-
公开(公告)号：CN118809787A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411105600.4
申请日：2024-08-13
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化硅陶瓷生坯模切装置包括绕卷模块、纠偏模块、吸附传输模块、工作平台、超声切割模块、吸盘抓手、旋转模块和放料盒，吸附传输模块放置在平面上，绕卷模块放置在平面上，绕卷模块位于吸附传输模块一端，纠偏模块与绕卷模块连接，纠偏模块与绕卷模块靠近吸附传输模块一端固定连接，吸附传输模块与工作平台连接，工作平台位于吸附传输模块远离绕卷模块一端，工作平台放置在平面上，工作平台靠近吸附传输模块与超声切割模块连接，超声切割模块固定在工作平台上，旋转模块与工作平台连接，旋转模块顶端与吸盘抓手连接，吸盘抓手固定在旋转模块上，放料盒放置工作平台上，放料盒位于工作平台远离超声切割模块一端。
-
公开(公告)号：CN117778969B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311824754.4
申请日：2023-12-28
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/50 , C23C14/06 , C23C14/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N1/28
摘要： 本发明涉及热扩散系数测试技术领域，具体的说是超薄透光材料热扩散系数测试样品辅助处理装置以及方法，该装置包括离子溅射仪主体，离子溅射仪主体上端设置托举件，托举件上端安装直筒，直筒上端设置盖板，托举件上端安装壳体，壳体内部左壁安装总管，总管左端等距连通安装多个喷管，总管右端连通设置输气管，盖板上端边缘位置安装环形管，环形管下端等距连通安装多个吸管，环形管上端连通安装连接管，连接管另一端连通设置过滤件，过滤件后端连通设置抽气管，抽气管的另一端与真空泵连通，该设计实现及时清洁处理，有效避免密封腔体内产生污染现象，有效减少前工序镀膜产生的杂质影响后续镀膜的质量的概率，有效保证镀膜效果。
-
公开(公告)号：CN116216662B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310049031.5
申请日：2023-02-01
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C01B21/068
摘要： 本发明涉及氮化硅粉体技术领域，具体为一种氮化硅粉体的合成方法；本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理，降低原料的粒径，去除表面氧化层，加速氮气的渗入速率，加速氮化反应，之后使用金属催化剂与熔融盐，在高温下吸附在硅粉表面，加速氮气的吸附，进一步地提高氮化速率，且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐，均可溶于浓度为20‑30wt％的硝酸溶液，进一步地去除了杂质元素；之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团，生成活性自由基，从而接枝甲基丙烯酸甲酯，增加氮化硅的分散性能。
-
公开(公告)号：CN115611639B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211630441.0
申请日：2022-12-19
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/591 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种硅片流延浆料及硅片成型方法，涉及半导体材料制备领域，旨在解决目前的浆料制备不环保的问题，包括溶剂：质量份数为30‑60份；硅片粉体：质量份数为30‑55份；分散剂：质量份数为0.5‑2份；粘结剂：质量份数为3‑10份；塑化剂：质量份数为3‑10份；烧结助剂：由氧化钇、氧化镁、氧化锆、氧化钛混合而成，其中质量份数分别为氧化钇2‑5份、氧化镁1‑3份、氧化锆1‑3份、氧化钛0.1‑0.25份；其中，每份溶剂由质量百分数40%‑48%异丙醇、2%‑5%乳酸乙酯、0.5%‑1%二氧基二甲醚醋酸酯、10%‑20%乙酸乙酯，余量为乙酸丁酯组成。本发明的一种硅片流延浆料及硅片成型方法能够制备高质量的陶瓷胚体且无毒，对环境无危害。
-
公开(公告)号：CN115611639A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211630441.0
申请日：2022-12-19
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/591 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种硅片流延浆料及硅片成型方法，涉及半导体材料制备领域，旨在解决目前的浆料制备不环保的问题，包括溶剂：质量份数为30‑60份；硅片粉体：质量份数为30‑55份；分散剂：质量份数为0.5‑2份；粘结剂：质量份数为3‑10份；塑化剂：质量份数为3‑10份；烧结助剂：由氧化钇、氧化镁、氧化锆、氧化钛混合而成，其中质量份数分别为氧化钇2‑5份、氧化镁1‑3份、氧化锆1‑3份、氧化钛0.1‑0.25份；其中，每份溶剂由质量百分数40%‑48%异丙醇、2%‑5%乳酸乙酯、0.5%‑1%二氧基二甲醚醋酸酯、10%‑20%乙酸乙酯，余量为乙酸丁酯组成。本发明的一种硅片流延浆料及硅片成型方法能够制备高质量的陶瓷胚体且无毒，对环境无危害。
