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公开(公告)号：CN116779856A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210241697.6
申请日：2022-03-11
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC分类号： H01M4/62
摘要： 本发明公开了一种锂电负极材料Mo2C/NiO@GO碳纳米纤维的制备方法，包括以下步骤：S1:称取氧化镍、四水钼酸铵和溶剂进行超声处理；S2:称取高分子表面活性剂加入烧杯中进行常温搅拌，得到所需纺丝溶液；S3:采用针管吸取纺丝液进行静电纺丝以获得前躯体，在纺丝完成后取下前驱体，在烘箱中进行干燥；S4:对干燥后的前驱体进行预烧结；S5:预烧结后的前驱体进行抽滤；抽滤烘干后对其进行热处理，得到所需的锂离子电池负极材料。本发明的制备方法获得了具有三维网状结构的Mo2C/NiO@GO材料，提高了负极材料的比表面积及电导率，所获得的电池具有较高的比容量以及很好的循环稳定性，具有显著的经济价值。
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公开(公告)号：CN116779791A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210241677.9
申请日：2022-03-11
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
摘要： 本发明公开了一种锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo及其制备方法，制备方法包括以下步骤：称取钼酸钠、氯化亚锡二水合物和溶剂，依次加入烧杯中，盖上保鲜膜，进行搅拌处理；称取高分子表面活性剂加入烧杯中，在60～80℃下搅拌，得到所需纺丝液；纺丝液进行静电纺丝，得前驱体，将前驱体放入烘箱干燥；干燥后的前驱体进行预烧结，得纺丝膜；将纺丝膜作为滤膜，石墨烯分散液作为滤液进行抽滤，得抽滤膜；待抽滤膜干燥后，经过热处理，即得锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo。本发明方法所得锂电柔性自支撑负极材料为纯相，呈被石墨烯包覆的纳米线状，线直径为100～250nm。
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公开(公告)号：CN112725884A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011515946.3
申请日：2020-12-21
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
摘要： 本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在硅熔液液面上产生倒影，倒影法则利用相机采集液面上的倒影，进而检测熔硅液面位置倒影边缘在图像中的位置。
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公开(公告)号：CN112661515A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011556083.4
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层及制备方法，所述SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层覆于单晶硅炉用加热器的加热部件的表面。本发明通过对加热器的加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112645711A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011544365.2
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/87
摘要： 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑BN复合涂层及制备方法，制备方法包括如下步骤：将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将混合粉末覆盖加热部件；将石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC‑ZrC‑BN复合涂层。本发明通过对加热器发热体增加SiC‑ZrC‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对发热体的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115418712A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211046545.7
申请日：2022-08-30
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长设备及控制方法，碳化硅晶体生长设备包括：坩埚本体，坩埚本体限定出顶部敞开的原料腔；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚本体的顶部，坩埚盖限定出用于粘贴籽晶的盛放腔；连接机构，连接机构设于坩埚本体和坩埚盖之间，连接机构具有连通原料腔和盛放腔的导流通道；导流机构，导流机构设于导流通道内，导流机构包括多个导流叶片，多个导流叶片在连接机构的周向上间隔开排布，每个导流叶片的转动中心线沿连接机构的径向方向延伸，多个所述导流叶片在第一位置和第二位置之间可同步转动。根据本发明的碳化硅晶体生长设备，有利于减少晶体凸出率，有利于减少晶体相变以及螺旋位错等缺陷的产生，可提高晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN114574968A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210135861.5
申请日：2022-02-14
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：转盘组件，转盘组件包括外转盘和内转盘，内转盘设于外转盘且适于相对外转盘运动，至少一个籽晶设于内转盘；加热机构，加热机构包括多个热处理单元，多个所述热处理单元沿转盘组件的周向方向间隔排布，且多个热处理单元均设于外转盘，其中，内转盘适于带动籽晶在多个热处理单元之间移动，以依次通过多个热处理单元对籽晶进行处理。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，通过将加热机构分成多个热处理单元，内转盘可以带动籽晶在多个热处理单元之间移动，籽晶可以在不同的热处理单元处进行不同的热处理步骤，从而可以实现碳化硅晶体生长过程的连续性，有利于提高晶体的生长效率。
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公开(公告)号：CN115874283A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211555155.2
申请日：2022-12-06
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置及合成方法，装置包括：碳源坩埚，用于盛放碳源；硅源坩埚，用于盛放硅源，硅源坩埚与碳源坩埚并列设置；合成坩埚，合成坩埚内部限定形成密封的腔体，合成坩埚位于碳源坩埚和硅源坩埚的上方，碳源坩埚和硅源坩埚分别通过导流管与腔体连通；反应器，反应器固定于腔体的顶部，反应器上开设有多个合成孔，合成孔内设有诱发结晶的多晶碳化硅颗粒，碳源和硅源升华的碳源蒸气和硅源蒸气分别通过导流管进入到腔体内，在合成孔内反应结晶，合成碳化硅多晶。本发明通过碳粉与硅粉的升华，利用碳化硅多晶颗粒做诱发结晶的种子，在反应器的合成孔中结晶，减少合成之后的工艺步骤，提高合成效率。
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公开(公告)号：CN114086247A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111444945.9
申请日：2021-11-30
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了碳化硅单晶及其生长装置和制备方法，其中，碳化硅单晶的生长装置包括：生长坩埚、内坩埚和导流筒，所述生长坩埚的顶部设有籽晶；所述内坩埚位于所述生长坩埚内的底部，并且所述内坩埚的横截面积自上而下减小；所述导流筒设在所述生长坩埚内且位于所述内坩埚和所述籽晶之间，所述导流筒环绕所述生长坩埚的内壁布置，所述导流筒的内壁呈圆弧状，并且所述内坩埚与所述导流筒配合构成气体传输引流通道。由此，采用该生长装置可以有效改善碳化硅单晶边缘缺陷，从而得到高品质的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN114561693B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202210136243.2
申请日：2022-02-14
申请人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶生长装置，包括：外坩埚，外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，第一内坩埚设于生长腔内，且第一内坩埚与籽晶沿轴向相对布置，第一内坩埚的朝向籽晶的一端敞开，第一内坩埚的外侧壁与外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，第二内坩埚在生长腔内且位于第一内坩埚的背离籽晶的一侧，第二内坩埚的朝向第一内坩埚的一端敞开，第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动以连通或隔断气流通道与第二内坩埚的内腔。根据本发明的单晶生长装置，可以提高碳化硅晶体生长过程的连续性。
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