公开(公告)号：CN1319130C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

发明人： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC分类号： H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

摘要： 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法，对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充，通过保留该填充部分。除去该金属镀膜，形成电路布线。该半导体基片处理装置包括：放入取出部(1)，用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片；金属镀膜成膜单元(2)，用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜；倾斜蚀刻单元(116)，用于腐蚀上述半导体基片的边缘部；研磨单元(10、11)，对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分；及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手(3、8)。

公开(公告)号：CN1341277A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

发明人： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC分类号： H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

摘要： 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。

公开(公告)号：CN111799200A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010272604.7

申请日：2020-04-09

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  平田机工株式会社

发明人： 江藤洋平 ,  国泽淳次 ,  本坊光朗 ,  金泽敬治

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/67

摘要： 本发明是输送装置、工件处理装置、输送装置的控制方法、存储程序的记录介质，抑制输送装置内的结露。输送装置具备：主体部；回旋部，该回旋部被设置为相对于所述主体部回旋自如；臂，该臂支承于所述回旋部；以及末端执行器，该末端执行器设置于所述臂的顶端部，并对工件进行保持，所述输送装置还具备：气体供给单元，该气体供给单元向所述末端执行器的臂侧基部和/或所述臂的顶端部的臂侧内部空间供给气体；以及排气单元，该排气单元设置在与所述臂侧内部空间连通的主体侧内部空间，并对所述臂侧内部空间和/或所述主体侧内部空间的气体进行排气。

公开(公告)号：CN105280525B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201510306666.4

申请日：2015-06-05

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 丰增富士彦 ,  丸山徹 ,  国泽淳次

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供一种能够与稀释比例的变更灵活地相对应，且能够抑制装置尺寸大型化的清洗药液供给装置、清洗药液的供给方法及清洗单元，清洗药液供给装置具有：第1直列式混合器，将第1清洗药液供给到清洗装置；第2直列式混合器，将第2清洗药液供给到基板清洗装置；第1药液CLC箱，对供给到第1直列式混合器的第1药液的流量进行控制；第2药液CLC箱，对供给到第2直列式混合器的第2药液的流量进行控制；以及DIWCLC箱，对供给到第1直列式混合器或第2直列式混合器的稀释水的流量进行控制，且清洗药液供给装置构成为：将稀释水的供给目的地从第1直列式混合器切换到第2直列式混合器，或从第2直列式混合器切换到第1直列式混合器。

公开(公告)号：CN104124190B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201410160612.7

申请日：2014-04-21

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 横山俊夫 ,  国泽淳次 ,  宫崎充 ,  本坊光朗 ,  丰村直树

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明提供一种基板处理装置以及处理基板的制造方法，基板处理装置具有：基板旋转装置(10、20)，其使基板(W)保持并旋转；清洗装置(41)，其与通过基板旋转装置而以规定的旋转速度旋转的基板接触而对基板(W)进行清洗；移动装置(42)，其使清洗装置(41)在接触基板的清洗位置(P3)与离开基板的离开位置(P2)之间移动，以及控制部(64)。控制部将移动装置(42)控制成，在由基板旋转装置(10、20)保持的基板(W)到达规定的旋转速度前使处于离开位置的清洗装置(41)向清洗位置(P3)移动，同时在基板到达规定旋转速度后使清洗装置到达清洗位置(P3)。采用本发明，可提高基板清洗工序中的处理量。

公开(公告)号：CN107799436A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710750724.1

申请日：2017-08-28

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 今井正芳 ,  德重克彦 ,  小仓大 ,  渡边和英 ,  国泽淳次 ,  饭泉健 ,  宫崎充

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： B24B5/35 ,  B08B3/024 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B24B57/02 ,  C01B15/01 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0064 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/02057

摘要： 提供一种基板处理装置，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗了的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。这样的基板处理装置及基板处理方法能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分地清洗。

公开(公告)号：CN106206374A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610382143.2

申请日：2016-06-01

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 丰村直树 ,  宫崎充 ,  国泽淳次

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/673

CPC分类号： B24B57/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67023 ,  H01L2221/683

摘要： 使用于对基板进行真空吸附的工作台的小孔尽量不吸入处理液。提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在工作台上的基板供给处理液。工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于支撑面；第二开口部，形成于支撑面，被配置为至少局部性地包围第一开口部；第一流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第二开口部，构成为能够排出处理液。

公开(公告)号：CN107799436B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201710750724.1

申请日：2017-08-28

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 今井正芳 ,  德重克彦 ,  小仓大 ,  渡边和英 ,  国泽淳次 ,  饭泉健 ,  宫崎充

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 提供一种基板处理装置，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗了的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。这样的基板处理装置及基板处理方法能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分地清洗。

公开(公告)号：CN108183081B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201711449690.9

申请日：2014-04-21

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 横山俊夫 ,  国泽淳次 ,  宫崎充 ,  本坊光朗 ,  丰村直树

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明提供一种基板处理装置以及处理基板的制造方法，基板处理装置具有：基板旋转装置(10、20)，其使基板(W)保持并旋转；清洗装置(41)，其与通过基板旋转装置而以规定的旋转速度旋转的基板接触而对基板(W)进行清洗；移动装置(42)，其使清洗装置(41)在接触基板的清洗位置(P3)与离开基板的离开位置(P2)之间移动，以及控制部(64)。控制部将移动装置(42)控制成，在由基板旋转装置(10、20)保持的基板(W)到达规定的旋转速度前使处于离开位置的清洗装置(41)向清洗位置(P3)移动，同时在基板到达规定旋转速度后使清洗装置到达清洗位置(P3)。采用本发明，可提高基板清洗工序中的处理量。

公开(公告)号：CN107086190A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710081701.6

申请日：2017-02-15

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 今村听 ,  宫崎充 ,  国泽淳次 ,  松泽俊介

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68728

摘要： 基板清洗装置具有：清洗部件(11、21)，其与基板(W)抵接而进行该基板(W)的清洗；部件旋转部(15、25)，其使所述清洗部件(11、21)旋转；按压驱动部(19、29)，其将所述清洗部件(11、21)向所述基板(W)按压；转矩检测部(16、26)，其对施加给所述部件旋转部(15、25)的转矩进行检测；以及控制部(50)，其根据来自所述转矩检测部(16、26)的检测结果来控制所述按压力。