公开(公告)号：CN101807524B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201010117810.7

申请日：2010-02-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 水野谦和

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明的课题在于具有实用的成膜速度并且在低温下在衬底上形成薄膜。本发明提供一种半导体装置的制造方法以及衬底处理装置，所述半导体装置的制造方法包括以下工序：将衬底暴露于原料气体中的原料气体暴露工序；将衬底暴露于改性气体中的改性气体暴露工序，所述改性气体为具有不同电负性的原子的氧化气体或氮化气体中的任一种；和将衬底暴露于催化剂中的催化剂暴露工序，通过上述工序在衬底表面形成氧化膜或氮化膜，其中，催化剂暴露工序中使用酸解离常数pKa为5～7的催化剂(但是吡啶除外)。

公开(公告)号：CN100517599C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580031629.1

申请日：2005-10-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  野田孝晓 ,  水野谦和 ,  境正宪 ,  佐藤武敏

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。

公开(公告)号：CN101527263B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910128305.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN102543800A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210032364.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN101148755A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710153577.6

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，其具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN104064498B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201410110877.6

申请日：2014-03-19

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 广濑义朗 ,  水野谦和 ,  柳田和孝 ,  大洼清吾

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 制造半导体设备的方法，包括通过执行预定次数的周期，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜，所述周期包括：将含有硅、碳和卤族元素并具有Si‑C键的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；以及将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN102543800B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210032364.9

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 境正宪 ,  水野谦和 ,  佐佐木伸也 ,  山崎裕久

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

公开(公告)号：CN104064498A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410110877.6

申请日：2014-03-19

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 广濑义朗 ,  水野谦和 ,  柳田和孝 ,  大洼清吾

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 制造半导体设备的方法，包括通过执行预定次数的周期，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜，所述周期包括：将含有硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；以及将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN100477105C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200480007523.3

申请日：2004-03-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  岛信人 ,  石丸信雄 ,  金野义和 ,  竹林基成 ,  野田孝晓 ,  水野谦和

IPC: H01L21/31 ,  H01F27/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/50 ,  H01F19/08 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。

公开(公告)号：CN101023515A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031629.1

申请日：2005-10-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  野田孝晓 ,  水野谦和 ,  境正宪 ,  佐藤武敏

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。