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公开(公告)号：CN101376963A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810212643.7
申请日：2008-08-27
申请人： 株式会社钢臂功科研 , 索尼碟片数位解决方案股份有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2003/244 , B22F2998/10 , C22C1/0466 , C22C5/06 , B22F3/24
摘要： 本发明涉及一种Ag－基合金溅射靶，所述Ag－基合金溅射靶包含总量为1至15重量％的选自Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al和Si的至少一种元素，其中所述Ag－基合金溅射靶在其溅射表面上具有2μm以上的算术平均粗糙度(Ra)以及20μm以上的最大高度(Rz)。
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公开(公告)号：CN101376963B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810212643.7
申请日：2008-08-27
申请人： 株式会社钢臂功科研 , 索尼碟片数位解决方案股份有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2003/244 , B22F2998/10 , C22C1/0466 , C22C5/06 , B22F3/24
摘要： 本发明涉及一种Ag-基合金溅射靶，所述Ag-基合金溅射靶包含总量为1至15重量％的选自Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al和Si的至少一种元素，其中所述Ag-基合金溅射靶在其溅射表面上具有2μm以上的算术平均粗糙度(Ra)以及20μm以上的最大高度(Rz)。
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公开(公告)号：CN101548324B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200880000927.8
申请日：2008-04-10
申请人： 索尼碟片数位解决方案股份有限公司 , 株式会社神户制钢所 , 克贝鲁可科研股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种包括反射膜的只读光学信息记录介质，该反射膜具有高反射率，并且在被保持在高温高湿环境中时的耐环境性以及在被保持在高强度光照射环境中时的耐光性和对于重复再生试验的重复再生耐用性方面都很优良。在基板上顺序层压了至少一层反射膜和至少一层透光层的只读光学信息记录介质中，所述反射膜由包括0.01at％～1.0at％的Bi和0.1at％～13.0at％的Cu的Ag基合金构成。
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公开(公告)号：CN101548324A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000927.8
申请日：2008-04-10
申请人： 索尼碟片数位解决方案股份有限公司 , 株式会社神户制钢所 , 克贝鲁可科研股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种包括反射膜的只读光学信息记录介质，该反射膜具有高反射率，并且在被保持在高温高湿环境中时的耐环境性以及在被保持在高强度光照射环境中时的耐光性和对于重复再生试验的重复再生耐用性方面都很优良。在基板上顺序层压了至少一层反射膜和至少一层透光层的只读光学信息记录介质中，所述反射膜由包括0.01at％～1.0at％的Bi和0.1at％～13.0at％的Cu的Ag基合金构成。
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公开(公告)号：CN1280446C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC分类号： C22C5/06 , C23C14/3414
摘要： 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其是根据下式，基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN1823179B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC分类号： C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
摘要： 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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公开(公告)号：CN101376962B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200810145432.6
申请日：2008-08-05
申请人： 株式会社钢臂功科研
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
摘要： 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag-Ta-Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6～10.5原子％、Cu含量为2～13原子％的Ag基合金构成，对溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10～50μm的Ta粒子的合计面积为60面积％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10～50μm；(2)相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm～50μm的Cu粒子的合计面积为70面积％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm～120μm。
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公开(公告)号：CN1550573A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC分类号： C22C5/06 , C23C14/3414
摘要： 一种Ag－Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子％－1或以下，其是根据下式，基于X－射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC分类号： C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
摘要： 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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公开(公告)号：CN101376962A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810145432.6
申请日：2008-08-05
申请人： 株式会社钢臂功科研
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
摘要： 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag－Ta－Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6～10.5原子％、Cu含量为2～13原子％的Ag基合金构成，对溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10～50μm的Ta粒子的合计面积为60面积％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10～50μm；(2)相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm～50μm的Cu粒子的合计面积为70面积％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm～120μm。
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