公开(公告)号：CN108231607A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711230600.7

申请日：2017-11-29

申请人： PEP创新私人有限公司

发明人： 周辉星

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/02 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/95001

摘要： 本发明公开了一种芯片封装方法及封装结构。所述芯片封装方法包括：将至少一个待封装芯片贴装于载板上，所述至少一个待封装芯片的背面朝上，正面朝向所述载板；形成密封层，所述密封层至少包裹在所述至少一个待封装芯片的四周；形成第一包封层，所述第一包封层覆盖在整个所述载板上，用于包封住所述至少一个待封装芯片以及所述密封层；剥离所述载板，露出所述至少一个待封装芯片的正面；在所述至少一个待封装芯片的正面通过再布线工艺完成封装。通过将待封装芯片的正面贴装于载板上，并利用密封层将待封装芯片固定在载板的预定位置上，使得后续工艺中待封装芯片的位置不易发生移动。

公开(公告)号：CN105047629B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510390848.4

申请日：2011-03-21

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 ,  黄田昊

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种影像感测元件封装构件及其制作方法，该影像感测元件封装构件，其包含有：一影像感测晶粒，其具有一主动面以及相对于该主动面的一背面，且在该主动面上设有一影像感测元件区域以及一外接垫；一直通硅晶穿孔结构，贯穿该影像感测晶粒，连接该外接垫；多层重布线路，形成在该像感测晶粒的该背面上；以及一防焊层，覆盖在该多层重布线路上。

公开(公告)号：CN107527826A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201611197121.5

申请日：2016-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邱圣翔 ,  陈孟泽 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  翁圣丰 ,  郑明达

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3107

摘要： 一种方法包括将第一半导体封装件附接在载体上，其中，第一半导体封装件包括多个堆叠半导体管芯和多个接触焊盘，在载体上方沉积第一模塑料层，其中，第一半导体封装件嵌入在第一模塑料层中，在多个接触焊盘上方形成多个导电结构，将半导体管芯附接在第一模塑料层上，在载体上方沉积第二模塑料层，其中，半导体管芯和多个导电结构嵌入在第二模塑料层中，在第二模塑料层上方形成互连结构，以及在互连结构上方形成多个凸块。本发明的实施例还涉及叠层封装件结构和方法。

公开(公告)号：CN107275323A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710613743.X

申请日：2017-07-25

申请人： 睿力集成电路有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/18 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/08057 ,  H01L2224/08245

摘要： 本发明公开了一种芯片堆栈立体封装结构，包括：存储器芯片堆栈体，存储器芯片堆栈体的一安装表面包括一覆晶接合区；重布线层，形成于存储器芯片堆栈体的安装表面上；基板，具有一窗口孔，存储器芯片堆栈体的安装表面安装于基板下，以使得存储器芯片堆栈体的覆晶接合区完整显露在基板的窗口孔中；及缓存芯片，经由窗口孔对准地设置于存储器芯片堆栈体的覆晶接合区上，缓存芯片覆晶接合于重布线层。将基板和缓存芯片分布设置于重布线层的一面，存储器芯片堆栈体设置于重布线层的另一面，通过重布线层实现了基板与缓存芯片连接，缓存芯片与存储器芯片堆栈体连接，不仅减小了封装结构的厚度，缩小了封装结构的体积，缩短了信号传输路径。

公开(公告)号：CN106997853A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610201251.5

申请日：2016-03-31

申请人： 美光科技公司

发明人： 吴铁将 ,  施信益

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50

摘要： 本发明公开了一种制作封装上封装构件的方法。先提供一载板，其上具有第一钝化层，然后于第一钝化层上形成重分布层，其中重分布层包含至少一介电层以及至少一金属层，金属层包含多数个第一凸块焊盘以及第二凸块焊盘，从介电层的一上表面暴露出来，其中第一凸块焊盘是设置于一芯片接合区，而第二凸块焊盘是设置于芯片接合区周围的一周边区，之后于第一凸块焊盘上接合至少一芯片，其中芯片是通过设置于第一凸块焊盘上的多数个凸块与重分布层电连结，最后于第二凸块焊盘上接合一晶粒封装，其中晶粒封装是通过设置于第二凸块焊盘上的多数个第二凸块与重分布层电连接。

公开(公告)号：CN106847711A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610499305.0

申请日：2016-06-29

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 高永范 ,  李宰金 ,  欧权锡

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/89 ,  H01L21/56 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L2224/89

摘要： 半导体装置及其制造方法。本发明提供一种半导体装置和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本发明的各个方面提供一种制造半导体封装的方法和一种自其所得的半导体封装，其包括：将至少一个半导体裸片附接到金属板；使用囊封剂在所述金属板上囊封所述至少一个半导体裸片；以及切割所述金属板和所述囊封剂。

公开(公告)号：CN103681563B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310263301.9

申请日：2013-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈硕懋 ,  黄渝婷

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种器件，包括金属焊盘和钝化层，其中该钝化层包括与金属焊盘的边缘部分重叠的部分。后钝化互连件(PPI)包括位于钝化层上方的迹线部分以及连接至迹线部分的焊盘部分。聚合物层包括位于PPI上方的上部分，和延伸至PPI的焊盘部分中并且被PPI的焊盘部分环绕的插塞部分。本发明还公开了集成电路中具有开口的金属焊盘。

公开(公告)号：CN105990291A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510790632.7

申请日：2015-11-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L21/568 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/14 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333

摘要： 封装件包括器件管芯，器件管芯包括位于器件管芯的顶面处的金属柱和位于金属柱的侧壁上的焊料区。模制材料环绕器件管芯，其中，模制材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层与模制材料和器件管芯重叠，其中介电层的底面与器件管芯的顶面和模制材料的顶面接触。再分布线(RDL)延伸至介电层内以电连接至金属柱。本发明的实施例还涉及用于管芯探测的结构。

公开(公告)号：CN105980840A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007271.2

申请日：2015-01-14

申请人： ams有限公司

发明人： 约亨·克拉夫特 ,  卡尔·罗拉赫尔 ,  马丁·施雷姆斯

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： H01L24/02 ,  G01N27/12 ,  G01N27/128 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。

公开(公告)号：CN103545249B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210459353.9

申请日：2012-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周孟纬 ,  郭宏瑞 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种形成后钝化互连件的方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层，在所述钝化层上沉积第一介电层，对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口，在所述第一开口的上方形成第一种子层，用导电材料填充所述第一开口，在所述第一介电层上沉积第二介电层，对所述第二介电层实施第二图案化工艺以形成第二开口，在所述第二开口上方形成凸块下金属结构，以及在所述凸块下金属结构上方设置互连凸块。