电子射线应用装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112106166A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN201880093381.9

    申请日:2018-05-21

    Abstract: 在光激发电子源中,在以透过具有特定的厚度和折射率的透明基板为前提设计成最适合的聚光透镜中,若透明基板不同,就不能使激发光的焦点良好地形成在光电膜上。因此,在光电阴极(1)与聚光透镜(2)之间,配置在激发光的波长下具有与光电阴极的基板的折射率相等的折射率的光球面像差校正板(21)。或者,设置使向聚光透镜照射的平行光发散或会聚的光球面像差校正器(20)。由此,可抑制电子束的闪耀,能实现光激发电子源的高亮度化。

    扫描电子显微镜
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111108579A

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201780094839.8

    申请日:2017-09-29

    Abstract: 本发明提供不应用减速法的扫描电子显微镜,其抑制因BSE而激发的SE3的检测量,具备针对在样品上产生的SE1的能量筛选检测功能。该扫描电子显微镜具有:电子光学系统,其具有产生照射电子束的电子源(21)和使照射电子束会聚于样品上的物镜(12);检测器(13),其配置于电子光学系统的光轴外,检测因照射电子束照射至样品而产生的信号电子;偏转电极,其形成将信号电子引导至检测器的偏转场(26);圆盘状电极(23),其配置于比偏转场靠电子源侧,具有使照射电子束穿过的开口部;以及控制电极,其在比偏转场靠样品侧沿光轴配置,样品及物镜被设为基准电位,对圆盘状电极施加比基准电位低的电位,对控制电极施加比基准电位高的电位。

    带电粒子束装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110431649B

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN201780088310.5

    申请日:2017-03-29

    Abstract: 带电粒子束装置具备:带电粒子源,其射出带电粒子束;助推电极,其配置于带电粒子源与试样之间,形成带电粒子束的通路,并且对上述带电粒子束进行加减速;第一磁极片,其形成为覆盖助推电极;第二磁极片,其形成为覆盖第一磁极片;第一透镜线圈,其配置于第一磁极片的外侧,并且配置于上述第二磁极片的内侧,且形成第一透镜;第二透镜线圈,其配置于第二磁极片的外侧且形成第二透镜;以及控制电极,其形成于第一磁极片的前端部与第二磁极片的前端部之间,且控制形成于试样与第二磁极片的前端部之间的电场。

    扫描电子显微镜
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111108579B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201780094839.8

    申请日:2017-09-29

    Abstract: 本发明提供不应用减速法的扫描电子显微镜,其抑制因BSE而激发的SE3的检测量,具备针对在样品上产生的SE1的能量筛选检测功能。该扫描电子显微镜具有:电子光学系统,其具有产生照射电子束的电子源(21)和使照射电子束会聚于样品上的物镜(12);检测器(13),其配置于电子光学系统的光轴外,检测因照射电子束照射至样品而产生的信号电子;偏转电极,其形成将信号电子引导至检测器的偏转场(26);圆盘状电极(23),其配置于比偏转场靠电子源侧,具有使照射电子束穿过的开口部;以及控制电极,其在比偏转场靠样品侧沿光轴配置,样品及物镜被设为基准电位,对圆盘状电极施加比基准电位低的电位,对控制电极施加比基准电位高的电位。

    扫描电子显微镜
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105340051A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201480036932.X

    申请日:2014-07-11

    Abstract: 本发明的扫描电子显微镜具备:在电子束(5)通过物镜时使上述电子束减速的减速机构;配置于上述电子源与上述物镜之间且具有相对于上述电子束的光轴而轴对称的形状的感受面的第一检测器(8)以及第二检测器(7)。上述第一检测器设置在比上述第二检测器靠试样侧,专门对通过减速电场型能量过滤器(9A)后的高能量的信号电子进行检测。若将上述物镜的试样侧的前端部(13)与上述第一检测器的感受面之间的距离设为L1,并将上述物镜的上述试样侧的前端部与上述第二检测器的感受面之间的距离设为L2,则L1/L2≤5/9。由此,扫描式电子显微镜中,当应用减速法而进行低加速观察时,能够在几百倍程度的低倍率至十万倍以上的高倍率的大倍率范围内无阴影的影响地检测信号电子。并且,能够高效率地检测与二次电子相比产生量少的背向散射电子。

Patent Agency Ranking