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公开(公告)号：CN110911395A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811082495.1
申请日：2018-09-17
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/49 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种双面散热IGBT模块，包括双面覆铜的上、下衬板、电连接在衬板上的多个半导体功率芯片及端子，所述半导体功率芯片包括第一IGBT芯片及第一FRD芯片，所述第一IGBT芯片和第一FRD芯片分别电连接在端子的上、下两侧构成堆叠式结构。本发明的IGBT模块结构，将双面可焊接的IGBT芯片和FRD芯片焊接在端子上下两侧，组成堆叠式结构，模块顶部和底部均可同时进行冷却，且芯片之间无键合线，采用端子直接连接，从而减小模块结构尺寸，降低模块热阻，提高了模块可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209912864U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201920256976.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本实用新型公开一种焊接底座，其特征在于，所述焊接底座为中空的圆柱结构，所述圆柱的两个端面上均设置有多个凹槽，所述凹槽由所述圆柱的侧面延伸至所述中空处。本实用新型还公开一种使用该焊接底座的功率半导体模块。本实用新型明中的焊接底座加工简单，成本低廉，进并且该焊接底座可以与陶瓷衬板焊接牢固；从而增强了功率半导体器件焊接的可靠性。
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公开(公告)号：CN209913085U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201822209212.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种联结插座，其在纵向方向上延伸，包括第一端和与第一端呈相对设置的第二端；第一凸缘设置在第一端远离第一端端面的位置；凹槽设置在第二端，用于插设联结插销；联结插座以第一凸缘在前的方式放置在与纵向方向垂直的平面上时，第一端端面与平面相接触。一种功率半导体模块，包括电路载体和联结插座，电路载体设置有平坦导体区域，联结插座以第一凸缘在前的方式焊接在平坦导体区域，第一端端面的面积小于平坦导体区域的面积，联结插座的纵向方向与平坦导体区域垂直。一种电路装置，包括印刷电路板和功率半导体模块，联结插销的末端伸出壳体后与印刷电路板连接。本实用新型能够解决联结插座与金属层之间焊接不牢靠和爬锡的问题。
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公开(公告)号：CN209822625U
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201920260298.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块用焊接底座，包括导电接触元件，所述导电接触元件在纵向方向上延伸，所述导电接触元件的第一端设置有固定部，所述导电接触元件的第二端设置成自由端，所述第一端与所述第二端呈相对布置，在所述导电接触元件上设置有贯穿所述第一端和所述第二端的插针孔。本实用新型能够解决焊料焊接面积小，焊接可靠性差的技术问题，且能够提高自动化程度。
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公开(公告)号：CN209804600U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920255168.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块用焊接底座，涉及电子功率器件技术领域，用于用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。本实用新型的功率模块用焊接底座包括焊接部和插针部，插针可设置在插针部中，通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针，从而使模块的结构更加紧凑，功率密度得以提高。
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