-
公开(公告)号：CN101828212B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN200880112242.2
申请日：2008-10-23
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G02F1/1343 , G09F9/00 , C23C14/14 , C23C14/34 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01L23/53233 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，其电阻率比现有Cu合金膜低，且，不形成阻挡金属层时，在其和透明导电膜之间也可以实现低接点电阻的直接连接，应用于液晶显示器时，可以给予高的显示品质。本发明涉及在基板上与透明导电膜直接连接的显示装置用Cu合金膜，其特征在于，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.1～0.5原子％的选自Ni、Zn、Fe及Co的一种以上。
-
公开(公告)号：CN103460351A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015108.7
申请日：2012-03-13
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01B5/02 , H01L21/28 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/165 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L21/28008 , H01L21/32051
摘要： 本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。
-
公开(公告)号：CN101919060B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980101632.4
申请日：2009-01-15
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , C22C21/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/458
摘要： 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。
-
公开(公告)号：CN102169905A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110036949.3
申请日：2011-02-10
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/45 , C22C9/05 , C22C9/04 , C22C9/00
摘要： 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触，接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子％以上20原子％以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种)，所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。
-
公开(公告)号：CN101542696B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
-
公开(公告)号：CN100561319C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200510081886.8
申请日：2005-07-06
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/1368
摘要： 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子%的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。
-
公开(公告)号：CN1847448A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073570.9
申请日：2006-04-10
申请人： 株式会社神户制钢所
摘要： 一种主要包含Al的Al基溅射靶的凹面缺陷总数为45000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.2μm或更大和当量面积直径为0.2μm或更大，所述的单位表面积为相当于溅射面的所述溅射靶表面的单位表面积。另一种Al基溅射靶在该表面上的凹面缺陷总数为15000或更少/平方毫米单位表面积，所述的凹面缺陷的最大深度为0.1μm或更大和当量面积直径为0.5μm或更大。这些溅射靶减少了在它们使用时发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量，特别是在它们使用的早期阶段发生的溅射故障(飞溅和/或弓形)的周期和数量。
-
公开(公告)号：CN101865734B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G01K11/06
CPC分类号： G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
摘要： 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件(1)受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
-
公开(公告)号：CN101865734A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G01K11/06
CPC分类号： G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
摘要： 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
-
公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
41 条记录 (耗时 0.032 秒)
