于排出反应容器11内气体的排气口16；以及向反应容器11至少供给多种反应气体的气体供给系统70A、70B。所述气体供给系统70A、70B包括供给清洁气体的清洁气体供给单元和供给后处理用气体的后处理用气体供给单元，所述清洁气体用于除去对基板1实施所需处理时附着在反应容器11内的附着物，所述后处理用气体能够在供给清洁气体并除去了附着物之后除去反应容器11内残留的清洁气体中所含元素，所述后处理用气体包含对基板实施所需处理时使用的全部反应气体。

公开(公告)号：CN102543800B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210032364.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN100389482C

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200380101505.7

申请日：2003-11-06

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  岛信人 ,  奥田和幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45536

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其包含形成了容纳基板1、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器11；开口于反应容器11、用于排出反应容器11内气体的排气口16；以及向反应容器11至少供给多种反应气体的气体供给系统70A、70B。所述气体供给系统70A、70B包括供给清洁气体的清洁气体供给单元和供给后处理用气体的后处理用气体供给单元，所述清洁气体用于除去对基板1实施所需处理时附着在反应容器11内的附着物，所述后处理用气体能够在供给清洁气体并除去了附着物之后除去反应容器11内残留的清洁气体中所含元素，所述后处理用气体包含对基板实施所需处理时使用的全部反应气体。

公开(公告)号：CN101023515A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031629.1

申请日：2005-10-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  野田孝晓 ,  水野谦和 ,  境正宪 ,  佐藤武敏

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。

公开(公告)号：CN105321847B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410459438.6

申请日：2014-09-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 田边光朗 ,  柳泽爱彦 ,  汤浅和宏 ,  境正宪 ,  坪田康寿

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4585 ,  B05C9/14 ,  B05C11/1015 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。

公开(公告)号：CN101985747A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010243656.8

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。