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公开(公告)号：CN118239787A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410331645.7
申请日：2024-03-22
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/596 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/634 , C04B35/64 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/34
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤：步骤一：将α‑氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内，球磨混合均匀，得到分散液；步骤二：(1)将分散液离心，过滤出沉淀物，经干燥、研磨、过筛，得到粉料；(2)将粉料置于模具中，压制成型，保温一段时间后，得到氮化硅陶瓷坯体；步骤三：将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结，得到氮化硅陶瓷；步骤四：对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨，得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大，在半导体领域中具有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN118955137A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411036876.1
申请日：2024-07-31
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/634 , C08F8/42 , C08F120/14
摘要： 本发明涉及水基流延生坯技术领域，具体公开了一种水基流延生坯的制备方法；包括以下操作步骤：S1：将分散剂加入到去离子水中，均质化处理，得到分散液；S2：向分散液中加入烧结助剂、硅片粉体，在150～250r/min的转速下一次球磨混合0.5～1小时；球磨过程中，每隔10～20分钟，分批次加入聚二甲基硅氧烷，得到混合物A；S3：向混合物A中加入粘结剂、塑化剂、正丁醇，在150～250r/min进行二次球磨混合5～6小时，得到混合物B；S4：将混合物B依次进行过滤、高真空脱泡、超声均质、低真空脱泡、静置20～30分钟，得到浆料；S5：将浆料置于流延机中，升温干燥，得到水基流延生坯。
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公开(公告)号：CN118744990A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410732725.3
申请日：2024-06-07
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明涉及硅材料技术领域，具体是一种硅粉浆料的制备方法。本发明将干燥的硅粉、外加剂与溶剂1加入砂磨机中砂磨分散，得到浆料；然后将浆料加入双行星搅拌机中分散搅拌，得到搅拌浆料。胶体可以在搅拌之前预溶，节省时间。浆料分散搅拌结束后，将超声波分散器放入双行星搅拌机中，超声分散后，加入预溶的胶体、Ⅱ类塑化剂搅拌；搅拌结束后，直接开启真空脱泡，无需浆料转移。采用双行星搅拌机制备硅粉浆料可缩短制备时间至7小时，显著提高效率，无需转移浆料至其他设备，避免损耗和结皮等问题，确保浆料品质。
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公开(公告)号：CN117778969A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824754.4
申请日：2023-12-28
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/50 , C23C14/06 , C23C14/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N1/28
摘要： 本发明涉及热扩散系数测试技术领域，具体的说是超薄透光材料热扩散系数测试样品辅助处理装置以及方法，该装置包括离子溅射仪主体，离子溅射仪主体上端设置托举件，托举件上端安装直筒，直筒上端设置盖板，托举件上端安装壳体，壳体内部左壁安装总管，总管左端等距连通安装多个喷管，总管右端连通设置输气管，盖板上端边缘位置安装环形管，环形管下端等距连通安装多个吸管，环形管上端连通安装连接管，连接管另一端连通设置过滤件，过滤件后端连通设置抽气管，抽气管的另一端与真空泵连通，该设计实现及时清洁处理，有效避免密封腔体内产生污染现象，有效减少前工序镀膜产生的杂质影响后续镀膜的质量的概率，有效保证镀膜效果。
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公开(公告)号：CN115259864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211171011.7
申请日：2022-09-26
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/638
摘要： 本发明公开了一种电子陶瓷坯体的排胶方法，涉及半导体加工领域，旨在解决现在技术对陶瓷基板排胶不彻底的问题，其技术方案要点是：先通入CO2气氛,1h‑2h之后，在CO2气氛中升温至200℃‑220℃，升温速率0.4℃/min,200℃‑220℃保温时间为50‑100min；氧气浓度为20ppm‑200ppm；S3)低流量排胶；S4)低速升温排胶，S5)混合气氛降温排胶：将温度从500℃‑550℃逐步降温至400℃‑450℃，降温速度为0.6℃/min‑2℃/min,期间将预热的空气通入，预热的空气温度低于炉内温度100℃左右；流量为60L/min‑300L/min。S6）空气气氛排胶：在400℃‑450℃保温2h‑5h，逐渐降温至常温，降温速率为0.5℃/min‑5℃/min，空气预热后流量为20L/min‑100L/min；S7):取出坯体：排胶完成取出坯体。本发明的一种电子陶瓷坯体的排胶方法工艺简单，排胶残碳量少，成本低廉。
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公开(公告)号：CN118239787B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410331645.7
申请日：2024-03-22
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/596 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/634 , C04B35/64 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/34
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤：步骤一：将α‑氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内，球磨混合均匀，得到分散液；步骤二：(1)将分散液离心，过滤出沉淀物，经干燥、研磨、过筛，得到粉料；(2)将粉料置于模具中，压制成型，保温一段时间后，得到氮化硅陶瓷坯体；步骤三：将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结，得到氮化硅陶瓷；步骤四：对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨，得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大，在半导体领域中具有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN117778969B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311824754.4
申请日：2023-12-28
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/50 , C23C14/06 , C23C14/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N1/28
摘要： 本发明涉及热扩散系数测试技术领域，具体的说是超薄透光材料热扩散系数测试样品辅助处理装置以及方法，该装置包括离子溅射仪主体，离子溅射仪主体上端设置托举件，托举件上端安装直筒，直筒上端设置盖板，托举件上端安装壳体，壳体内部左壁安装总管，总管左端等距连通安装多个喷管，总管右端连通设置输气管，盖板上端边缘位置安装环形管，环形管下端等距连通安装多个吸管，环形管上端连通安装连接管，连接管另一端连通设置过滤件，过滤件后端连通设置抽气管，抽气管的另一端与真空泵连通，该设计实现及时清洁处理，有效避免密封腔体内产生污染现象，有效减少前工序镀膜产生的杂质影响后续镀膜的质量的概率，有效保证镀膜效果。
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公开(公告)号：CN218699854U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202221533962.X
申请日：2022-06-20
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本实用新型提供一种用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机，涉及陶瓷浆料凝胶成型领域。该用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机，包括下底板，所述下底板内部设有上盖板，所述下底板与上盖板之间设有调节组件，所述上盖板一端固定连接有料盒，所述料盒一端出口与上盖板和下底板之间的间隙相通，该用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机，电机带动收卷辊进行转动，从而使收卷辊将膜带进行收卷，从而带动膜带上的浆料在膜带上部被带动进入下底板和上盖板之间，并且在上盖板靠近料盒一端设置有刮板，通过刮板对浆料进行刮平，通过上盖板和膜带将浆料上下空气进行隔绝，待流延完成后，通过启动加热装置，通过加热丝与外部电源进行连接，对其进行加热成型。
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公开(公告)号：CN218614615U
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202222637829.5
申请日：2022-10-09
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本实用新型提供一种流延生坯排胶前的预压装置，包括底座，所述底座的中间位置开设有矩形槽且所述矩形槽的内部设置有传输带，所述底座上端面的一侧位置连接固定有预压装配架，所述预压装配架上端的中间位置设置有安装有液压杆，且所述液压杆穿过预压装配架与预压结构相固定，所述预压结构的下端设置有主动辊，所述主动辊经由传动链条与从动辊相连接，且所述主动辊位于传输带的正上方，在预压装配架的上侧设置有液压杆，通过液压杆带动预压结构向下侧移动，而驱动电机转动主动辊进行旋转，进而主动辊带动从动辊进行旋转，进而使得位于传输带上的流延生坯与从动辊以及主动辊接触，进而可以达到压制流延生坯的目的。
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