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公开(公告)号：CN118868993A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410335390.1
申请日：2024-03-22
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 提供一种高频模块和通信装置，能够抑制以通常的高频信号进行的通信的吞吐量的下降。高频模块具备第一天线端子、第二天线端子、TDD滤波器、发送滤波器、滤波器以及第一开关。第一开关具有第一公共端子、第二公共端子、第一端子、第二端子以及第三端子。滤波器与第一端子连接，TDD滤波器与第二端子连接，发送滤波器与第三端子连接。第一开关能够对第一连接状态和第二连接状态进行切换。在第一连接状态下，同时进行第一公共端子与第一端子的连接以及第一公共端子与第二端子的连接。在第二连接状态下，同时进行第一公共端子与第一端子的连接、第一公共端子与第二端子的连接以及第二公共端子与第三端子的连接。
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公开(公告)号：CN117099313A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024837.2
申请日：2022-02-25
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H04B1/38
摘要： 在同时发送不同频带中的发送信号的情况下抑制隔离度的下降。高频模块(1)具备第1功率放大器、第2功率放大器、第1开关(20)、第2开关(30)、第3开关(40)以及安装基板(100)。第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)构成为能够将第1功率放大器及第2功率放大器同时与天线端子连接。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第1开关(20)配置于第2开关(30)与第3开关(40)之间。第2开关(30)和第3开关(40)配置于安装基板(100)的第1主面(101)和第2主面(102)中的同一主面。
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公开(公告)号：CN116601760A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084917.2
申请日：2021-12-15
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01L23/00
摘要： 本发明的目的在于进一步提高电子部件的散热性。高频模块(1)具备安装基板(100)、滤波器(例如，发送滤波器41)、树脂层(120)、屏蔽层(110)以及金属构件(130)。树脂层(120)覆盖滤波器的外周面(例如，外周面41b)的至少一部分。屏蔽层(110)覆盖树脂层(120)的至少一部分。金属构件(130)配置于安装基板(100)的第一主面(101)。金属构件(130)连接于滤波器的与安装基板(100)相反的一侧的面、屏蔽层(110)以及所述安装基板(100)的第一主面(101)。
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公开(公告)号：CN112335182B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201980043407.3
申请日：2019-03-14
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 可児广幸
摘要： 前端电路(101)具备：功率放大电路(1)，其对频带不同的多个发送波进行功率放大；发送滤波器(2)，其设置于该功率放大电路(1)与天线(9)之间，使功率放大电路(1)的输出信号中的规定的发送频带通过；开关(3)，其设置于功率放大电路(1)与天线(9)之间；以及匹配电路(5)。根据是否连接匹配电路(5)的切换，来使带内载波聚合模式下的通信带内的互调失真的频带中的插入损耗比单一模式下的通信带内的互调失真的频带中的插入损耗大。
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公开(公告)号：CN112335182A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980043407.3
申请日：2019-03-14
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 可児广幸
摘要： 前端电路(101)具备：功率放大电路(1)，其对频带不同的多个发送波进行功率放大；发送滤波器(2)，其设置于该功率放大电路(1)与天线(9)之间，使功率放大电路(1)的输出信号中的规定的发送频带通过；开关(3)，其设置于功率放大电路(1)与天线(9)之间；以及匹配电路(5)。根据是否连接匹配电路(5)的切换，来使带内载波聚合模式下的通信带内的互调失真的频带中的插入损耗比单一模式下的通信带内的互调失真的频带中的插入损耗大。
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公开(公告)号：CN215186738U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121295246.8
申请日：2021-06-10
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 可児广幸
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 提供一种制造工序被简化的小型的高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a及91b)；以及第一电路部件和第二电路部件，其中，在俯视主面(91b)的情况下，模块基板(91)包括以从主面(91b)向主面(91a)侧凹陷的主面(91c)为底面的凹部区域(91R)以及位于凹部区域(91R)的外周的凸部区域(91S)，在凸部区域(91S)配置有沿主面(91b)的垂直方向延伸的、一端暴露于主面(91b)的通路导体(95v)，在主面(91a)配置有第一电路部件，在凹部区域(91R)的主面(91c)上配置有第二电路部件。
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