公开(公告)号：CN112661515A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011556083.4

申请日：2020-12-24

申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 ,  中国矿业大学

发明人： 单彩霞 ,  陈正 ,  樊宇 ,  陈强 ,  张平 ,  时晓 ,  顾申翔宇 ,  徐杰 ,  吴亚娟 ,  郑加镇

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/65 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层及制备方法，所述SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层覆于单晶硅炉用加热器的加热部件的表面。本发明通过对加热器的加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。

公开(公告)号：CN112645711A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011544365.2

申请日：2020-12-24

申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 ,  中国矿业大学

发明人： 陈正 ,  单彩霞 ,  陈强 ,  樊宇 ,  王汝江 ,  刘雨雨 ,  徐杰 ,  张平 ,  吴亚娟 ,  郑加镇

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B41/87

摘要： 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑BN复合涂层及制备方法，制备方法包括如下步骤：将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将混合粉末覆盖加热部件；将石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC‑ZrC‑BN复合涂层。本发明通过对加热器发热体增加SiC‑ZrC‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对发热体的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。

公开(公告)号：CN113444954B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110605875.4

申请日：2021-06-01

申请人： 中国矿业大学

发明人： 陈正 ,  单彩霞 ,  刘猛 ,  赵李新 ,  王汝江 ,  张平 ,  顾申翔宇 ,  时晓

IPC分类号： C22C30/00 ,  C22C1/02

摘要： 本发明公开了一种Ni‑Co‑Fe‑B系共晶高熵合金及其制备方法，所述共晶高熵合金的合金组分为NiaCobFecBdMe，M为微量元素，其中，a、b、c、d、e分别为对应元素的摩尔百分比，a>15％，b>15％，5％≤c≤10％，10≤d≤25％，e≥0％，且a+b+c+d+e＝100。本发明的共晶高熵合金采用悬浮熔炼法制备而成。该共晶高熵合金为共晶层片结构，非金属主元在共晶体系中起到重要作用，片层间距小，强、塑性匹配较好，力学性能优异，流动性强，具有优异的铸造性能，在航空航天、机械工业等领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113444954A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110605875.4

申请日：2021-06-01

申请人： 中国矿业大学

发明人： 陈正 ,  单彩霞 ,  刘猛 ,  赵李新 ,  王汝江 ,  张平 ,  顾申翔宇 ,  时晓

IPC分类号： C22C30/00 ,  C22C1/02

摘要： 本发明公开了一种Ni‑Co‑Fe‑B系共晶高熵合金及其制备方法，所述共晶高熵合金的合金组分为NiaCobFecBdMe，M为微量元素，其中，a、b、c、d、e分别为对应元素的摩尔百分比，a>15％，b>15％，5％≤c≤10％，10≤d≤25％，e≥0％，且a+b+c+d+e＝100。本发明的共晶高熵合金采用悬浮熔炼法制备而成。该共晶高熵合金为共晶层片结构，非金属主元在共晶体系中起到重要作用，片层间距小，强、塑性匹配较好，力学性能优异，流动性强，具有优异的铸造性能，在航空航天、机械工业等领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112485528A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011266350.4

申请日：2020-11-13

申请人： 中国矿业大学

发明人： 陈正 ,  单彩霞 ,  陈强 ,  樊宇 ,  张平 ,  徐杰 ,  关春洋 ,  张彬

IPC分类号： G01R27/02

摘要： 本发明公开了一种高阻片的电阻测量方法，包括以下步骤：(1)将高阻片进行快速热处理；(2)将经步骤(1)处理后得到的高阻片进行钝化前预处理；(3)将经步骤(2)处理后得到的高阻片清洗；(4)将经步骤(3)处理后得到的高阻片进行钝化处理；(5)利用四探针法测量步骤(4)得到的高阻片的电阻值。本发明通过向高阻片氧化层中注入带电离子，中和氧化层中产生的电子，由此避免自然氧化层中带电悬挂键对高阻片电阻测量的影响，从而较为准确的测量出高阻片电阻。

公开(公告)号：CN116770152A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310748426.4

申请日：2023-06-21

申请人： 中国矿业大学 ,  江苏爱尔沃特环保科技有限公司

发明人： 杨小芹 ,  陈正 ,  单彩霞 ,  沈善致 ,  孔维维 ,  王叶青 ,  程春龙 ,  王林

IPC分类号： C22C30/00 ,  C22C30/06 ,  C22C30/02 ,  C22C1/02 ,  H01F1/147

摘要： 本发明公开了一种纳米级棒状共晶高熵合金及其制备方法，所述共晶高熵合金的组分为MnaNibCocFedBeMf，M为微量元素，其中，a、b、c、d、e、f分别为对应元素的摩尔百分比，15％≤a≤30％，b≥10％，c≥10％，5％≤d≤30％，5％≤e≤20％，0≤f≤5％，且a+b+c+d+e+f＝100％。该合金由fcc固溶体和类Fe23B6结构的金属间化合物两相原位复合形成，本发明的共晶高熵合金采用非自耗真空电弧熔炼法制备而成，无需进行二次处理，工艺简单，生产效率高，易实现工业化生产。该共晶高熵合金为纳米级棒状共晶结构，综合力学性能优异，在航空航天、仪器仪表、电子通讯、机械工业等领域有广阔的应用前景。