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公开(公告)号：CN119563217A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380052142.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F17/00 , H01G4/40 , H01F27/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10D1/20 , H10D1/68
Abstract: 电子部件（101）具备：基板（1）；绝缘体层（2），沿着基板（1）的面扩展；面状导体（4），形成在基板（1）上或者绝缘体层（2）内，与基板（1）的面平行地呈面状扩展；以及电感器用导体图案（5），形成在绝缘体层（2）上或者绝缘体层（2）中。从与基板（1）的面垂直的方向观察，将电感器用导体图案（5）的形成区域和面状导体（4）重叠的区域的长尺寸方向上的长度用Ls表示，将电感器用导体图案（5）和面状导体（4）的间隔用d表示，此时，Ls/d的值为1以上且60以下。
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公开(公告)号：CN117378021A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037742.4
申请日：2022-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中矶俊幸
IPC: H01F17/00
Abstract: 本发明提供一种电子部件。电子部件(101)具备：半导体基板(1)；绝缘体层(2)，其形成在该半导体基板(1)上；下部电极(31)，其隔着绝缘体层(2)而与半导体基板(1)相向地形成；上部电极(32)；以及电介质层(4)，其隔着绝缘体层(2)而与半导体基板(1)相向地形成。通过下部电极(31)、上部电极(32)和电介质层(4)构成无源元件。在绝缘体层(2)形成有贯通该绝缘体层(2)并使下部电极(31)与半导体基板(1)导通的导通路径(5)。
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公开(公告)号：CN105814687B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201580002992.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及半导体封装及其安装结构。具备中介层(1)、搭载于中介层(1)的第一面的半导体元件(2)、形成于中介层(1)的第二面的凸块(3)、以及搭载于中介层(1)的第二面的芯片部件(10)。中介层(1)是硅中介层，半导体元件(2)被倒装芯片安装于中介层(1)的第一面，芯片部件(10)是在硅基板上通过薄膜工艺形成元件，并在单一面形成焊盘的薄膜无源元件，芯片部件(10)的焊盘经由导电性接合材料而与形成于中介层(1)的第二面的焊环连接。根据该结构，小型化的同时确保半导体封装的中介层(1)与芯片部件(10)之间的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN103907241B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380003691.4
申请日：2013-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G06K19/073 , G06K19/07779 , G06K19/07794 , H01Q7/005
Abstract: 本发明的天线装置能抑制线圈天线的Q值下降，减少噪声，从而避免空状态的发生。该天线装置包括：与供电电路(11)相连的天线谐振电路(12)；以及频率可变谐振元件(21)，该频率可变谐振元件(21)包含通过电磁场与该天线谐振电路(12)耦合的谐振电路，并且该谐振电路本身的谐振频率在预定的频带范围内可变。
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公开(公告)号：CN103907241A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201380003691.4
申请日：2013-01-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G06K19/073 , G06K19/07779 , G06K19/07794 , H01Q7/005
Abstract: 本发明的天线装置能抑制线圈天线的Q值下降，减少噪声，从而避免空状态的发生。该天线装置包括：与供电电路(11)相连的天线谐振电路(12)；以及频率可变谐振元件(21)，该频率可变谐振元件(21)包含通过电磁场与该天线谐振电路(12)耦合的谐振电路，并且该谐振电路本身的谐振频率在预定的频带范围内可变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102341904A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010216.6
申请日：2010-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L23/62 , H01L25/0756 , H01L25/167 , H01L33/0095 , H01L2224/32225 , H05B37/03
Abstract: 在电介质薄膜(5)的上下两面形成第1以及第2电极膜(4)、(6)而形成了元件主体(9)(a)。在施加动作电压时，第1以及第2电极膜(4)、(6)通过因通电引起的发热而熔融，形成球化部(13a)、(13b)、(14a)、(14b)，在电介质薄膜(5)上也产生裂缝(15)(b)。然后，该球化部膨大化，并且电介质薄膜(5)完全断开(c)，以卷入电介质薄膜(5)的端部那样的方式第1以及第2电极膜(4)、(6)熔接而一体化，形成接合部(16)、(17)、成为导通状态(d)。由此，实现即使在动作后通入大电流也以低电阻稳定地动作，并且动作前具有作为ESD对策元件的功能的反熔丝元件。
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公开(公告)号：CN119384882A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380046805.7
申请日：2023-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电子部件（101）具备基板（1）、绝缘体层（2）、形成在绝缘体层（2）内的电感器、沿着基板（1）延伸的面状导体（3、4）、以及与面状导体（3、4）导通的面状导体连接用导体（7A、7B、7C、8）。电感器具备面方向导体（5A、5B）和将面方向导体（5A、5B）彼此连接的多个电感器用过孔导体（6）。在构成具有沿着基板（1）的面的卷绕轴（WA）的螺旋状线圈的一部分的多个电感器用过孔导体（6）中的与面状导体连接用导体（7A、7B、7C、8）相邻的电感器用过孔导体（6）流过的电流的方向和在面状导体连接用导体（7A、7B、7C、8）流过的电流的方向相互相反。
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公开(公告)号：CN103891046B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280052613.9
申请日：2012-10-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K19/0726 , H01Q1/2225 , H01Q7/00 , H04B5/0031 , H04B5/0062 , H04B5/0081 , H04B5/02
Abstract: RFIC(11)包括IO端子(11P)。同样，控制IC(12)包括IO端子(12P)。可变电容元件(14)包括控制端子(14P)。该可变电容元件(14)包括根据控制电压来确定电容值的电容元件、以及对输入控制端子的电压进行分压来产生所述控制电压的电阻分压电路。RFIC(11)或控制IC(12)经由信号线(15A、15B)向可变电容元件(14)提供控制数据。可变电容元件(14)与天线线圈(13)一同构成LC并联谐振电路即天线电路，将天线电路的谐振频率定义为规定频率。
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公开(公告)号：CN105051887A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480010622.0
申请日：2014-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/329 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC classification number: H01L23/485 , H01L23/3192 , H01L23/4824 , H01L23/4827 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53233 , H01L23/53247 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L27/0255 , H01L27/0292 , H01L27/0296 , H01L27/0814 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/024 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2924/0504
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。ESD保护器件(1)具备：Si基板(10)，其在表面形成有ESD保护电路(10A)；焊盘(P1、P2)，其形成于Si基板(10)；以及再布线层(20)，其与Si基板(10)的表面对置，包括与焊盘(P1、P2)导通的端子电极(25A、25B)。端子电极(25A、25B)包括：SiN保护膜(21)，其形成于Si基板(10)的表面以便覆盖形成于树脂层(22)的开口(接触孔)所接触的区域以外的焊盘(P1、P2)的一部分；以及树脂层(22)，其比SiN保护膜(21)介电常数低，形成在SiN保护膜(21)以及端子电极(25A、25B)之间。由此，能够减少寄生电容的产生，并且消除产生的寄生电容的偏差。
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公开(公告)号：CN102473676B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080031303.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)的与电极层(23)接触的部分的最大直径大于构造变化部(29)的最大直径。
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