-
公开(公告)号：CN105849865B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201480070511.9
申请日：2014-12-10
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4412 , C23C16/45508 , C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/6719 , H01L21/67709 , H01L21/68785
摘要： 根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔，提供对基板实施工序的内部空间；基座，设置在上述内部空间，且在上部放置上述基板；固定板，设置在沿着上述基座的周边在上述腔的侧壁形成的排气口上，并具有多个贯通孔；及一个以上的滑动板，设置在上述固定板的上部或下部，能够以上述基座的中心为基准旋转，选择性地开闭上述多个贯通孔。
-
公开(公告)号：CN106531661A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610600648.1
申请日：2016-07-27
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45563 , H01L21/6715 , H01L21/67253
摘要： 本发明提供一种衬底处理设备，包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，并且能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量，可以改进衬底处理过程的效率。
-
公开(公告)号：CN103959438A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280056552.3
申请日：2012-11-16
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/4412 , C23C16/45517 , C23C16/45563 , C23C16/4587 , C30B35/00 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67757
摘要： 根据本发明一实施方案，用于实现对基板的工艺的基板处理装置包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在所述基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板实现所述工艺的工艺位置；以及气体供应单元，其设置在所述外部反应管的内部，并用于向所述工艺空间供应反应性气体，且形成沿着上下方向具有各不相同的相位差的所述反应性气体的流动。
-
公开(公告)号：CN107533998B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201680021675.1
申请日：2016-04-19
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明揭示基板处理装置以及清洗腔室的方法。基板处理装置包含：腔室，包含提供基板在其中待用的空间的第一主体部分及提供对基板在其中执行薄膜沉积处理的空间的第二主体部分；基板固持器，其上负载有基板，基板固持器可在第一与第二主体部分之间移动；第一供应单元，自第二主体部分中至基板上供应用于薄膜沉积的第一气体；第二供应单元，将第二气体供应至第一主体部分中，第二气体与在薄膜沉积时所产生的副产物反应以产生烟雾；排气单元，排出腔室内的气体。因此，可快速地移除在基板上沉积薄膜时所产生的副产物。
-
公开(公告)号：CN107438896B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680021631.9
申请日：2016-04-12
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明包含：具有内部空间的第一管；基板固持器，其中多个基板垂直地堆叠在第一管的内部空间中，基板固持器界定多个处理空间，基板在多个处理空间中个别加工；具有多个主要注入孔的气体供应单元，多个主要注入孔中的每一者经垂直界定以对应于处理空间中的每一者从而将气体供应至第一管中；以及排气单元，其被设置以将第一管中的供应至多个处理空间中的气体排出至外部。所述排气单元包含多个排气孔，多个排气孔面向主要注入孔且垂直地配置成行以对应于处理空间。因此，气体可在基板上顺畅地流动。
-
公开(公告)号：CN105849864B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201480070510.4
申请日：2014-12-10
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：下部腔，上部开放；上部腔，开闭上述下部腔的上部，与上述下部腔共同形成对基板实施工序的内部空间；喷头，设置在上述上部腔的下部并朝向上述内部空间供给反应气体，在与上述上部腔之间形成缓冲空间；划分部件，设置在上述缓冲空间内而将上述缓冲空间划分为多个扩散区域；及多个气体供给口，形成在上述上部腔而朝向各上述扩散区域供给上述反应气体。
-
公开(公告)号：CN106521620B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610600078.6
申请日：2016-07-27
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： C30B25/14
摘要： 本发明提供一种衬底处理设备，衬底处理设备包含：管子，其中具有内部空间；衬底支撑单元，其包括多个隔板，多个隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将其中处理多个衬底的处理空间在管子中分成多个处理空间；气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到多个衬底；以及排气单元，其经安置以面对着气体供应单元来排出管子内部的气体。多个通孔界定于隔板中的每一个中。本发明提供的衬底处理设备能够在衬底上均匀地形成薄膜。
-
公开(公告)号：CN106920761A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610915856.0
申请日：2016-10-20
申请人： 株式会社EUGENE科技
摘要： 本发明涉及一种衬底处理装置，且更具体而言，涉及一种能够改善衬底的整个表面上的工艺均匀性的衬底处理装置。所述衬底处理装置包括：衬底舟，衬底装载在所述衬底舟中；反应管，在所述反应管中对装载于所述衬底舟中的所述衬底执行处理工艺；气体供应单元，用以经由安置于所述反应管的一侧上的喷射喷嘴将工艺气体供应至所述反应管中；加热单元，包括多个垂直加热部件，所述多个垂直加热部件在所述反应管外部沿所述反应管的圆周安置且用以将所述反应管的圆周划分成多个部分，以对所述反应管的所划分的多个部分中的每一个进行独立加热；以及控制单元，用以控制所述加热单元。
-
公开(公告)号：CN104871292A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066374.7
申请日：2013-12-18
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/463 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要： 根据本发明的具体实施方式，基板处理装置包括：主腔室，其具有处理空间，在该处理空间中执行关于基板的处理；加热器，其位于所述处理空间内，用于加热放置在所述加热器上部上的所述基板；以及冷却环，其位于所述加热器周围，所述冷却环具有围绕所述加热器并且相隔预定距离的多个气体通道，以允许从外部供应的冷却剂流入所述冷却环中。
-
公开(公告)号：CN102473610A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030469.X
申请日：2010-07-02
申请人： 株式会社EUGENE科技
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565
摘要： 根据本发明的一种实施方式，一种基板加工设备包括：具有开口的顶部的下腔室；覆盖下腔室的顶部的上腔室，其与下腔室一起形成用于基板加工的内部空间；布置在上腔室的下部用于向内部空间提供反应气体的喷头，在所述喷头与上腔室之间形成缓冲空间；形成在所述上腔室中用以向所述缓冲空间提供反应气体的供气口，以及布置在缓冲空间内用于扩散通过供气口提供的反应气体的扩散单元。扩散单元包括：互相隔离的多个扩散区，所述多个扩散区用来使反应气体能够在其中扩散；用于使供气口与扩散区连接的多个扩散孔；以及一个或者更多个扩散板，每个都具有与扩散区相应的形状，所述一个或者更多个扩散板选择性地插入扩散区。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
43 条记录 (耗时 0.025 秒)
