公开(公告)号：CN108987262A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810602823.X

申请日：2018-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部佳优 ,  冈正浩 ,  上田博一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/28 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32055

Abstract: 本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。

公开(公告)号：CN107275253A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710142468.8

申请日：2017-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田阳 ,  水野刚资

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/02 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F1/16 ,  C23F1/32 ,  G03F7/168 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68764 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中，能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置，特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量，喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量，对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。

公开(公告)号：CN103065934B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210107221.X

申请日：2012-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林训鹏 ,  张兴国 ,  钟含智 ,  王粤智 ,  谢其仁

IPC: H01L21/02 ,  B08B1/00

CPC classification number: H01L21/0209 ,  B08B1/002 ,  B08B15/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了用于制造半导体器件的装置，其能够去除晶片后侧上的微粒。该装置包括用于固定半导体晶片的位置的机械结构。晶片具有前表面和后表面。该装置包括用于清洁后表面上的晶片的预定区域的晶片清洁设备。晶片的预定区域至少部分地与一个或多个对准标记重叠。本公开还提供了制造半导体器件的方法。该方法包括将半导体晶片加载到晶片处理系统中。该方法包括：从后侧的晶片的边缘区域去除污染微粒。对准标记位于边缘区域中。该方法包括：收集去除的污染微粒，并将收集的污染微粒丢弃到晶片处理系统外。

公开(公告)号：CN103081076B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180040488.5

申请日：2011-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C09K3/1006 ,  C09K2200/0645 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液，上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序：密封组合物赋予工序，对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～600000的树脂，并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及洗涤工序，利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液，将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。

公开(公告)号：CN104091772A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410331729.7

申请日：2014-07-11

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 雷通 ,  邱裕明

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67023 ,  H01L21/02087

Abstract: 本发明提供了一种晶圆边缘非晶碳薄膜清除装置及方法。所述晶圆边缘非晶碳薄膜清除装置包括：气体喷头、可旋转卡盘以及一个或多个激光发射器；其中，气体喷头处于可旋转卡盘的上方，并且朝着可旋转卡盘的方向喷射气体；可旋转卡盘用于承载晶圆；所述一个或多个激光发射器布置在可旋转卡盘的侧部上方，用于朝着可旋转卡盘发射激光束。通过本发明提出的方法能够精确去除晶圆边缘非晶碳薄膜，避免边缘非晶碳薄膜在后续工艺中剥落成为晶圆上的缺陷，最终提高产品良率。

公开(公告)号：CN103646875A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310667346.2

申请日：2013-12-09

Applicant: 天津中环领先材料技术有限公司

Inventor： 吕莹 ,  王辰 ,  王丹 ,  冯硕

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/02096

Abstract: 本发明提供一种低成本、高产能的硅片二氧化硅边缘去除方法，其工艺流程是将将经过背损伤、背封之后的硅片进行系统定位→定位好的硅片进行酸腐蚀去除硅片边缘的SiO2膜→酸腐后硅片清洗，其特征在于，所述酸腐后的硅片清洗方法是采用含有氢氧化钙的水溶液进行清洗，利用氢氧化钙与氢氟酸的中和反应冲洗硅片，清洗时间为15-18s。解决了瓶颈问题，在保证产品质量前提下，不仅提升了加工速率，而且降低了加工成本。

公开(公告)号：CN101986777B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200880124011.3

申请日：2008-12-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 方同 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  金润相 ,  奥利维尔·利古塔 ,  乔治·斯托贾斯科维奇

IPC: H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/6708

Abstract: 一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导体衬底的方法，其中该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上，该方法包含在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底；在完成该斜面边缘蚀刻后抽空该斜面蚀刻机；使脱氟气体流入该斜面蚀刻机；在该半导体衬底的外围处将该脱氟气体激励为脱氟等离子体；以及在阻止该半导体衬底的该暴露铜表面脱色的条件下用该脱氟等离子体处理该半导体衬底，其中该脱色在过长的暴露于空气中之后出现。

公开(公告)号：CN103489744A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310482301.8

申请日：2009-01-16

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 托尼·方 ,  金允尚 ,  安德鲁·D·拜勒 ,  奥利维尔·利古塔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02087

Abstract: 各种实施方式提供了除去衬底的斜面边缘附近的不想要的沉积物以提高处理良率的装置和方法。该实施方式提供了具有中心和边缘气体进口作为附加的处理调节器以选择最合适的斜面边缘蚀刻处理以将边缘排除区域进一步向外朝着该衬底边缘推动的装置和方法。进一步，该实施方式提供了具有（一种或多种）微调气体以改变斜面边缘处的蚀刻轮廓并使用中心和边缘气体进口的组合来将处理和微调气体流入该室的装置和方法。微调气体的使用和（一个或多个）气体进口的位置两者都会影响斜面边缘处的蚀刻特性。还发现总气流、该气体输送板和衬底表面之间的空隙距离、压强和（一种或多种）处理气体的类型也影响斜面边缘蚀刻轮廓。

公开(公告)号：CN102339774A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110196804.X

申请日：2011-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大河内厚 ,  久米纯次

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B11/04 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02087

Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置、涂覆显影装置以及基板清洗方法。基板清洗装置能够简便且有效地清洗基板的倒角部，还有利于节省空间。本发明的实施方式的基板清洗装置包括：基板保持旋转部，其保持基板的背面中心部并使该基板旋转；清洗构件，其包括第1清洗部、配置在上述第1清洗部的周围的第2清洗部、用于安装上述第1清洗部和上述第2清洗部的底座；升降部，其使上述基板保持旋转部和上述清洗构件相对地升降，以使上述第1清洗部和上述第2清洗部能够与被保持在上述基板保持旋转部的上述基板的背面接触；驱动部，其在沿着上述基板的背面的方向上相对地驱动上述基板和上述清洗构件，以使上述第2清洗部的一部分能够露出到上述基板的外侧。

公开(公告)号：CN101589456B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200880003201.X

申请日：2008-01-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 安德鲁·D·贝利三世 ,  艾伦·M·舍普 ,  格雷戈里·塞克斯顿 ,  威廉·S·肯尼迪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6838

Abstract: 一种结合真空卡盘的斜面蚀刻器，用来清洁斜缘并且减少半导体基片的弯曲曲率。该斜面蚀刻器包括真空卡盘和等离子发生单元，该单元将工艺气体激发为等离子态。该真空卡盘包括卡盘体和支撑环。该卡盘体的顶部表面和该支撑环的内缘形成由安装在该支撑环上的基片的底部表面封闭的真空区域。真空泵在运行期间排空该真空区域。该真空卡盘可运行以通过该基片的顶部和底部表面之间的压差将该基片保持合适的位置。该压差还产生弯曲力以减少该基片的弯曲曲率。