一种二甲基二(2-甲基-4-苯基茚基)硅烷配体的分离纯化方法

    公开(公告)号:CN117624211A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311577844.8

    申请日:2023-11-24

    IPC分类号: C07F7/08 C07F7/20

    摘要: 本发明公开了一种二甲基二(2‑甲基‑4‑苯基茚基)硅烷配体的分离纯化方法,包括:合成二甲基二(2‑甲基‑4‑苯基茚基)硅烷;萃取分离出二甲基二(2‑甲基‑4‑苯基茚基)硅烷的有机相,将有机相用水洗涤两次,经无水硫酸钠干燥后,浓缩得到粗产品;向粗产品中加入正己烷溶液,缓慢搅拌,对溶液进行过滤得到滤饼,用正己烷溶液洗涤滤饼,得到淡黄色固体产品;再加入正己烷溶液,缓慢搅拌,对溶液进行过滤得到滤饼,用少量正己烷溶液洗涤滤饼,得到白色固体产品。本发明采取两次打浆的方式对粗产品进行纯化,选用正己烷作为溶剂来进行打浆操作,操作简单、效果明显,在分离提纯效率、生产成本和产物纯度等方面都具有优越性。

    一种外消旋硅桥联茂金属催化剂的合成方法

    公开(公告)号:CN117659101A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311678421.5

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: C07F17/00

    摘要: 本发明公开了一种外消旋硅桥联茂金属催化剂的合成方法,包括:在保护气体的保护条件下,将二醚类试剂作为溶剂,将桥联双茂茚配体加入溶解于溶剂中;在初始体系温度下向溶剂中滴加丁基锂的正己烷溶液并搅拌,搅拌结束后将体系温度提升至第一温度进行反应;将体系温度降至第二温度,向溶剂中加入过渡金属卤化盐,再将体系温度提升至第三温度并搅拌溶剂进行配位反应,反应结束后获得混悬液;对混悬液依次进行过滤、洗涤、减压脱除、重结晶处理后得到外消旋硅桥联茂金属催化剂产物。本发明采用一系列简单易得的二醚类试剂作为溶剂,通过控制反应条件,能够选择性合成种外消旋硅桥联茂金属催化剂,且能够大幅提高催化剂的合成收率。

    一种LNG薄膜型陆罐两面体绝缘板的制备方法及压合机构

    公开(公告)号:CN117507430A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311679142.0

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: B29D7/00

    摘要: 本发明公开了一种LNG薄膜型陆罐两面体绝缘板的制备方法及压合机构,压合机构包括压合设备和装配模具,压合设备包括压合框架和气缸机构,装配模具包括平面部和斜面部,平面部的顶面是水平状态,所述斜面部的顶面为由内往外向上倾斜,所述压合框架的两端分别设置有第一纵向架和第二纵向架,所述装配模具的平面部的边部向上凸起形成限位部,所述装配模具放置于压合框架上,所述限位部倚靠着第一纵向架,所述气缸机构设置于第二纵向架上。本发明无需加工异形的泡沫板和胶合板,不但非常适用于批量生产,能够大幅提高两面体绝缘板的制备效率和生产力,而且能够保证胶合板在泡沫板上的压合效果以及拼装对接精度,两面体绝缘板的使用性能得到了保障。

    一种用于薄膜型角落板背部薄膜粘连的压合机构及压合方法

    公开(公告)号:CN117429067A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311633719.4

    申请日:2023-12-01

    IPC分类号: B29C65/48

    摘要: 本发明公开了一种用于薄膜型角落板背部薄膜粘连的压合机构及压合方法,压合机构包括装配平台、压机框架、升降螺杆、气囊结构板、气囊压头、热压复合板,所述气囊压头用于通过充气将热压复合板压合在角落板的背部薄膜上,所述热压复合板包括硬质压板和加热板,所述硬质压板设置于加热板上,所述加热板上设置有两个折弯槽,所述加热板用于给薄膜加热,两个折弯槽用于实现加热板的折弯,所述硬质压板由三个分压板组合而成,三个分压板之间存在两处分隔区域,两处分隔区域分别位于两个折弯槽处。本发明不但能够提高薄膜在角落板背部的压合效果,确保薄膜的平整性且无气泡和波纹,而且能够大幅缩减胶水的固化时间,提高薄膜的安装效率。

    一种用于薄膜型次屏蔽粘连的仿真检测装置及方法

    公开(公告)号:CN117589669A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311685451.9

    申请日:2023-12-11

    IPC分类号: G01N19/04 G01M13/00

    摘要: 本发明公开了一种用于薄膜型次屏蔽粘连的仿真检测装置及方法,包括检测架、测试台面板、压环和控温环,测试台面板上设置有密封环槽,测试台面板上位于密封环槽的内环部分为支撑圆柱,所述支撑圆柱的顶面上开设有环形排气槽,所述支撑圆柱上开设有导气贯穿孔,所述导气贯穿孔与真空泵相连,导气槽一端与导气贯穿孔连通,另一端延伸至支撑圆柱的外边处,导气槽与所有的环形排气槽相连通,测试台面板上设置有若干快速夹具。本发明能够实现柔性次屏蔽在低温冷态和常温常态的环境下的真空压力仿真检测、粘连情况仿真检测、粘连密封性仿真检测、材料适用性仿真检测,提升了柔性次屏蔽检测的全面度以及功能性,能够保证次屏蔽层的正式使用效果。

    一种基于新型前驱体材料的氧化锆薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN117660926A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311668557.8

    申请日:2023-12-07

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/455 C07F7/00

    摘要: 本发明公开了一种基于新型前驱体材料的氧化锆薄膜制备方法,包括如下步骤:将四(二甲氨基)锆缓慢加入环戊二烯,甲苯溶液中进行反应,反应完成后,在减压下除去溶液中的所有溶剂,将剩余的粘性黄色液体在真空下蒸馏,得到化合物CpZr(NMe2)3;将CpZr(NMe2)3作为异感官金属有机前驱体,以氧气作为氧源,通过原子层沉积(ALD)技术制备获得氧化锆薄膜。本发明通过利用新型异感官金属有机前驱体环戊二烯三(二甲基氨基)锆CpZr(NMe2)3作用于制备氧化锆薄膜的原子层沉积(ALD)工艺中,并且利用O2作为含氧反应物,能够有效提高氧化锆薄膜的质量和热稳定性。

    一种二吡啶基三氯化铌(叔丁胺)的高效合成方法

    公开(公告)号:CN117624224A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311668560.X

    申请日:2023-12-07

    IPC分类号: C07F9/00

    摘要: 本发明公开了一种二吡啶基三氯化铌(叔丁胺)的高效合成方法,包括如下步骤:在无水无氧条件下,向三口烧瓶中加入NbCl5,并用正己烷将其溶解;将三口烧瓶内的反应液进行降温,然后向三口烧瓶内滴加tBuNH2;三口烧瓶内的反应液在指定温度范围进行反应,反应到指定时间后,将反应液进行降温,并向反应液中滴加吡啶进行反应;反应结束后,将反应液依次进行过滤和干燥处理后得到固体状的二吡啶基三氯化铌(叔丁胺)。本发明在简化操作步骤,提高合成效率的基础上,提高了二吡啶基三氯化铌(叔丁胺)合成的产率,并且降低了生产和和合成成本。