高频模块以及通信装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114830543B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202080084466.8

    申请日:2020-08-17

    发明人: 中泽克也

    IPC分类号: H04B1/40 H04B1/401 H04B1/38

    摘要: 实现功率放大器的消耗电流的抑制。功率放大器(11)能够在第一功率模式以及增益比第一功率模式的增益低的第二功率模式下进行动作。功率放大器(11)与第一开关(5)的第一公共端子开关(5)的3个以上的第一选择端子(51~54)中的除了至少1个第一选择端子(54)以外的2个以上的第一选择端子(51~53)连接。第一开关(5)的至少1个第一选择端子(54)与第二开关(4)的至少1个第二选择端子(44)连接。第一开关(5)能够对经由2个以上的滤波器(32A~32C)中的至少1个滤波器的第一路径与不经由2个以上的滤波器(32A~32C)中的任一个而经由至少1个第一选(50)连接。2个以上的滤波器(32A~32C)与第一

    高频模块和通信装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117099313A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202280024837.2

    申请日:2022-02-25

    IPC分类号: H04B1/38

    摘要: 在同时发送不同频带中的发送信号的情况下抑制隔离度的下降。高频模块(1)具备第1功率放大器、第2功率放大器、第1开关(20)、第2开关(30)、第3开关(40)以及安装基板(100)。第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)构成为能够将第1功率放大器及第2功率放大器同时与天线端子连接。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时,第1开关(20)配置于第2开关(30)与第3开关(40)之间。第2开关(30)和第3开关(40)配置于安装基板(100)的第1主面(101)和第2主面(102)中的同一主面。

    高频模块以及通信装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114830543A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202080084466.8

    申请日:2020-08-17

    发明人: 中泽克也

    IPC分类号: H04B1/40 H04B1/401 H04B1/38

    摘要: 实现功率放大器的消耗电流的抑制。功率放大器(11)能够在第一功率模式以及增益比第一功率模式的增益低的第二功率模式下进行动作。功率放大器(11)与第一开关(5)的第一公共端子(50)连接。2个以上的滤波器(32A~32C)与第一开关(5)的3个以上的第一选择端子(51~54)中的除了至少1个第一选择端子(54)以外的2个以上的第一选择端子(51~53)连接。第一开关(5)的至少1个第一选择端子(54)与第二开关(4)的至少1个第二选择端子(44)连接。第一开关(5)能够对经由2个以上的滤波器(32A~32C)中的至少1个滤波器的第一路径与不经由2个以上的滤波器(32A~32C)中的任一个而经由至少1个第一选择端子(54)的第二路径进行切换。

    通信模块
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108233973A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711081411.8

    申请日:2017-11-06

    IPC分类号: H04B1/40 H04B1/00

    摘要: 本发明提供一种在抑制电路规模的增大的同时应对多个通信方式的通信模块。通信模块具备:功率放大器,将第一通信方式或第二通信方式的发送信号放大,并将放大信号输出到信号路径;开关电路,根据与发送信号的通信方式相应地供给的控制信号,将放大信号切换输出到第一通信方式或第二通信方式用的信号路径;以及阻抗匹配电路,设置在功率放大器与开关电路之间,包含第一可变电容元件,根据发送信号的通信方式对第一可变电容元件的电容值进行控制。

    高频模块和通信装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111526227B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010079663.2

    申请日:2020-02-04

    IPC分类号: H04M1/02

    摘要: 提供一种高频模块和通信装置。该高频模块是提高了散热性的两面安装型的高频模块。高频模块(1)具备:安装基板(30),其具有主面(30a及30b);功率放大器(14),其安装于主面(30a);半导体IC(80),其安装于主面(30b);连接端子(41),其配置于相对于安装基板(30)而言的主面(30b)侧,与外部基板连接;多个通路导体(51及52),它们与功率放大器(14)连接,贯通安装基板(30);以及金属块(50),其安装于主面(30b),与多个通路导体(51及52)及连接端子(41)连接,其中,在俯视安装基板(30)的情况下,功率放大器(14)与多个通路导体(51及52)重叠,金属块(50)与多个通路导体(51及52)重叠。