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公开(公告)号：CN112661515A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011556083.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层及制备方法，所述SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层覆于单晶硅炉用加热器的加热部件的表面。本发明通过对加热器的加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑ZrB2‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112645711A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011544365.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅炉用加热器SiC‑ZrC‑BN复合涂层及制备方法，制备方法包括如下步骤：将Si粉、Zr粉、氮化硼粉、石墨粉和ZrO2粉放入球磨机中研磨，得到混合粉体；将单晶硅炉用加热器的加热部件置于石墨盒中，将混合粉末覆盖加热部件；将石墨盒置于真空炉中进行包埋渗处理，得到所述SiC‑ZrC‑BN复合涂层。本发明通过对加热器发热体增加SiC‑ZrC‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对发热体的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与发热体的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112725884A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011515946.3
申请日：2020-12-21
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在硅熔液液面上产生倒影，倒影法则利用相机采集液面上的倒影，进而检测熔硅液面位置倒影边缘在图像中的位置。
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公开(公告)号：CN112661536A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011555259.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 , 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种具有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层的单晶硅炉用加热器及制备方法，所述单晶硅炉用加热器包括加热部件，加热部件上覆有SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层。本发明通过对加热器加热部件增加SiC‑ZrC‑B4C‑BN复合涂层，降低了富硅气氛对加热部件的侵蚀，通过控制涂层的成分提高涂层与加热部件的结合力以及涂层的抗热震性，避免生产过程中污染单晶硅，提高单晶硅质量，且能够有效的增加了加热器高温稳定性以及使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117986041A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410081108.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法，装置包括真空烧结炉和旋转系统，真空烧结炉内部空间构成反应室；旋转系统包括石墨盘、电机和连接部件，石墨盘设置在真空烧结炉的反应室内，石墨盘内侧壁上限定出N个用于容纳石墨基体的容纳空间，容纳空间均布在石墨盘内侧壁上，每个容纳空间的上边缘连接有用于固定石墨基体的夹紧部件；电机安装在真空烧结炉的炉壁外侧；电机与真空烧结炉的控制系统电连接；连接部件贯穿于真空烧结炉的侧壁，其一端固定连接在石墨盘外侧壁上，另一端固定连接在电机的输出端。本发明能够减少涂层与基体的膨胀系数，增加结合力，提高涂层致密性，解决涂层出现裂纹和孔洞的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221740437U
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202420138089.7
申请日：2024-01-19
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/32 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型公开了一种碳基材料表面制备碳化钽涂层的装置，包括：炉体，炉体内限定形成反应室，反应室的侧壁沿周向安装有加热件一，反应室内可拆卸固定有反应坩埚，反应坩埚内侧壁从上到下间隔固定有多组载台支架，每组载台支架包括多个载台支架一，每组的多个载台支架一呈环形间隔布置；蒸发器，蒸发器内部限定形成蒸发室，蒸发室设有钽源，蒸发器具有加热件二，蒸发器的一端设有连通至蒸发室的氩气接口和氯气接口，其另一端通过输气管一与混气室连通；混气箱，混气箱内限定形成混气室，混气箱靠近蒸发器的一端开设有连通至混气室的丙烯接口和氢气接口，混气箱具有加热件三，混气室远离蒸发器的一端通过输气管二与反应室连通。
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公开(公告)号：CN222574779U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202420385882.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/32
Abstract: 本实用新型公开了一种五氯化钽粉料气化送粉组件及碳化钽涂层合成装置，五氯化钽粉料气化送粉组件包括：粉料罐，粉料罐用于存放五氯化钽粉末，粉料罐具有加料口和出料口，加料口设于粉料罐的顶端，出料口设于粉料罐的底端；铰刀模块，铰刀模块设于粉料罐的下端，铰刀模块具有粉料入口和粉料出口，粉料入口与出料口连通，粉料出口处设有控制开关阀；气化室，气化室的进口与控制开关阀连通，气化室的出口与化学气相沉积炉连通。根据本实用新型的五氯化钽粉料气化送粉组件，可大量加入五氯化钽粉末，铰刀模块和开关控制阀可精确控制五氯化钽粉末的加入量，可使得粉末气化均匀，可满足大规模批量生产的需要，有利于提高碳化钽涂层的合成质量。
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公开(公告)号：CN119144883A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411283891.6
申请日：2024-09-13
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米共析层片状铸造共晶高熵合金及其制备方法，该共晶高熵合金的通式为NiaCobFecSidMe，M为微量元素，其中，a≥15％，b≥15％，0％≤c≤20％，15％≤d≤25％，e≥0％，且a+b+c+d+e＝100％，a、b、c、d、e分别为对应元素的摩尔百分比。本发明的共晶高熵合金采用悬浮感应熔炼法制备而成。该共晶高熵合金的微观结构为特殊的板片层片状形貌，且具有纳米级共析层片状组织，其微观结构由(Fe,Co,Ni)面心立方FCC固溶体和(Fe,Co,Ni)31Si12类型的金属间化合物组成。该共晶高熵合金片层间距小，具有优异的铸造流动性，Si元素的加入有利于降低合金整体密度和制造成本，同时有利于合金抗氧化性能的提高，在航空航天、机械工业等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117587314A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311821078.5
申请日：2023-12-27
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种超高硬度高温高熵合金及其制备方法，属于合金材料技术领域。该合金组分为NbaMobTacTidVeCf，下标为对应元素的原子比，15≤a≤30，0≤b≤20，15≤c≤25，15≤d≤30，10≤e≤25，10≤f≤20，且a+b+c+d+e+f＝100。该合金综合力学性能优异：室温抗压强度高于1900 MPa，最大变形量可达20%，在1273K高温仍能保持476.1 MPa的抗压强度，表现出塑性变形行为；平均维氏硬度值可达1492.9 HV，约为304不锈钢（硬度210.0 HV）的7.1倍，可用于航空航天、国防军工等领域。同时该合金的制备方法操作简单、安全，制备效果好。
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公开(公告)号：CN115679178B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211456624.5
申请日：2022-11-21
Applicant: 中国矿业大学
Abstract: 本发明公开了一种低密度超高硬度Al‑Cr‑Zr‑Ni高熵合金及其制备方法，包括Al、Cr、Zr和Ni非等原子比组成，化学式为AlaCrbZrcNid，其中原子百分数a＝25～30，b＝15～20，c＝25～30，d＝25～30，且a+b+c+d＝100；所述合金的金相结构为L21‑ZrNi2Al相和ZrCr2相，硬度在1000HV以上。该高熵合金包括L21‑ZrNi2Al相和ZrCr2相两个特殊的相结构，密度为5.9～6.4g/cm3，硬度在1000HV以上，具有远低于镍基、钴基合金的密度和超高的硬度，高熵合金部分共晶组织使得其具有优异的铸造性能，满足先进硬度材料的需求。
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