一种提高氮化硅瓷片热导的浆料制备方法

    公开(公告)号:CN118930319A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410995101.0

    申请日:2024-07-24

    IPC分类号: C04B41/87

    摘要: 本发明公开了一种提高氮化硅瓷片热导的浆料制备方法,涉及热导陶瓷技术领域。浆料的原料组份包括:氮化硼粉体、还原剂、溶剂、粘结剂、塑化剂、分散剂;所述还原剂为三聚氰胺、尿素、三乙醇胺、乙酰苯胺中至少一种;本发明基于常规的氮化硼敷粉技术存在的弊端,将具有氮化还原作用的还原剂及其余助剂添加入氮化硼粉体中,乳化分散均匀,得到浆料,通过高压均匀喷敷在生坯表面,形成均匀涂层,减少烧结过程中杂相的产生,从而提高瓷片的热导率。

    一种研磨的氮化硅瓷片
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118239787A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410331645.7

    申请日:2024-03-22

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤:步骤一:将α‑氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内,球磨混合均匀,得到分散液;步骤二:(1)将分散液离心,过滤出沉淀物,经干燥、研磨、过筛,得到粉料;(2)将粉料置于模具中,压制成型,保温一段时间后,得到氮化硅陶瓷坯体;步骤三:将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结,得到氮化硅陶瓷;步骤四:对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨,得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大,在半导体领域中具有更广泛的应用。

    一种用于氮化硅共烧的电子浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117727491B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410135685.4

    申请日:2024-01-31

    IPC分类号: H01B1/22 H01B13/00

    摘要: 本发明涉及电子浆料技术领域,具体为一种用于氮化硅共烧的电子浆料及其制备方法。本发明通过将钨粉和镍粉进行复配,经球磨、烘干后,得到混合金属粉;接着,将活化相粉体经球磨、烘干、煅烧、粉碎、磨细后,得到混合活化相;随后,将混合金属粉、混合活化相、界面穿插相、溶剂和有机载体混合均匀,发挥协同作用,得到电子浆料。本发明通过对电子浆料进行优化设计,降低了浆料电路的方阻,同时增加了与氮化硅共烧的附着力,从而获得更高的功率密度,提高了共烧器件的寿命。

    一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法

    公开(公告)号:CN117400398A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311423365.0

    申请日:2023-10-31

    IPC分类号: B28B11/00 B28B11/24

    摘要: 本发明涉及陶瓷胚体排胶技术领域,公开了一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法;为了解决陶瓷胚体在空气中排胶时氧含量高造成热导率下降、在氮气下排胶坯体容易碎裂的问题,本发明给出了一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法:先通N2洗炉,再通入CO排胶;CO排胶结束后通入N2洗炉保证安全,然后通入空气排胶,空气在高温条件下将残碳排除后,会一定程度氧化陶瓷坯体,此时再通入N2洗炉、通入CO还原,可以得到氧含量极低的陶瓷坯体,可以避免陶瓷坯体的后续氧化;本发明开创性的使用CO气体来排出电子陶瓷中所含PVB胶,方法简单易行、排胶后坯体残碳量极低并且氧含量极低,利于后续烧结高性能陶瓷。

    一种陶瓷浆料混胶均匀性预检测方法

    公开(公告)号:CN114839212B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202210484247.X

    申请日:2022-05-06

    IPC分类号: G01N23/2251 G01N23/2202

    摘要: 本发明公开了一种陶瓷浆料混胶均匀性预检测方法。主要步骤为粘结剂分类,第一步溶胶,第二步溶胶,混胶,取样,测试。本发明具有预测陶瓷浆料混胶效果的作用。将相对分子质量较大的标定粉末先粘附在高分子量的粘结剂溶胶中,形成标定溶液,标定粉末为碎片状更有利于稳定的粘附在粘结剂上,最后将大分子量的胶和低分子量胶混合在一起,若胶体混合均匀则粉体分布均匀,若胶体混合不均,则粉体混合不均匀。

    一种氮化硅粉体的合成方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116216662A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310049031.5

    申请日:2023-02-01

    IPC分类号: C01B21/068

    摘要: 本发明涉及氮化硅粉体技术领域,具体为一种氮化硅粉体的合成方法;本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理,降低原料的粒径,去除表面氧化层,加速氮气的渗入速率,加速氮化反应,之后使用金属催化剂与熔融盐,在高温下吸附在硅粉表面,加速氮气的吸附,进一步地提高氮化速率,且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐,均可溶于浓度为20‑30wt%的硝酸溶液,进一步地去除了杂质元素;之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团,生成活性自由基,从而接枝甲基丙烯酸甲酯,增加氮化硅的分散性能。

    一种氮化硅陶瓷浆料脉冲脱泡装置以及方法

    公开(公告)号:CN117732122A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202410134451.8

    申请日:2024-01-31

    摘要: 本发明涉及氮化硅陶瓷制备技术领域,具体的说是一种氮化硅陶瓷浆料脉冲脱泡装置以及方法,该装置,包括机架,所述机架上端安装罐体,所述罐体内部设置内筒,所述内筒外端设置螺旋加热棒,所述机架内部底端安装超声波发生器,所述内筒内部底端等距镶嵌多个探头,且探头与超声波发生器电连接,所述机架内部底端设置真空泵,所述真空泵的进口连通安装吸管,所述吸管另一端穿过机架并与罐体左端连通,所述罐体左端连通安装输料管,该设计实现采用阶梯式真空度脉冲脱泡作业,脱泡时间短,提升脱泡效率,使氮化硅陶瓷浆料的性能高,有效保证后续制备的坯体的质量。

    一种氮化硅粉体的合成方法

    公开(公告)号:CN116216662B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310049031.5

    申请日:2023-02-01

    IPC分类号: C01B21/068

    摘要: 本发明涉及氮化硅粉体技术领域,具体为一种氮化硅粉体的合成方法;本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理,降低原料的粒径,去除表面氧化层,加速氮气的渗入速率,加速氮化反应,之后使用金属催化剂与熔融盐,在高温下吸附在硅粉表面,加速氮气的吸附,进一步地提高氮化速率,且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐,均可溶于浓度为20‑30wt%的硝酸溶液,进一步地去除了杂质元素;之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团,生成活性自由基,从而接枝甲基丙烯酸甲酯,增加氮化硅的分散性能。

    一种氮化硅陶瓷晶粒的量化评估测试方法

    公开(公告)号:CN115930779A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211547387.3

    申请日:2022-12-05

    IPC分类号: G01B11/00 G01B11/08

    摘要: 本发明涉及量化评估测试领域,具体为一种氮化硅陶瓷晶粒的量化评估测试方法。本发明基于氮化硅陶瓷合成理论,在烧结过程中,助剂会和氮化硅颗粒上的氧化硅以及氮化硅发生共熔反应,从而生成液相;极细的氮化硅颗粒会溶解在液相中,而较大的氮化硅颗粒则会发生重排。重排后,α相晶粒先通过液相传质形成β相晶粒,再经过固相烧结膨胀成六棱柱晶粒。本发明考虑到三维长径比K的计算在二维截面中晶粒取向是随机的,因此从统计学角度出发增加样本数量,使得二维晶粒的截面尺寸和长度方向尺寸统计学上的比值与三维晶粒截面尺寸及长度的比值趋于一致。由于本方法不仅能有效指导氮化硅陶瓷工艺改良,而且测试成本低廉,适用于大范围推广。