公开(公告)号：CN114156161A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111048300.3

申请日：2021-09-08

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁承国 ,  郑奉周 ,  姜圭完

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 根据本发明的一实施例，一种运用基板处理装置的方法，该基板处理装置包括：腔体，通过对置于内部的基板的氧化膜除去工序，在内壁沉积了含氟/硅盐；及天线，设置在上述腔体外侧；被施加RF功率，向上述腔体内部供应惰性气体，且对上述天线施加RF功率，由此将上述腔体内壁加热到75℃以上，热分解上述含氟/硅盐。

公开(公告)号：CN112095089A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201911240311.4

申请日：2019-12-06

申请人： 爱思开海力士有限公司 ,  株式会社EUGENE科技

发明人： 郑珉珍 ,  金泰焕 ,  姜民雄 ,  刘炫准 ,  姜盛皓 ,  朴松焕 ,  金甫宣 ,  李弘源 ,  赵柱铉 ,  晋龙铎

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

摘要： 一种用于处理衬底的装置包括：反应管、侧盖、加热器、第一气体供应器、第二气体供应器和控制器。反应管被配置为容纳衬底舟皿以处理衬底，在所述衬底舟皿中容纳多个衬底。侧盖被配置为容纳反应管。加热器衬在侧盖的内部。第一气体供应器设置于侧盖的上部，以第一供应速率将冷却气体供应到侧盖与反应管之间的空间。第二气体供应器设置于侧盖的下部，以不同于第一供应速率的第二供应速率将冷却气体供应到侧盖和反应管之间的空间。所述控制器控制所述反应管。

公开(公告)号：CN105849865B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201480070511.9

申请日：2014-12-10

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 诸成泰 ,  李在镐 ,  崔晌镐 ,  尹胜铉

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67709 ,  H01L21/68785

摘要： 根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔，提供对基板实施工序的内部空间；基座，设置在上述内部空间，且在上部放置上述基板；固定板，设置在沿着上述基座的周边在上述腔的侧壁形成的排气口上，并具有多个贯通孔；及一个以上的滑动板，设置在上述固定板的上部或下部，能够以上述基座的中心为基准旋转，选择性地开闭上述多个贯通孔。

公开(公告)号：CN109891555A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780068005.X

申请日：2017-08-14

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 柳斗烈 ,  申承祐 ,  柳次英 ,  郑愚德 ,  崔豪珉 ,  吴完锡 ,  金羲植 ,  金檼浩 ,  朴成真

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324

摘要： 根据本发明的一实施例，低温外延层形成方法包括：将基板传送到外延腔的步骤；及在所述基板上实施外延工序以在所述基板上形成外延层的步骤。所述外延工序包括：在将所述基板加热到700℃以下、且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第一外延层的步骤；停止注入所述硅气体，并向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第一次净化的步骤；在将所述基板加热到700℃以下且将所述外延腔内部调节至300Torr以下的状态下，向所述外延腔内部注入硅气体来形成第二外延层的步骤；及停止注入所述硅气体，并向所述外延腔内部注入净化气体，以对所述外延腔内部进行第二次净化的步骤。

公开(公告)号：CN108630594A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810007884.1

申请日：2018-01-04

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 崔圣厦

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67712 ,  H01L21/67757

摘要： 本发明涉及一种能够阻挡颗粒从衬底的下部部分落到下部衬底的表面的衬底处理设备。根据示范性实施例的衬底处理设备可包含：衬底舟，其包含以多级方式连接到多个棒的多个中空板，其中多个衬底分别加载于多个中空板上；反应管，其具有容纳衬底舟的容纳空间；气体供应部分，其被配置成从反应管的一侧供应处理气体到反应管中；以及排气部分，其被配置成从反应管的另一侧排出反应管中的处理残余物。每个中空板可包含界定竖直通过的中空部分的边缘部分。

公开(公告)号：CN105580126B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201480052654.7

申请日：2014-10-17

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 玄俊镇 ,  宋炳奎 ,  金劲勋 ,  金龙基 ,  申良湜 ,  金仓乭

IPC分类号： H01L21/68

摘要： 根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基板；内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对被装载的上述基板实施工序的工序位置；遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。

公开(公告)号：CN106531661A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610600648.1

申请日：2016-07-27

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 玄俊镇 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  金苍乭 ,  申良湜 ,  金哉佑

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供一种衬底处理设备，包含：管，其提供内部空间，在所述内部空间中处理衬底；衬底支撑部分，其在管的内部空间中以多层堆叠多个衬底；气体供应部分，其将处理气体供应到多个衬底；排气部分，其安置成面向气体供应部分以吸收处理气体；以及流动调节部分，其具有沿着在气体供应部分与排气部分之间的管的圆周形成的喷洒开口以喷洒调节气体，并且能够通过调节处理气体的流动控制供应到衬底的上表面的处理气体的量，可以改进衬底处理过程的效率。

公开(公告)号：CN104412363B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380032133.0

申请日：2013-06-14

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  宋炳奎 ,  金劲勋 ,  金龙基 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明公开了一种基板处理装置。在该基板处理装置中，执行针对基板的处理，该基板处理装置包括：主腔室，其具有限定在所述主腔室的侧壁内以加载或卸载所述基板的通道以及分别限定在所述主腔室的上部和下部的上开口和下开口；腔室盖，其封闭所述主腔室的所述上开口，以提供与外界分隔的处理空间来执行所述处理；喷洒头，其设置在所述处理空间内，所述喷洒头具有喷出处理气体的多个喷孔；下加热块，在所述下加热块的上部放置所述基板，所述下加热块固定至所述下开口并且具有与所述处理空间分隔的下安装空间；以及多个下加热器，所述多个下加热器在与所述基板平行的方向上设置在所述下安装空间内，以加热所述下加热块。

公开(公告)号：CN104025259B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280065485.1

申请日：2012-11-23

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  C23C16/507 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67772

摘要： 根据本发明一实施方案，用于对基板进行工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部敞开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于封闭下部腔室中敞开的上部，并提供实现工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板进行工艺的工艺位置；气体供应单元，其向工艺空间供应反应性气体；以及处理单元，其设置在外部反应管的外侧，并使反应性气体活性化而对基板进行工艺。

公开(公告)号：CN105612604A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480053162.X

申请日：2014-09-23

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  金锡允

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L29/40117 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： 本发明涉及薄膜循环蒸镀方法，根据本发明的一实施例，其包括：氧化膜蒸镀步骤，重复进行在装载有对象物的腔的内部注入硅前驱体而在上述对象物上蒸镀硅的蒸镀步骤、在上述腔的内部去除未反应硅前驱体及反应副产物的第1弛放步骤、向上述腔内部供给包含氧的第1反应源而将蒸镀的上述硅形成为包含硅的氧化膜的反应步骤和在上述腔的内部去除未反应的第1反应源和反应副产物的第2弛放步骤；及等离子体处理步骤，向上述腔的内部提供由包含氮的第2反应源生成的等离子体来处理上述包含硅的氧化膜。