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公开(公告)号：CN107627201B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710570004.7
申请日：2017-07-13
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/04
摘要： 本发明提供一种研磨基板的表面的装置，能够对晶片等基板的整个表面进行研磨，不需要利用边缘研磨用的装置来研磨基板的表面的最外部，能够减少研磨工序。本发明的研磨基板的表面的装置具有：基板保持部(10)，该基板保持部(10)保持基板(W)，并使该基板(W)旋转；以及研磨头(50)，该研磨头(50)使研磨器具(61)与基板(W)的第一面(1)滑动接触而研磨该第一面(1)。基板保持部(10)具有能够与基板(W)的周缘部接触的多个辊(11)，多个辊(11)构成为能够以各辊(11)的轴心为中心旋转。
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公开(公告)号：CN103419123A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310179100.0
申请日：2013-05-14
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/10 , B24B37/24 , B24B37/30
摘要： 一种研磨垫，能对具有由平面和曲面组合而成的表面形状的工件实施镜面加工。研磨垫(3)安装在可旋转的研磨台(4)上。工件(W)保持在托架(1)上，并被按压在研磨垫(3)上。研磨垫(3)具有：具有用于研磨工件(W)的研磨面的弹性垫(31)；支承弹性垫(31)的变形自如的基层(32)；以及将弹性垫(31)与基层(32)接合的粘接层(33)。
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公开(公告)号：CN108527010B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201810175382.X
申请日：2018-03-02
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本发明提供研磨方法、研磨装置、基板处理系统以及记录介质，该研磨方法能够以低运转成本对晶片等基板进行研磨。研磨方法包含如下的工序：一边利用真空吸附台(11)对基板(W)的背侧面进行保持一边使基板(W)旋转，使保持有多个研磨器具(61)的研磨头(50)旋转，将旋转的多个研磨器具(61)向基板(W)的表侧面按压。基板(W)的表侧面是形成布线图案的面。
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公开(公告)号：CN106041713B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610227568.6
申请日：2016-04-13
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本发明提供基板处理装置，能够使晶片等基板的中心高精度地对准基板台的轴心。基板处理装置具有：偏心检测部(60)，取得基板W的中心从定心台(10)的轴心C1的偏心量和偏心方向；以及对准器(36、41、75)，执行使定心台(10)移动及旋转直到定心台(10)上的基板W的中心位于处理台(20)的轴心C2上的定心动作。对准器(36、41、75)根据定心台(10)的轴心相对于处理台(20)的轴心的初始相对位置以及基板W的中心的偏心量和偏心方向来计算使定心台(10)移动的距离和使定心台(10)旋转的角度。
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公开(公告)号：CN109397036A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810845872.6
申请日：2018-07-27
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B21/06 , B24B21/18 , B24B21/20 , B24B1/04 , B24B27/033 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/687
CPC分类号： B24B55/12 , B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/08 , B24B41/067 , B24B47/12 , B24D11/02 , B24B21/06 , B24B1/04 , B24B21/18 , B24B21/20 , B24B27/033 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/687
摘要： 提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。
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公开(公告)号：CN103962941B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410039682.7
申请日：2014-01-27
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/10
CPC分类号： B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/06 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/30
摘要： 一种研磨方法，用基板保持部(17、42)对基板(W)进行保持，一边使基板(W)旋转，一边使研磨件(22、44)与基板(W)的整个背面滑动接触，由此研磨整个背面。背面研磨工序包括：一边用基板保持部(17)对基板(W)的中心侧区域进行保持，一边对背面的外周侧区域进行研磨；一边用第2基板保持部(42)对基板(W)的伞形部进行保持，一边对背面的中心侧区域进行研磨。采用本发明，能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质。
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公开(公告)号：CN109397036B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201810845872.6
申请日：2018-07-27
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B21/06 , B24B21/18 , B24B21/20 , B24B1/04 , B24B27/033 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/687
摘要： 提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。
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公开(公告)号：CN113664713A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110520681.4
申请日：2021-05-13
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本发明提供膜厚测定装置、研磨装置以及膜厚测定方法，即使在膜的膜厚较厚的情况下，也能够抑制来自布线图案的反射光的光量不足。膜厚测定装置(30)应用于对具有包含多个布线图案的膜(202)的基板(200)的膜进行研磨的研磨装置(10)，其中，该膜厚测定装置具备：投光器(43)，该投光器在研磨装置对膜进行研磨期间，投射入射光(L1)；聚光器(44)，该聚光器使从投光器投射的入射光聚集而成为规定的光斑尺寸(D)之后，向膜投射；以及受光器(45)，该受光器接收从膜反射的反射光(L2)，规定的光斑尺寸与构成多个布线图案的各个布线图案的最小宽度相比较小。
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公开(公告)号：CN108857858A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710339707.9
申请日：2017-05-15
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/107 , H01L21/67046 , H01L21/67051
摘要： 本发明提供一种清洗基板的背面的装置和方法，能够以较高的去除率从背面去除研磨屑等微粒。用于清洗基板(W)的背面的装置具备：在使基板(W)的背面朝上的状态下，一边保持基板(W)一边使基板(W)旋转的基板保持部(105)；构成为能够旋转的擦洗器具(108)；配置于基板保持部(105)的上方的双流体喷嘴(109)；以及形成供基板保持部(105)、擦洗器具(108)、以及双流体喷嘴(109)配置的清洗室(99)的外壳(100)。
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公开(公告)号：CN107627201A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710570004.7
申请日：2017-07-13
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/04
摘要： 本发明提供一种研磨基板的表面的装置，能够对晶片等基板的整个表面进行研磨，不需要利用边缘研磨用的装置来研磨基板的表面的最外部，能够减少研磨工序。本发明的研磨基板的表面的装置具有：基板保持部(10)，该基板保持部(10)保持基板(W)，并使该基板(W)旋转；以及研磨头(50)，该研磨头(50)使研磨器具(61)与基板(W)的第一面(1)滑动接触而研磨该第一面(1)。基板保持部(10)具有能够与基板(W)的周缘部接触的多个辊(11)，多个辊(11)构成为能够以各辊(11)的轴心为中心旋转。
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