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公开(公告)号:CN114678514B
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202210364455.6
申请日:2017-12-27
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/38 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及图案化锂金属、包含其的二次电池用电极和二次电池。所述图案化锂金属使用包括如下步骤的方法制造:1)在硅晶片上形成具有0.001μm~900μm尺寸的均匀凹雕或浮雕图案,其中所述尺寸为长度和宽度;2)将锂金属物理压制到具有形成在其上的均匀图案的硅晶片上或将液态锂涂布到所述硅晶片上并冷却所述液态锂,以在所述锂金属的表面上形成均匀图案;以及3)将具有形成在其上的均匀图案的所述锂金属与所述硅晶片分离。本发明的图案化的锂金属与常规锂金属相比具有优异的可逆性,因此能够大幅改善电池的寿命。
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公开(公告)号:CN110178252A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201880007295.1
申请日:2018-07-27
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/139 , H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种用于二次电池的电极的预锂化方法,所述方法包括:第一步骤,使锂金属与电极在电解液中直接接触并向电极施加压力以将其预锂化;和第二步骤,除去锂金属,然后向预锂化的电极施加压力以进行稳定化处理。经过本发明提供的预锂化步骤后的用于二次电池的电极能够减少电极的体积变化,并且减少电极的接触损耗。
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公开(公告)号:CN109716561A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201780058174.5
申请日:2017-12-27
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明通过在锂金属的表面上形成预定图案,能够一次大量制造图案化锂金属箔,本发明使用其中将锂金属物理压制在预先浮雕或凹雕有预定图案的硅晶片上的方法,或其中将液态锂涂布到同样的硅晶片上并随后冷却的方法。另外,本发明能够有利地在大面积上以多种形状进行图案化,并最小化可能由压制压力的不同引起的不均匀图案。这样图案化的锂金属与常规锂金属相比具有优异的可逆性,因此能够大幅改善电池的寿命。
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公开(公告)号:CN109478634A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201880002769.3
申请日:2018-01-23
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池用负极、包含所述负极的锂二次电池及其制造方法,所述锂二次电池用负极中在含有碳类活性材料的负极活性材料层上形成有含有30摩尔%以上非晶LiF的LiF层。
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公开(公告)号:CN110537273B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN201880024032.1
申请日:2018-08-17
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M10/052
Abstract: 本公开内容涉及一种图案化锂金属的表面的方法,包括以下步骤:(S1)在图案化基板上形成具有预定尺寸的凹版或浮雕图案;(S2)将锂金属物理地压制到其上形成有图案的图案化基板的表面上,或者将液态锂施加到其上形成有图案的所述图案化基板的表面上并使所述液态锂固化以在锂金属的表面上形成预定图案;和(S3)将其上形成有预定图案的锂金属与图案化基板分离。
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公开(公告)号:CN109716561B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN201780058174.5
申请日:2017-12-27
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明通过在锂金属的表面上形成预定图案,能够一次大量制造图案化锂金属箔,本发明使用其中将锂金属物理压制在预先浮雕或凹雕有预定图案的硅晶片上的方法,或其中将液态锂涂布到同样的硅晶片上并随后冷却的方法。另外,本发明能够有利地在大面积上以多种形状进行图案化,并最小化可能由压制压力的不同引起的不均匀图案。这样图案化的锂金属与常规锂金属相比具有优异的可逆性,因此能够大幅改善电池的寿命。
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公开(公告)号:CN109478635B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201780034279.7
申请日:2017-09-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/134 , H01M4/80 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及锂金属二次电池用负极以及包含其的锂金属二次电池。所述负极具有宽比表面积,并且其中能够实现均匀的电流密度分布。
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公开(公告)号:CN110062973B
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN201880004953.1
申请日:2018-04-04
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01M4/485
Abstract: 本发明涉及一种二次电池用硅氧化物负极的预锂化方法,并且更具体地,涉及一种硅氧化物负极的预锂化方法,所述方法在组装锂二次电池的步骤之前,将硅氧化物负极浸入电解质中,并且在其变湿之后,在向所述硅氧化物负极施加压力的同时,使锂金属与所述硅氧化物负极直接接触。经历了由本发明提供的预锂化步骤的二次电池用硅氧化物负极具有改善的不可逆性,并且通过使用所述二次电池用硅氧化物负极所制造的二次电池具有优异的充电和放电效率。
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