-
公开(公告)号：CN118930319A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410995101.0
申请日：2024-07-24
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种提高氮化硅瓷片热导的浆料制备方法，涉及热导陶瓷技术领域。浆料的原料组份包括：氮化硼粉体、还原剂、溶剂、粘结剂、塑化剂、分散剂；所述还原剂为三聚氰胺、尿素、三乙醇胺、乙酰苯胺中至少一种；本发明基于常规的氮化硼敷粉技术存在的弊端，将具有氮化还原作用的还原剂及其余助剂添加入氮化硼粉体中，乳化分散均匀，得到浆料，通过高压均匀喷敷在生坯表面，形成均匀涂层，减少烧结过程中杂相的产生，从而提高瓷片的热导率。
-
公开(公告)号：CN117400398A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311423365.0
申请日：2023-10-31
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明涉及陶瓷胚体排胶技术领域，公开了一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法；为了解决陶瓷胚体在空气中排胶时氧含量高造成热导率下降、在氮气下排胶坯体容易碎裂的问题，本发明给出了一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法：先通N2洗炉，再通入CO排胶；CO排胶结束后通入N2洗炉保证安全，然后通入空气排胶，空气在高温条件下将残碳排除后，会一定程度氧化陶瓷坯体，此时再通入N2洗炉、通入CO还原，可以得到氧含量极低的陶瓷坯体，可以避免陶瓷坯体的后续氧化；本发明开创性的使用CO气体来排出电子陶瓷中所含PVB胶，方法简单易行、排胶后坯体残碳量极低并且氧含量极低，利于后续烧结高性能陶瓷。
-
公开(公告)号：CN114839212B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210484247.X
申请日：2022-05-06
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
摘要： 本发明公开了一种陶瓷浆料混胶均匀性预检测方法。主要步骤为粘结剂分类，第一步溶胶，第二步溶胶，混胶，取样，测试。本发明具有预测陶瓷浆料混胶效果的作用。将相对分子质量较大的标定粉末先粘附在高分子量的粘结剂溶胶中，形成标定溶液，标定粉末为碎片状更有利于稳定的粘附在粘结剂上，最后将大分子量的胶和低分子量胶混合在一起，若胶体混合均匀则粉体分布均匀，若胶体混合不均，则粉体混合不均匀。
-
公开(公告)号：CN116216662A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310049031.5
申请日：2023-02-01
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C01B21/068
摘要： 本发明涉及氮化硅粉体技术领域，具体为一种氮化硅粉体的合成方法；本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理，降低原料的粒径，去除表面氧化层，加速氮气的渗入速率，加速氮化反应，之后使用金属催化剂与熔融盐，在高温下吸附在硅粉表面，加速氮气的吸附，进一步地提高氮化速率，且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐，均可溶于浓度为20‑30wt％的硝酸溶液，进一步地去除了杂质元素；之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团，生成活性自由基，从而接枝甲基丙烯酸甲酯，增加氮化硅的分散性能。
-
公开(公告)号：CN118955137A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411036876.1
申请日：2024-07-31
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/634 , C08F8/42 , C08F120/14
摘要： 本发明涉及水基流延生坯技术领域，具体公开了一种水基流延生坯的制备方法；包括以下操作步骤：S1：将分散剂加入到去离子水中，均质化处理，得到分散液；S2：向分散液中加入烧结助剂、硅片粉体，在150～250r/min的转速下一次球磨混合0.5～1小时；球磨过程中，每隔10～20分钟，分批次加入聚二甲基硅氧烷，得到混合物A；S3：向混合物A中加入粘结剂、塑化剂、正丁醇，在150～250r/min进行二次球磨混合5～6小时，得到混合物B；S4：将混合物B依次进行过滤、高真空脱泡、超声均质、低真空脱泡、静置20～30分钟，得到浆料；S5：将浆料置于流延机中，升温干燥，得到水基流延生坯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
22 条记录 (耗时 0.039 秒)
