一种具有多层结构的高温薄膜铂电阻温度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115541045A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211163114.9

    申请日:2022-09-23

    IPC分类号: G01K7/18

    摘要: 本发明涉及传感器的技术领域,尤其涉及一种具有多层结构的高温薄膜铂电阻温度传感器,包括氧化铝基底,设置于氧化铝基底上的过渡层,设置于过渡层上的第一粘附层,设置于第一粘附层上的铂薄膜电阻层,设置于铂薄膜电阻层上的第二粘附层,设置于第二粘附层上的中间保护层,设置于中间保护层上的玻璃密封层,设置于玻璃密封层上的陶瓷保护层,设置于铂薄膜电阻层上的铂焊盘和铂引线,设置于铂焊盘和铂引线上的焊点保护层,设置于焊点保护层与陶瓷保护层上的封装玻璃层。通过多层结构设计,提高了传感器各层之间的结合力,改善了铂薄膜电阻层的应力状态,提升了传感器的精度,拓宽了其温度测量范围,并使其能在机械振动和热振等恶劣工况下正常工作。

    一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114807859B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202210262581.0

    申请日:2022-03-17

    摘要: 本发明涉及薄膜制备的技术领域,尤其涉及一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法。通过在氧化铝基底上沉积一层含氧铂薄膜层,并利用含氧铂薄膜层在后续热处理过程中发生的热分解、团聚和固态去湿过程,提高铂薄膜与氧化铝基底之间的结合力,同时由含氧铂薄膜热分解形成的孤立铂质点作为形核点,将促进后续沉积铂薄膜的再结晶与晶粒长大,经热处理后,即可获得具有高电阻温度系数和优良高温结构稳定性的铂薄膜。本发明制备的铂薄膜,电阻温度系数高,高温结构稳定性好,且结构与工艺简单,无需引入其他金属层或绝缘层作为粘附层或过渡层,是一种有效、经济和实用的方法,所制备的铂薄膜在高温铂薄膜传感器领域有广泛的应用前景。

    一种用于高精度调阻的薄膜电路图案及其设计方法

    公开(公告)号:CN115798841A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211188335.1

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: H01C7/00 H01C17/242

    摘要: 本发明涉及薄膜电路图案技术领域,尤其涉及一种用于高精度调阻的薄膜电路图案及其设计方法。包括电极、定值电路、分级调阻电路和连续调阻电路。定值电路包括若干串联和并联的电阻线条,用于提供一定的电阻基值;分级调阻电路包括若干串联在一起的并联电阻线条,用于在调阻时实现阻值增加,接近目标电阻;连续调阻电路与定值电路连接,并垂直于定值电路的电阻线条,用于电阻精调。分级调阻电路在调阻时可实现电阻增量按抛物线规律变化,因此可迅速接近目标阻值,减少调阻产生的热量,提高调阻的精度。用于高精度调阻薄膜图案的设计方法包括确定设计前参数、设计定值电路、设计分级调阻电路、设计连续调阻电路和优化电路布局等。

    一种以抛物线规律分级的高精度激光调阻方法

    公开(公告)号:CN115691922A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211188981.8

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: H01C17/242

    摘要: 本发明涉及激光调阻的技术领域,尤其涉及一种以抛物线规律分级的高精度激光调阻方法。通过设置以抛物线规律变化的电阻增量,并在调阻前建立每级调阻电阻增量和误差的数据表,以及调阻点和电阻增量的对应关系,在调阻过程中实时判断并自动选择调阻的增量,使被调电阻能迅速接近目标阻值,再切割短精调线完成调阻。通过设置按抛物线变化的电阻增量,有效减少了调阻的次数,且分级调阻中仅需要切断调阻点图案线条,不需要连续切割,精调过程中也不需要切割长精调线,而仅需要激光短程切割一条短精调线,因此简化了调阻过程,并大大减少了调阻过程中产生的热量,从而提高了调阻精度,提高了调阻效率。

    一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114807859A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210262581.0

    申请日:2022-03-17

    摘要: 本发明涉及薄膜制备的技术领域,尤其涉及一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法。通过在氧化铝基底上沉积一层含氧铂薄膜层,并利用含氧铂薄膜层在后续热处理过程中发生的热分解、团聚和固态去湿过程,提高铂薄膜与氧化铝基底之间的结合力,同时由含氧铂薄膜热分解形成的孤立铂质点作为形核点,将促进后续沉积铂薄膜的再结晶与晶粒长大,经热处理后,即可获得具有高电阻温度系数和优良高温结构稳定性的铂薄膜。本发明制备的铂薄膜,电阻温度系数高,高温结构稳定性好,且结构与工艺简单,无需引入其他金属层或绝缘层作为粘附层或过渡层,是一种有效、经济和实用的方法,所制备的铂薄膜在高温铂薄膜传感器领域有广泛的应用前景。

    一种超大晶粒的铂薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114752892A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210262574.0

    申请日:2022-03-17

    IPC分类号: C23C14/18 C23C14/35 C23C14/58

    摘要: 本发明涉及薄膜的技术领域,尤其涉及一种超大晶粒的铂薄膜及其制备方法。使用常规的磁控溅射方法制备铂薄膜,并使用氩气和氧气的混合气体作为溅射载气,通过调节溅射时氩气和氧气混合气体中氧气的含量,进而调节沉积态铂薄膜中的“氧含量”,并与薄膜后续的热处理温度和热处理气氛相配合,主要调整薄膜晶粒长大过程中的表面能和应变能,使得其在热处理的某一阶段,具有特定取向的晶粒具有热力学或动力学方面的生长优势,从而不断消耗周围的小晶粒而异常长大,直至异常长大的晶粒相互接触,最终获得晶粒尺寸大、且晶粒分布均匀的铂薄膜。本发明的制备方法简单,制备的铂薄膜结构缺陷少,具有优良的电学性能。