公开(公告)号：CN1319130C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

发明人： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC分类号： H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

摘要： 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法，对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充，通过保留该填充部分。除去该金属镀膜，形成电路布线。该半导体基片处理装置包括：放入取出部(1)，用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片；金属镀膜成膜单元(2)，用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜；倾斜蚀刻单元(116)，用于腐蚀上述半导体基片的边缘部；研磨单元(10、11)，对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分；及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手(3、8)。

公开(公告)号：CN1341277A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

发明人： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC分类号： H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

摘要： 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。