一种针对硬件实现稀疏化卷积神经网络推断的加速方法

    公开(公告)号:CN109711532B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN201811486547.1

    申请日:2018-12-06

    Abstract: 本发明公开一种针对硬件实现稀疏化卷积神经网络推断的加速方法,包括面对稀疏硬件加速架构的分组剪枝参数确定方法、针对稀疏硬件加速架构的分组剪枝训练方法和针对稀疏化卷积神经网络前向推断的部署方法:根据硬件架构中乘法器数量确定分组剪枝的分组长度和剪枝率,基于量级裁剪方式将压缩率以外的权值进行裁剪,通过增量训练方式提升剪枝后的网络准确率及压缩率,剪枝过的网络经微调后保存非剪枝位置的权值和索引参数并送入硬件架构下的计算单元中,计算单元同时获取分组长度的激活值完成稀疏网络前向推断。本发明基于硬件架构出发设定算法层面的剪枝参数与剪枝策略,有益于降低稀疏加速器的逻辑复杂度提高稀疏加速器前向推断的整体效率。

    一种面向ECC的双域并行度可变的Montgomery模乘电路

    公开(公告)号:CN107463354B

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201710565871.1

    申请日:2017-07-12

    Abstract: 本发明提出了一种面向ECC(椭圆曲线密码)可伸缩串并混合并行度可变的双域Montgomery模乘电路电路,它由控制模块、Memory、寄存器组和双域流水线乘法单元组成,支持Montgomery模乘运算并行度可变,灵活的均衡Montgomery模乘运算的时间和面积开销,具有扩展性,最高可支持256bit的Montgomery模乘运算。资源约束条件下,通过降低电路模块的并行度来减少模乘的面积开销。同时可以通过增加电路的并行度来减少Montgomery模乘的运算时间。本发明可以根据使用场景灵活的在Montgomery模乘运算时间及电路面积中选择与均衡,使得采用本发明电路模块结构的ECC加密算法使用场景更加灵活。

    一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件

    公开(公告)号:CN107293585B

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201710530053.8

    申请日:2017-06-30

    Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,在P型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型漂移区,其上设有N型缓冲区和P型体区,在N型缓冲区内设有P型集电极区,其上连接有集电极金属,在P型体区内设有N型发射极区,其右侧设有P型发射区,在发射极区上连接有发射极金属,在N型漂移区的上方设有场氧层,在N型发射区左侧设有纵向沟槽,在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层,其上连接有栅金属,在纵向沟槽的左侧设有P型发射极区块体,其上连接有发射极金属,在场氧层与P型发射区之间设有纵向沟槽,在其内设有由二氧化硅或其它耐压介质包裹的多晶硅层,其上连接有栅金属,在栅金属和发射极金属之间设有氧化层。

    一种基于步幅和数据相关性的数据预取器及其预取方法

    公开(公告)号:CN106021128B

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201610374345.2

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于步幅和数据相关性的数据预取器及其预取方法,所述预取器包括步幅预取表、历史数据表、数据队列;所述预取方法通过步幅预取表和历史数据表对二级缓存未命中进行检测,判断是否进入预取状态,相应的在数据队列中添加预取请求,并对向外存访问接口发出预取信号进行预取。所述预取器及其预取方法在步幅预取方案的基础上增加关联性预取的技术特点,减少步幅预取方案的训练过程,从而提高步幅预取方案的预取覆盖率,实现性能提升并且节省了大量存储空间。

    一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法

    公开(公告)号:CN108318796A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201711326839.4

    申请日:2017-12-12

    Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法,这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度,通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中,可以得到一条电流电压曲线,由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布,同时,通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。

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