公开(公告)号：CN101320181B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810098644.3

申请日：2008-06-03

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 境武志 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  三宅秀和

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。

公开(公告)号：CN102419815A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110294357.1

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 齐藤辉儿 ,  宫泽敏夫 ,  长谷川笃 ,  米仓健史

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: G06F1/1684 ,  G06F21/32 ,  G06K9/00033 ,  G06K2009/00932

Abstract: 本发明提供一种光传感器。该光传感器包括：多个光传感器像素配置成矩阵状而成的光传感器阵列、以及配置在上述光传感器阵列下侧的背光源。上述光传感器阵列包括表面遮光膜(例如，Al膜)，上述表面遮光膜包括：将来自被照体的光入射到上述各光传感器像素的入射孔、以及设于上述入射孔的周围且将上述背光源的照射光向上述被照体照射的通过孔。

公开(公告)号：CN101644862B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910164457.5

申请日：2009-08-05

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 海东拓生 ,  宫泽敏夫 ,  境武志

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。

公开(公告)号：CN102445806B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110303719.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 园田大介 ,  永田彻也 ,  冈本正高 ,  木村泰一 ,  宫泽敏夫 ,  金子寿辉 ,  新田秀和

IPC: G02F1/167

CPC classification number: G02F1/167 ,  G02F2001/1676

Abstract: 本发明提供一种电泳方式显示装置。在电泳方式显示装置中，即使在增大平面电极的面积从而提高像素的亮度的情况下，也能够使隔壁电极的面积增大到与平面电极的面积为同等程度，维持存储效果，并维持图像的对比度。形成有像素，该像素在由第一基板、第二基板和隔壁所形成的区域中封入有绝缘性液体和泳动粒子。为了增大平面电极(130)从而提高像素的亮度，需要减小隔壁(110)的宽度，但该情况下，从机械强度的要求出发，需要减小隔壁(110)的高度。若减小隔壁(110)的高度，则隔壁电极的面积缩小，不能维持存储效果。为了增大隔壁电极的面积，使隔壁(110)的平面形状为锯齿状。

公开(公告)号：CN101521210B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910005799.2

申请日：2009-02-12

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 三宅秀和 ,  大植荣司 ,  海东拓生 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。

公开(公告)号：CN101521212B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200910126111.6

申请日：2009-02-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 大植荣司 ,  宫泽敏夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，该显示装置形成有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管由n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管构成，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的栅电极的上述栅极绝缘膜侧上形成由与该栅电极的材料不同的材料构成的金属层，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中至少一个半导体层上形成有LDD层。

公开(公告)号：CN101644865B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200910165701.X

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  紫垣匠

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。

公开(公告)号：CN101556784B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910133529.X

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 松本克巳 ,  安田好三 ,  安藤直久 ,  宫泽敏夫

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G2310/0289 ,  G09G2330/08

Abstract: 本发明提供一种具备电平转换电路的显示装置，可以提高电平转换动作的可靠性。在本发明的显示装置中，其特征在于，上述电平转换电路具有：半导体层由多晶硅层构成的第一薄膜晶体管；与上述第一薄膜晶体管的第二电极连接的波形整形电路；连接在上述第一薄膜晶体管的第二电极与基准电源之间的恒定电流源和开关元件，向上述第一薄膜晶体管的控制电极输入偏置电压，向上述第一薄膜晶体管的第一电极输入输入信号。

公开(公告)号：CN101527128B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910004473.8

申请日：2009-03-04

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 紫垣匠 ,  宫泽敏夫 ,  佐藤秀夫 ,  槙正博

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3655 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/06 ,  G11C19/28 ,  G11C19/287

Abstract: 本发明提供一种显示装置，其所包含的垂直驱动电路具有移位寄存电路和公共电极驱动电路，移位寄存电路具有多个根据从外部输入的传输时钟来输出公共电极驱动用脉冲的基本电路，公共电极驱动电路具有多个公共基本电路，其每一个被输入传输时钟和从移位寄存电路的各基本电路输出的各公共电极驱动用脉冲，各公共基本电路包括根据公共电极驱动用脉冲来输入交流信号的电路A；根据由电路A所输入的交流信号来对相对应的公共电极输出第一公共电压或者输出电压电平与第一公共电压不同的第二公共电压的电路B；以及根据传输时钟来保持电路B的状态的电路C。能够使对浮置存储器节点的写入次数增多，并使浮置存储器节点的相对于漏电流的时间似然提高。

公开(公告)号：CN102569309A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110294301.6

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 米仓健史 ,  宫泽敏夫 ,  长谷川笃 ,  齐藤辉儿 ,  安田好三

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14649 ,  H01L27/1461 ,  H01L31/08 ,  H01L31/103

Abstract: 本发明提供一种光传感器和具有多个光传感器像素的光传感器阵列。各光传感器像素包括：由金属膜构成的下部电极、无定形硅膜、n型无定形硅膜及上部电极，光传感器阵列包括：多条扫描线，与上述上部电极连接；多条读出线，与上述下部电极连接；扫描电路，与多条扫描线连接并在每1水平扫描期间对各扫描线依次提供第一电压的选择扫描信号；第一机构，在1水平扫描期间的消隐期间对多条读出线输入电位高于第一电压的第二电压后使多条读出线处于浮置状态；第二机构，与多条读出线连接，使1水平扫描期间内的各读出线的电压变化作为光传感器像素的传感器输出电压进行输出，该光传感器像素的下部电极与上述各读出线连接、上部电极被输入选择扫描电压。